SU1347504A2 - Устройство дл нанесени покрытий из газовой фазы - Google Patents
Устройство дл нанесени покрытий из газовой фазы Download PDFInfo
- Publication number
- SU1347504A2 SU1347504A2 SU853982561A SU3982561A SU1347504A2 SU 1347504 A2 SU1347504 A2 SU 1347504A2 SU 853982561 A SU853982561 A SU 853982561A SU 3982561 A SU3982561 A SU 3982561A SU 1347504 A2 SU1347504 A2 SU 1347504A2
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- gas
- reagent
- screen
- substrate
- reagents
- Prior art date
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title abstract description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title description 3
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000008520 organization Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 19
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 abstract description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 abstract description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 abstract 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 241000219745 Lupinus Species 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к оборудованию дл нанесени оптических и защитных покрытий и касаетс устройств дл нанесени тонких пленок на подложки из газовой фазы, а точнее устройств дл получени зеркальных покрытий с высокой отражательной способностью и механической проч-. ностью. Цель изобретени - снижение расхода реагентов путем улучшени организации потока парогазовой смеси н обеспечени стехиометрического соотношени - реагентов в зоне осаждени . Тарелку 10 с исходным веществом, нанесенным на пористый материал, устанавливают в камеру-шлюз 14. При достижении заданной температуры подложки 6 и газоносител , подаваемого по трубке 17, тарелку 10 с исходным веществом посредством штока 12 через выре 9 в экране 8 устанавливают на блок 7 подачи газа, при этом вырез 9 перекрываетс заслонкой 13, укрепленной на штоке 12. Нагреваемое гор чим газом-носителем исходное вещество испар етс и через полость экран 8 переноситс К поверхности подложки 6, к которой через трубку 15 подают :Газ-реагент. Концентрапито паров исходного вещества измер ю по поглощению излучени источника, установ- ленного за окном П. При изменении концентрации исходного вещества, посредством электродвигател 24 и газового дроссел 25 плавно регулируют подачи газа-реагента. Конструктивные особенности устройства позвол ют сократить потери реагентов до 25,2Z. I .з.п. ф-лы, 2 ил. g (Л 4J сл
Description
13
Изобретение относитс к оборудованию дл Нанесени оптических и за- П1ИТНЫХ покрытий Из газовой фазы и касаетс устройств дл нанесени тонких пленок на подложки, в частности устройств дл получени зеркальных покрытий с высокой отражательной способностью и механической прочностью.
Целью изобретени вл етс снижение расхода реагентов путем улучшени организации потока парогазовой смеси и обеспечени стехиометричес- кого соотношени реагентов в зоне осаждени ,
На фиг.1 изображен общий вид устройства , разрез; на фиг.2 - разрез А-А на фиг.1.
Устройство содержит вертикальный герметичный корпус 1, крышку 2, закрепленный на ней нагревательный блок 3 с нагревателем 4, подлоткко- держатель 5, подложку 6, блок 7 подачи газа с насаженным на него цилиндрическим экраном 8, который снабжен вырезом 9, выполненным по профилю тарелки 10 в форме полукольца, рас-. положенном на уровне тарелки 10 и окнами 11 со стеклами, расположенными между тарелкой 10 и подложкой 6, шток 12, к части которого, примыкающей к тарелке 10, прикреплена заслонка 13 в форме лолукольца, выполненна по форме выреза 9 в экране. Кроме того, устройство содержит камеру- шлюз 14, трубку 15 дл подачи газа- реагента, приспособление дл ввода газа-реагента, выполненное в виде полого перфорированного кольца 16, трубку, 17 дл подачи газа-носител . На корпусе 1 смонтированы смотровые окна 18, на крышке 2 установлен привод (условно не показан) вращени подложкодержател 5 и трубка 19 д;1 отвода газообразных продуктов реакции , а в блок 7 вмонтирован нагреватель 20. Экран 8 установлен с возможностью регулировани зазора относительно подложкодержател 5. На корпусе 1 также смонтирован источник 21 излучени и приемник излучени 22, измеритель 23 расхода газа-реагента , блок управлени (условно не показан) и исполнительный механизм, состо вши из электродвигател 24 и газового дроссел 25.
Устройство работает следующим образом .
