SU1148832A1 - Способ получени порошка селенида цинка - Google Patents
Способ получени порошка селенида цинка Download PDFInfo
- Publication number
- SU1148832A1 SU1148832A1 SU843564729A SU3564729A SU1148832A1 SU 1148832 A1 SU1148832 A1 SU 1148832A1 SU 843564729 A SU843564729 A SU 843564729A SU 3564729 A SU3564729 A SU 3564729A SU 1148832 A1 SU1148832 A1 SU 1148832A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- zinc
- zinc selenide
- powder
- selenide powder
- filtration
- Prior art date
Links
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 10
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 8
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims abstract 3
- SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N selane Chemical compound [SeH2] SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 229910000058 selane Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 claims description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
- C01B19/007—Tellurides or selenides of metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/61—Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОРОШКА СЕЛЕНИДА ЦИНКА взаимодействием газообразного селеноводорода с парами элементарного цинка при высокой температуре , о тлич ающий с тем, что, с целью получени тонкодисперсного продукта, взаимодействию с селеноводородом подвергают пары элементарного цинка, полученные путем барботировани инертного газа через расплав цинка с последующей фильтрацией их,а процесс взаимодействи осуществл ют при 550-700 С и давлении 760-1140 мм рт.ст.
Description
4
00 00
ро I ; Изобретение относитс к способам синтеза порошка селенида цинка, используемого в качестве исходного материала дл производства оптической и люминофорной керамики, примен емой в оптике и оптоэлектронике. Известен способ получени селенида цинка путем синтеза в паровой фазе из элементов в вертикальном реакторе, заключающийс в том, что исходную загрузку помещают в нижнюю часть сообщающегос с атмосферой реактора и нагревают выше температуры кипени труднолетучего элемента, а в верхней части реактора поддерживают температуру ниже температуры кипени , но вьше температуры затвердевани легколетучего компонента т Недостатком данного способа вл етс то, что все примеси и OKHCjii из исходного продукта переход т в це левой продукт, что существенно снижает его качество и не позвол ет использовать керамические материалы из него в р же приборов. , Наиболее близким к нзобретеншо по технической сущности и достигаемо му результату вл етс способ получе ни селенида цинка путем контактировани газообразного селеноводорода с парами металла при температуре до 1 2 . ,Недостатком известного способа вл етс образование порошка различной дисперсности ( - 50 мкм) в зависимости от условий проведени проце са, в то врем как дл; производства оптической керамики необходим особо чистый порошок селенида цинка определенной дисперсности. Цель изобретени - получение тонкодисперсного порошка селенида цинк 322 Поставленна цель достигаетс тем, что взаимодействию с селеноводородом подвергают пары элементарного цинка, полученные путем барботировани инертного газа через расплав цинка с последующей фильтрацией их, а процесс взаимодействи осуществл ют при 550-700°С и давлении 7601140 мм рт.ст. Проведение процесса без барботировани и фильтрации способствует образованию грубодисперсных продуктов размером 5010,5 мкм. При температурах Вьш1е 700°С образуетс грубодисперсный продукт (20 мкм и более). Снижение температуры менее 550 С нецелесообразно, так как дисперсность продукта не снижаетс . Увелич ние давлени вьппе 1140 мм рт.ст. приводит к резкому увеличение дисперсности продукта (более 50 мкм). Снижение давлени менее 760мм рт.ст. нецелесообразно, так как дисперсность продукта не снижаетс . Пример. Вертикальный кварцевый реактор помещают в двухзонную печь, размещают барботер с цинком в одну из температурных зон, втора зона (после барботера) - реакционна зона. Через барботер пропускашзт очищенньй аргонi на выходе из барботера устанавливают специальный фильтр дл отделени окиси цинка от газовой смеси (пары Zn и Аг). В реакционную зону подают селеновоДород . Полученные резулБтаты представлены в таблице. Как следует из таблицы, предлагаемый способ позвол ет получить селенид цинка дисперсностью 5-10 мкм.
