SU116849A1 - Способ получени чистого кремни и устройство дл его осуществлени - Google Patents
Способ получени чистого кремни и устройство дл его осуществлениInfo
- Publication number
- SU116849A1 SU116849A1 SU598015A SU598015A SU116849A1 SU 116849 A1 SU116849 A1 SU 116849A1 SU 598015 A SU598015 A SU 598015A SU 598015 A SU598015 A SU 598015A SU 116849 A1 SU116849 A1 SU 116849A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- silicon
- dissociation
- seed
- quartz
- implementation
- Prior art date
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 26
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 claims description 7
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 claims description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 5
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- QYKABQMBXCBINA-UHFFFAOYSA-N 4-(oxan-2-yloxy)benzaldehyde Chemical compound C1=CC(C=O)=CC=C1OC1OCCCC1 QYKABQMBXCBINA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPQVAPJRHAXSSF-UHFFFAOYSA-N [I].[I].[I].[I].[Si] Chemical compound [I].[I].[I].[I].[Si] XPQVAPJRHAXSSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- JHGCXUUFRJCMON-UHFFFAOYSA-J silicon(4+);tetraiodide Chemical compound [Si+4].[I-].[I-].[I-].[I-] JHGCXUUFRJCMON-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Description
Известен способ получени чистого кремни -нутем термической диссоциации четырехиодистого кремни на поверхности кремниевого нагревател : - ..,- ,.
Описываемый способ позвол ет получить более длинныекремниевые стержни е меньшим содержанием примесей.
С этой целью диссоциацию четырехиодистого кремни осуществл ют на расплавленной вершине кремниевой затравки.
Дл осуществлени способа предлагаетс устройство, особенность которого заключаетс в том, что рабоча камера дл диссоциации выполнена в виде кварцевой трубы, в которую снизу вставлен кварцевый шток с запа нным внутрь железным сердечником, поддерживающий кремниевую затравку, нагреваемую генератором токов высокой частоты, и опускающийс но мере роста образующегос слитка.
На чертеже изображена схема устройства.
Рабоча камера 1 устройства представл ет собою кварцевую трубу, имеющую ввод дл поступлени в нее четырехиодистого кремни и смотровое стекло 2 из оптического кварца.
В нижней части камеры / имеетс отверстие, закрывающеес пришлифованной пробкой. Через это отверстие в камеру вставл етс кварцевый шток 3 с запа нным внутри него железным сердечником 4.
Обогрев ампулы 5 с четырехиодистым кремнием до темиературы пор дка 150° осуществл етс печью 6 сопротивлени . Камера / сообщаегс е ампулой 7, помещенной в сосуд 8. Дюара с жидким азотом. В ампулу 7 вставлена трубка 9, присоединенна к форвакуумному насосу. Внутри камеры / находитс горизонтально расположенный отражатель W. Позицией П обозначен посто нный магнит, а позицией 12-индуктор.
Вначале аппаратура вакуумируетс , затем разогреваетс ампула 5 с четырехиодистым кремнием до его плавлепи и включаетс высокочастотный нагрев кремниевой затравки. Пары четырехиодистого кремни поступают на расплавленную вершину затравки, где происходит диссо№ 116849
циаци его на кремний и йод. Пары йода отвод тс в ампулу 7. По мере роста образующегос слитка 13 кремни кварцевый шток 3, поддерживающий кремниевую затравку, опускаетс .
Полученный слиток кремни может быть переработан на монокристалл путем бестигельной зонной плавки, а также известным методом выт гивани .
При скорости подачи паров четырехиодистого кремни около 80 на кремниевую затравку с площадью расплава 1,5 слг скорость разложени четырехиодистого кремни составл ет 2,7 г/час. Степень разложени -67 %.
При увеличении скорости подачи паров четырехиодистого кремни степень разложени уменьшаетс , а скорость его увеличиваетс .
Получение длинных стержней кремни способствует удалению примеси при кристаллизации, причем устран етс контакт кремни с кварцем , вл ющийс причиной диффузии примесей из футеровки в кремний.
Предмет изобретени
Claims (2)
1.Способ получени чистого кремни путем термической диссоциации четырехиодистого кремни на поверхности кремниевого нагревател , отличающийс тем, что, с целью Снижени содержани примесей и получени длинных кремниевых стержней, диссоциаци четырехиодистого кремни осуществл етс на расплавленной вершине кремниевой затравки .
2.Устройство дл осуществлени способа по п. 1, о т л и ч а ю щ е е с тем, что рабоча камера дл диссоциации выполнена в виде кварцевой трубы, в которую снизу вставлен кварцевый щток с запа нным внутрь железным сердечником, поддерживающий кремниевую затравку, нагреваемую генератором токов высокой частоты, и опускающийс вниз по мере роста образующегос слитка.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU598015A SU116849A1 (ru) | 1958-04-22 | 1958-04-22 | Способ получени чистого кремни и устройство дл его осуществлени |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU598015A SU116849A1 (ru) | 1958-04-22 | 1958-04-22 | Способ получени чистого кремни и устройство дл его осуществлени |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU116849A1 true SU116849A1 (ru) | 1958-11-30 |
Family
ID=48389045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU598015A SU116849A1 (ru) | 1958-04-22 | 1958-04-22 | Способ получени чистого кремни и устройство дл его осуществлени |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU116849A1 (ru) |
-
1958
- 1958-04-22 SU SU598015A patent/SU116849A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3265469A (en) | Crystal growing apparatus | |
| US4203951A (en) | Apparatus for growing single crystals from melt with additional feeding of comminuted charge | |
| US2683676A (en) | Production of germanium rods having longitudinal crystal boundaries | |
| US4097329A (en) | Process for the production of monocrystalline silicon rods | |
| US3353914A (en) | Method of seed-pulling beta silicon carbide crystals from a melt containing silver and the product thereof | |
| WO1991002832A1 (en) | Method for directional solidification of single crystals | |
| JPS6465086A (en) | Apparatus and process for producing single crystal rod | |
| US3351433A (en) | Method of producing monocrystalline semiconductor rods | |
| SU116849A1 (ru) | Способ получени чистого кремни и устройство дл его осуществлени | |
| JP3832536B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法および引上げ機 | |
| GB870408A (en) | Treatment of silicon | |
| EP0417948A2 (en) | Method and apparatus for pulling up silicon single crystal | |
| US2985519A (en) | Production of silicon | |
| US3261722A (en) | Process for preparing semiconductor ingots within a depression | |
| GB803830A (en) | Semiconductor comprising silicon and method of making it | |
| US3936346A (en) | Crystal growth combining float zone technique with the water cooled RF container method | |
| US3179593A (en) | Method for producing monocrystalline semiconductor material | |
| GB1140656A (en) | Improvements in or relating to the manufacture of rod-shaped silicon monocrystals | |
| US3046100A (en) | Zone melting of semiconductive material | |
| GB1075706A (en) | Production of dislocation-free single crystals of semiconductor material | |
| US2789153A (en) | Furnace for producing single crystals for transistors | |
| US3929556A (en) | Nucleating growth of lead-tin-telluride single crystal with an oriented barium fluoride substrate | |
| US3690848A (en) | Necked housing in float zone refining | |
| US3044967A (en) | Production of pure semi-conductor material | |
| JPS55113695A (en) | Single crystal growing device |