SU1167703A2 - Генератор импульсов с милливольтовым напр жением питани - Google Patents

Abstract

ГЕНЕРАТОР ИМПУЛЬСОВ С МИЛЛИВОЛЫОВЫМ НАПРЯЖЕНИЕМ ПИТАНИЯ по авт. св. № 1064428, отличающийс  тем, что, с целью повышени  частоты повторени  выходных импульсов, между эмиттером основного транзистора и второй шиной источника питани  введен дополнительный транзистор, коллектор которого соединен с эмиттером основного транзистора , база через резистор соединена с первой шиной источника питани , а эмиттер - с второй шиной источника питани .

Description

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано в радиотехнических устройствах различного назначени , например, в вычислительной технике, технике св зи, телеметрии и т. д.

По основному авт. св. № 1066428 известен генератор импульсов с милливольтовым напр жением питани , содержащий транзистор, трансформатор, перва  обмотка которого включена между первой шиной источника питани  и коллектором транзистора, втора  обмотка трансформатора включена между первой шиной источника питани  и базой транзистора, эмиттер которого подсоединен к второй шине источника питани , причем перва  и втора  обмотки трансформатора подключены к первой шине источника питани  разноименными полюсами 1.

Недостаток устройства - низка  частота повторени  выходных импульсов.

Цель изобретени  - повышение частоты повторени  выходных импульсов.

Поставленна  цель достигаетс  тем, что между эмиттером основного транзистора и второй шиной источника питани  введен дополнительный транзистор, коллектор которого соединен с эмиттером основного транзистора , база через резистор соединена с первой шиной источника питани , а эмиттер - с второй шиной источника питани .

На чертеже представлена принципиальна  схема генератора.

Схема генератора импульсов содержит основной транзистор 1, между коллектором и базой которого включены соединенные согласно две обмотки трансформатора 2. В цепь эмиттера основного транзистора 1 коллектором подключен дополнительный тразистор 3, эмиттер которого соединен с общей шиной, а база через резистор 4 подключена к источнику питани . Питание к коллектору и базе основного транзистора 1 подведено через об1мотки трансформатора 2, а выходной сигнал снимаетс  через конденсатор 5.

Генератор работает следующим образом.

В момент подачи на схему низкого (пор дка дес тых долей вольта) напр жени  питани , транзистор 3 открыт, так как к его базе относительно эмиттера приложено положительное смещение от источника питани  через резистор 4, а транзистор 1 начинает

лавинообразно закрыватьс  в силу того, что возникающий в обмотках трансформатора 2 в начальный момент времени ток вызывает по вление ЭДС самоиндукции, котора  в отрицательной пол рности приложена к базе

и коллектору транзистора 1. Момент максимальной ЭДС самоиндукции, наводимой в обмотках трансформатора соответствует формированию фронта импульса на коллекторе транзистора 1. Одновременно начинают

зар жатьс  емкости переходов коллектор- эмиттер и база-эмиттер транзистора 1 и емкость коллектор-эмиттер транзистора 3. В процессе зар да указанных емкостей переходов на коллекторе транзистора 1 формируетс  вершина импульса. По мере убывани 

ЭДС самоиндукции в обмотках трансформатора и зар да емкостей переходов транзистор 1 открываетс , что соответствует формированию спада импульса. Таким образом описанные процессы привод т к тому,

что на коллекторе транзистора 1 формируетс  импульс напр жени  положительной пол рности .

После открывани  транзистора I начнетс  разр д перечисленных выше емкостей

переходов и врем , необходимое дл  разр да , будет определ ть собой паузу между генерируемыми импульсами, т. е. период их повторени .

Увеличение частоты повторени  импульсов , генерируемых генератором, объ сн етс 

тем, что емкости переходов коллектор- эмиттер транзисторов 1 и 3 соединены последовательно и,следовательно, результирующа  емкость меньше, чем у одного транзистора , как это имеет место в прототипе, поэтому врем  разр да ее уменьшитс , а

частота повторени  импульсов будет выше. Предлагаемое устройство может работать не только в автоколебательном режиме, но и в режиме усилени  синусоидальных колебаний или генерировани  пачек импульсов,

дл  чего необходимо на базу транзистора 3 подавать соответственно либо синусоидальное напр жение, либо пр моугольное импульсное .

Предлагаемый генератор по сравнению с прототипом обеспечивает повышение частоты повторени  выходных импульсов на пор док и выше.

Claims (1)

1. ГЕНЕРАТОР ИМПУЛЬСОВ С МИЛЛИВОЛЬТОВЫМ НАПРЯЖЕНИЕМ ПИТАНИЯ по авт. св. № 1064428, отличающийся тем, что, с целью повышения частоты повторения выходных импульсов, между эмиттером основного транзистора и второй шиной источника питания введен дополнительный транзистор, коллектор которого соединен с эмиттером основного транзистора, база через резистор соединена с первой шиной источника питания, а эмиттер — с второй шиной источника питания.