640
5,OiO,5
640
5,5±0,5 640 7,010,5 640 9,0+0,5 640
Содержание кислорода в целевом продукте 1-10
.-5
1 .10
-S
1 -10
fS
1- 10
.S 50
1 -10
4,,5
540
5,010.5
550 6,040,-5 640 8,OtO,5 700 2010,5 710 50±0,5 6АО
Содер(жание цинка нестехиометрического в целевом продукте счет его конденсации в реакционной зоне
Без барботировани и фильтрации
Claims (1)
- СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОРОШКА СЕЛЕНИДА ЦИНКА взаимодействием газообразного селеноводорода с парами элементарного цинка при высокой температуре, отличающийся тем, что, с целью получения тонкодисперсного продукта, взаимодействию с селеноводородом подвергают пары элементарного цинка, полученные путем барботирования инертного газа через расплав цинка с последующей фильтрацией их,а процесс взаимодействия осуществляют при 550-700 С и давлении 760-1140 мм рт.ст.4* Об 0000 ко
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU843564729A SU1148832A1 (ru) | 1984-03-17 | 1984-03-17 | Способ получени порошка селенида цинка |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU843564729A SU1148832A1 (ru) | 1984-03-17 | 1984-03-17 | Способ получени порошка селенида цинка |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1148832A1 true SU1148832A1 (ru) | 1985-04-07 |
Family
ID=21053880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU843564729A SU1148832A1 (ru) | 1984-03-17 | 1984-03-17 | Способ получени порошка селенида цинка |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1148832A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2689840A1 (de) * | 2012-07-25 | 2014-01-29 | Karl Rimmer | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Metallchalkogeniden |
-
1984
- 1984-03-17 SU SU843564729A patent/SU1148832A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 1. Авторское свидетельство СССР № 212238 кл. С 01 В 17/20, 1968. 2. Патент GB № 1006980, кл. С 1 А, 1965. * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2689840A1 (de) * | 2012-07-25 | 2014-01-29 | Karl Rimmer | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Metallchalkogeniden |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100500122B1 (ko) | 폴리알킬실록산의정제방법및이의제품 | |
| KR840000958B1 (ko) | 실리콘 금속으로 기질을 코팅하는 방법 | |
| US4525334A (en) | Process for the production of silicon | |
| US2369212A (en) | Method of manufacturing boron trichloride | |
| KR101403349B1 (ko) | 합성 불투명 석영유리 및 그 제조방법 | |
| EP0015422A1 (en) | Method for producing powder of alpha-silicon nitride | |
| EP0831060B1 (en) | Synthetic quartz glass powder, quartz glass moldings, high purity tetraalkoxysilane, and production methods thereof | |
| GB2123423A (en) | Purification of trialkyl gallium | |
| RU2031983C1 (ru) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ТИПА AIIBVI Использование: в приборостроении, квантовой электронике, лазерной спектроскопии и т | |
| US4801442A (en) | Method for purifying starting materials for fabricating chalchogenide glass | |
| US4983371A (en) | Silicon nitride powder of low oxygen content | |
| Sawhill et al. | Crystallization of ultrafine amorphous Si3N4 during sintering | |
| US3932292A (en) | Process for the manufacture of doped silver halides | |
| US3800028A (en) | Formation of highly reactive form of phosphorus pentasulfide | |
| SU899464A1 (ru) | Способ получени дисульфида кремни | |
| SU1171416A1 (ru) | Способ получени нитрида алюмини | |
| US2106579A (en) | Manufacture of formamide | |
| EP0391150B1 (de) | Verfahren zur Herstellung kohlenstoffarmer, feinteiliger Keramikpulver | |
| SU395177A1 (ru) | Способ получения мелкодисперсных порошков | |
| US3043667A (en) | Production of ultra-pure silicon or germanium | |
| RU2558812C1 (ru) | Способ получения покрытия из карбида кремния на кварцевом изделии | |
| SU812707A1 (ru) | Способ получени стеклообразногоХАльКОгЕНидА Мышь КА | |
| RU2270166C1 (ru) | Способ получения высокочистого диоксида селена | |
| SU765216A1 (ru) | Способ получени стекла | |
| SU1704036A1 (ru) | Способ контрол степени очистки TICL @ |