SU1138838A1 - Материал дл терморезисторов - Google Patents
Материал дл терморезисторов Download PDFInfo
- Publication number
- SU1138838A1 SU1138838A1 SU823458039A SU3458039A SU1138838A1 SU 1138838 A1 SU1138838 A1 SU 1138838A1 SU 823458039 A SU823458039 A SU 823458039A SU 3458039 A SU3458039 A SU 3458039A SU 1138838 A1 SU1138838 A1 SU 1138838A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- oxide
- resistance
- zinc oxide
- temperature
- temperature coefficient
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 12
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims abstract description 6
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- BXOYGSSWOHNAST-UHFFFAOYSA-N [Cu+2].[O-2].[Zn+2].[O-2].[Mn+2] Chemical compound [Cu+2].[O-2].[Zn+2].[O-2].[Mn+2] BXOYGSSWOHNAST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
МАТЕРИАЛ ДЛЯ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ , содержащий оксид марганца и оксид цинка, отличающи йс тем, что, с целью расширени диапазона температурного коэффициента сопротивлени в области отрицательных значений и повьшени стабильности электрического сопротивлени путем уменьшени коэффициента старени , он дополнительно содержит оксид меди при следующем соотношении компонентов, мас.%: Оксид марганца 15-96,6 Оксид цинка 0,7-70 Оксид меди 1,4-46,8
Description
О9 00 00
оо
00 Изобретение относитс к электронной технике и может быть использовано в технологии изготовлени терморе зисторов. Известен материал дл терморезисторов , содержащий оксиды марганца и меди 1 . Недостатки терморезистивного мате риала состо т в низкой стабильности электрического сопротивлени за счет высокого коэффициента старени ( 90-100%) и узком диапазоне значений температурного коэффициента сопротив лени (от -2,4 до +3,12%/С при 20°С Наиболее близким техническим решением к изобретению вл етс резистивный материал дл терморезисторов , содержащий оксид марганца-, оксид цинка и оксид кобальта 2. Недостатки известного терморезистивного материала заключаютс в низкой стабильности электрического сопротивлени за счет высокого коэффициента старени (/100%) и узком диапазоне температурного коэффициента сопротивлени (5-8%/ с). Цель изобретени г расширение диапазона температурного коэффициента сопротивлени в области отрицательных значений и повышение стабиль ности электрического сопротивлени путем уменьшени коэффициента старени . Поставленна цель достигаетс те что материал дл терморезисторов, содержащий оксид марганца и оксид цинка, дополнительно содержит оксид меди при следующем соотношении компонентов, мае.%: Оксид марганца 15-96,6 Оксид цинка 0,7-70 Оксид меди 1,4-46,8 8 Дл приготовлени материала используют порошки , и Cu(NO,)тх . SCuO-SHjO марок дл полупроводи ZnO марок ч. или ч.д.а. НИКОВ Смесь порошков предварительно обжигают ПРИ 750-800°С 1-2 ч на воздухе, затем перетирают в агатовой ступке, увлажн ют 10%-ным раствором поливинилового спирта (ПВС) и прессуют заготовки терморезисторов в виде дисков весом 0,6 г, диаметром 10 мм, толщиной 2,3 мм, которые спекают на воздухе в течение 1-2 ч при 10501200 С . Электроды или контакты изготовл ют путем вжигани серебр ной пасты при 800°С в течение 10-15 мин с последующей закалкой (быстрым охлаждением) на воздухе. Составы и свойства материала дл терморезисторов приведены в таблице, в которой: . f 20 удельное электрическое сопротивление при температуре 20°С; cTcip коэффициент старени , определ емый по формуле K,,«p f2o-P20/P2o-I00, , удельное электрическое где р сопротивление при 20°С после вьщержки в течение 100 ч, при 250°С; В - посто нна , определ ема по формуле р АЙВ/Т; d-2Q - температурный коэффициент сопротивлени при 20°С, определ емый из соотношени В/Т2 В/85850. Изобретение позвол ет повысить стабильность электрического сопротивлени и расширить диапазон температурного коэффициента сопротивлени , а таже заменить резистивные материалы , содержащие дефицитный кобальт.
5
-6,5
5640 20 4300 -5,0 2890 -3,4 12 4700 -5,5
10
,:Продолжение таблицы,
at, Zrc
Claims (1)
- МАТЕРИАЛ ДЛЯ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ, содержащий оксид марганца и оксид цинка, отличающи йс я тем, что, с целью расширения диапазона температурного коэффициента сопротивления в области отрицательных значений и повышения стабильности электрического сопротивления путем уменьшения коэффициента старения, он дополнительно содержит оксид меди при следующем соотношении компонентов, мае.%:Оксид марганца Оксид цинка Оксид меди !
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU823458039A SU1138838A1 (ru) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | Материал дл терморезисторов |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU823458039A SU1138838A1 (ru) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | Материал дл терморезисторов |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1138838A1 true SU1138838A1 (ru) | 1985-02-07 |
Family
ID=21018335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU823458039A SU1138838A1 (ru) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | Материал дл терморезисторов |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1138838A1 (ru) |
-
1982
- 1982-06-18 SU SU823458039A patent/SU1138838A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 1. Шефтель И.Т. Терморезисторы. М., 1973. 2. Патент US № 3652463, кл. Н 01 С 7/00, 1972 (прототип). 5 .;;;й * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3430023B2 (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JPS6257245B2 (ru) | ||
| US3903226A (en) | Method of making voltage-dependent resistors | |
| SU1138838A1 (ru) | Материал дл терморезисторов | |
| CA2025495A1 (en) | Thermistor element and gas sensor using the same | |
| JPH02143502A (ja) | Ｎｔｃサーミスタの製造方法 | |
| US4231902A (en) | Thermistor with more stable beta | |
| JPS6143841B2 (ru) | ||
| JPH01290549A (ja) | サーミスタ用酸化物半導体組成物 | |
| US3890251A (en) | Semiconductive oxides | |
| KR900001979B1 (ko) | 전압 비직선성 저항체의 제조방법 | |
| KR790000886B1 (ko) | 산화물 부성(負性)저항체 | |
| JPS61112301A (ja) | 電圧非直線抵抗体用電極材料 | |
| JPH03271154A (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JP3089371B2 (ja) | 電圧非直線抵抗組成物 | |
| JP3089370B2 (ja) | 電圧非直線抵抗組成物 | |
| JPS6214924B2 (ru) | ||
| JPH06204003A (ja) | 負特性サーミスタ材料 | |
| JPS581523B2 (ja) | サ−ミスタ組成物 | |
| JPS6330763B2 (ru) | ||
| JPH0249522B2 (ru) | ||
| JPH10139542A (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JPH0732086B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体用電極材料 | |
| JPH03139803A (ja) | 酸化物電圧非直線抵抗体 | |
| JPH07211518A (ja) | 電圧非直線性抵抗器の製造方法 |