SU1168871A1 - Способ измерени поверхностного сопротивлени высокоомного покрыти на диэлектрической подложке - Google Patents

Abstract

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ВЫСОКООМНОГО ПОКРЫТИЯ НА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПОДЛОЖКЕ , включающий размещение исследуемого образца в максимум пол  открытого резонатора, настроенного в резонанс и образованного под вижным и неподвижным зеркалами, и измерение мощности на зъкопе открытого резонатора, по которой определ ют поверхностное сопротивление ВЫСОКООМНОГО покрыти  на диэлектрической подложке, отличающийс  тем, что, с целью повышени  точности путем исключени  вли ни  на результат измерений толщины диэлектрической подложки, перед размещением исследуемого образца в открытый резонатор помещают вспомогательный образец, вьтолненный в виде ВЫСОКООМНОГО покрыти  на диэлектрической подложке, толщинакоторой равна средней толщине диэлектрической подложки исследуемых образцов, а между вспомогательным образцом и подвижным зеркалом, парал лельно им - диэлектрическую пластину , площадь которой не менее площади подвижного и неподвижного зеркал, i а толщина с/ и диэлектрическа  проницаемость удовлетвор ют уело (Л ВИЮ . ofj, , где Е ос соответственно диэлектрическа  проницаемость и средн   т.олщина ди - электрической подложки исследуемого образца, настраивают открытый резонатор на резонанс,затем замен ют вспомогательный образец исследуеО ) мым образцом, осуществл ютколеоа оо бани  диэлектрической пластины с амплитудой, превьшающей ее удвоенную N| толщину в направлении, перпендикул рном ее плоскости, и измер ют максимальное значение мощности на выходе открытого резонатора.

Description

Идобретение относитс  к контрольно-измерительной технике и может быть использовано дл  контрол  и измерени  сопротивлени  квадрата поверхности тонких высокоомных полупро водниковьк и других провод щих покрытий на диэлектрических подложках Цель изобретени  - повьшение точности путем исключени  вли ни  на результат измерений толщины диэлектр ческой, подложки. На чертеже приведена структурна  электрическа  схема устройства дл  измерени  поверхностного сопротивлени  высокоомного покдыти  на диэлектрической подложке, реализующего предлагаемый способ. Устройство содержит СВЧ-генератор 1, вентиль 2, открытый резонатор 3, образованный подвижным 4 и неподвижным 5 зеркалами, детектор 6, индикатор 7, диэлектрическую пластину 8, соединенную с виброустройством 9, вспомогательный образец 10, выполненный в виде высокоомного покрыти  на диэлектрической подложке. Способ осуществл етс  следующим образом. В максимум пол  между подвижным 4 и неподвижным 5 зеркалами настроенного в резонанс открытого резонатора 3 (посредине, если открытый резонатор 3 настроен на первый максимум ) помещаетс  вспомогательный образец 10 (со средней толщиной ди электрической подложки). Между вспомогательньм образцом 10 и подвижным зеркалом 4 вставл етс  диэлектрическа  пластина 8 с малыми потер ми , толщина d которой и диэлектрическа  проницаемость Б удовлетвор ют условию Y c/7ZT/ ;c/o , где р , с/р.- диэлектрическа  проницае мость и толщина диэлектрической подложки. При помощи передвижени  подвижного зеркала 4 восстанавливают резонанс по максимальному сигналу на индикаторе 7. Последовательно помещают вместо вспомогательного образца 10 со средней толщиной подложки исследуемью образцы с толщинами подложек, отличающимис  от средней. При помощи виброустройства 9 плоскопараллельно колеблют диэлектрическую пластину 8 вдоль оси открытого резонатора 3. По величине показаний на индикаторе 7 (пиковом вольтметре) суд т о сопротивлении квадрата поверхности высокоомного покрыти  исследуемого образца, причем эта величина не. зависит от изменени  толщины диэлектрической подложки и возможных малых перемещений подвижного 4 и неподвижного 5 зеркал в процессе измерени , так как эти вли ни  подавл ютс  путем непрерывной самонастройки устройства на максимальньй сигнал (измерение максимального сигнала на выходе открытогр резонатора), который не зависит от мещающи: 4 факторов.

Claims (1)

1. . СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ВЫСОКООМНОГО ПОКРЫТИЯ НА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПОДЛОЖКЕ, включающий размещение исследуемого образца в максимум поля открытого резонатора, настроенного в резонанс и образованного подвижным и неподвижным зеркалами, и измерение мощности на выходе открытого резонатора, по которой определяют поверхностное сопротивление высокоомного покрытия на диэлектрической подложке, отличающийся тем, что, с целью повышения точности путем исключения влияния на результат измерений толщины диэлектрической подложки, перед размещением исследуемого образца в открытый резонатор помещают вспомогательный образец, выполненный в виде высокоомного покрытия на диэлектрической подложке, толщина которой равна средней толщине диэлектрической подложки исследуемых образцов, а между вспомогательным < образцом и подвижным зеркалом, парад” лельно им - диэлектрическую пластину, площадь которой не менее площади подвижного и неподвижного зеркал, . Q а толщина и и диэлектрическая про- <g ницаемость Е удовлетворяют условию · Vfd >2 νΤθ c?_e , где Е_о и d₀ соответственно диэлектрическая проницаемость и средняя толщина ди электрической подложки исследуемого образца, настраивают открытый резонатор на резонанс,затем заменяют вспомогательный образец исс'ледуемым образцом, осуществляютколебания диэлектрической пластины с амплитудой, превышающей ее удвоенную толщину в направлении, перпендикулярном ее плоскости, и измеряют максимальное значение мощности на выходе открытого резонатора.