SU1173286A1 - Датчик газа - Google Patents

Abstract

. ДАТЧИК ГАЗА, состо щий из корпуса, съемного чувствительного 13,:;.;:;::;:. I KMMDimA элемента с полупроводниковым чувствительным слоем на инертной подложке , системы электрических выводов в в1еде электродов с кентактами, отличающийс  тем, что, с . целью повышени  надежности работы и расширени  функциональных возможностей , он снабжен соединенным с корпусом прижимом, по крайней мере один электрод снабжен резистивным нагревателем и термистором, контакты, установленные на торцах электродов, выведены из корпуса, выполненного герметичным , и установлены в прижиме с возможностью теплового и электрического контактов с чувствительным слоем чувствительного элемента. СО hO ЭО

Description

1 Изобретение относитс  к аналитическому приборостроению и может использоватьс  в газовой, химической и других от-расл х промышленности дл  определени  содержани  различных газов , например , в газовых смес х. Целью изобретени   вл етс  повышение надежности работы и расширение функциональных возможностей датчика . На чертеже представлена принципиальна  схема конструкции датчика газа . Датчик газа содержит герметичный корпус 1, с которым соединен прижим 2 съемного чувствительного элемента 3, содержащего полупроводниковый чувствительньй слой 4 на инертной подложке 5, помещенную в корпус сиетему электрических выводов 6 в виде электродов 7 с контактами 8. Один электрод снабжен резистивным нагревателем 9 и термистором 10. Контакты 8, установленные на торцах электродов 7, выведены из корпуса и уста новлены в прижиме 2 с возможностью теплового и электрического контактов с чувствительным слоем чувствительного элемента 3. К контактам 11 резистивного нагревател  9 подключен терморегул тор 12. Далее привод тс  особенности конструкции датчика на H,S. Подложкой может быть любой материал со стабильными свойствами в области 130-200°С, обладающий необходимой теплопроводностью и к которому тонка  пленка полупроводника обладает адгезией (керамика,. фарфор окись алюмини  и пр.).Чувствительный слой 4 изготавливаетс , например, в 86 виде пленки из полупроводника типа п (SnOj+Al), который при контакте с HjS увеличивает электропроводность пропорционально концентрации сероводорода . Оптимальна  рабоча  температура , чувствительного сло  4, составл ет 130-150 С. Электроды 7 выполн ютс  из токопровод щего материала, имеющего необходимую теплопроводность , например, меди. Контакты 8 изготавливаютс  из того же материала , что и чувствительный слой 4 или другого токопровод щего материала , исключающего загр знение полупроводника (например Sn и др.).Корпус обеспечивает герметизацию системы , электрических выводов (больую часть электродов. Нагреватель 9, термистор to), предохран ет их от воздействи  агрессивной среды H,S. Часть электродов с нанесенными на нее контактами 8, вытесненна  за пределы корпуса, защищена покрытием, стойким к разрушающему воздействию . Датчик газа, например ,работает следующим образом. Чувствительный элемент 3 датчика нагреваетс  до в свободной от H,S атмосфере. Сопротивление пленки измер етс  между электродами 7 с помощью регистрирующего устройства (не показано). При приведении чувствительного элемента 3 датчика в контакт с сероводородом чувствительный слой 4 измен ет свое сопротивление пропорционально концентрации сероводорода в газовой смеси. Сигнал Изменени  сопротивлени  через электроды 7 подаетс  на регистрирующее устройство.

Claims (1)

1. ДАТЧИК ГАЗА, состоящий из корпуса, съемного чувствительного элемента с полупроводниковым чувствительным слоем на инертной подложке, системы электрических выводов в виде электродов с контактами, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности работы и расширения функциональных возможностей, он снабжен соединенным с корпусом прижимом, по крайней мере один электрод снабжен резистивным нагревателем и термистором, контакты, установленные на торцах электродов, выведены из корпуса, выполненного герметичным, и установлены в прижиме с возможностью теплового и электрического контактов с чувствительным слоем чувствительного элемента.

   а» 1173286