Исходное вещество, равномерно нанесенное на пористый материал, помег щают на перфорированную тарелку 10. . Затем тарелку 10 устанавливают в камеру-щлюз 14. При достижении заданной температуры подложки 6 и газа- носител , тарелку 10 с исходным веществом посредством щтока 12 через вырез 9 в экране 8 устанавливают на блок 7 подачи газа, при этом вырез 9 перекрываетс заслонкой 13, укрепленной на щтоке 12. Нагреваемое гор чим газом-носителем, исходное вещество испар етс и через полость экрана 8 переноситс к поверхности подложки 6, к которой через трубку 15 подают газ-реагент. Концентрацию паров исходного вещества измер ет
по поглощению излучени источника 2I молекулами исходного соединени . Сигналы с приемника излучени 22 и измерител 23 расхода газа-реагбнта поступают на блок управлени , с которого управл ющий сигнал подаетс на исполнительный механизм, и посредством электродвигател 24 и газового дроссел 25 плавно регулируют режим подачи газа-реагента дл обеспечени стехиометрии химической ре.- акции в зоне осаждени , в результате которой на нагретой поверхности подложки 6 осаждаетс металл в виде пленочного покрыти . Вращение подлож
кодержател 5 с подложкой 6 способствует- более равномерному нанесению покрыти . Газообразные продукты реакции вместе с газом-носителем, двига сь в радиальном направлении, удал ютс от поверхности подложки 6 через трубку 19.
Конструктивные особенности устройства позвол ют сократить потери реагентов на 13,4-25,2% за счет улучшени организации потока парогазовой смеси и стехиометрического соотношени компонентов, а также оптимизировать процесс, сократив предварительные эксперименты по установлению режима нанесени покрытий.
Claims (2)
1. Устройство дл нанесени покрытий из газовой фазы по авт св. № 1194042, отличающеес тем, что, с целью снижени расхода реагентов путем улучшени организаНИИ потока парогазовой смеси и обеспечени стехиометрического соотношени реагентов в зоне осаждени , оно дополнительно снабжено окнами со стеклами дл контрол концентрации паров исходного вещества, смонтированными на экране и расположенными н уровне между тарелкой дл исходного вещества и подложкой, при этом экран установлен с возможностью регулиро
вани зазора относительно подложко- держател и выполнен с вьфезбм по профилю тарелки дл исходного вещест- ва, расположенным на ее уровне.
2. Устройство по n.I отличающеес тем, что оно снабжено заслонкой, вьтолненной по форме выреза в экране и закрепленной на штоке с возможностью перекрытн ву реза.
te/
2/-€)
Фм.г
Редактор А.Кондрахина
Составитель В.Сазонов Техред Л,Сердюкова
Заказ 3128Тираж 566, Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР
по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска наб., д. 4/5
Производственно-полиграфическое предпри тие, г.Ужгород, уп. Проектна ,i
Кррректор С. Шекнар
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU853982561A SU1347504A2 (ru) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | Устройство дл нанесени покрытий из газовой фазы |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU853982561A SU1347504A2 (ru) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | Устройство дл нанесени покрытий из газовой фазы |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU1194042A Addition SU242723A1 (ru) | Устройство для прекращения питания при обрыве |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1347504A2 true SU1347504A2 (ru) | 1991-07-23 |
Family
ID=21207367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU853982561A SU1347504A2 (ru) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | Устройство дл нанесени покрытий из газовой фазы |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1347504A2 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2149216C1 (ru) * | 1998-08-20 | 2000-05-20 | Институт сильноточной электроники СО РАН | Устройство для химического газофазного осаждения аморфных гидрогенизированных углеродных пленок на диэлектрики |
| RU2439196C2 (ru) * | 2006-04-28 | 2012-01-10 | Бенек Ой | Термоисточник |
-
1985
- 1985-10-28 SU SU853982561A patent/SU1347504A2/ru active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Авторское свидетельство СССР № 1194042, кл. С 23 С 16/00, 1983. * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2149216C1 (ru) * | 1998-08-20 | 2000-05-20 | Институт сильноточной электроники СО РАН | Устройство для химического газофазного осаждения аморфных гидрогенизированных углеродных пленок на диэлектрики |
| RU2439196C2 (ru) * | 2006-04-28 | 2012-01-10 | Бенек Ой | Термоисточник |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5017404A (en) | Plasma CVD process using a plurality of overlapping plasma columns | |
| EP0191855B1 (en) | Barrel reactor and method for photochemical vapor deposition | |
| KR920004846B1 (ko) | 마그네트론 스퍼터링 장치 및 방법 | |
| US4597986A (en) | Method for photochemical vapor deposition | |
| US4265932A (en) | Mobile transparent window apparatus and method for photochemical vapor deposition | |
| US5356672A (en) | Method for microwave plasma assisted supersonic gas jet deposition of thin films | |
| CN1243122C (zh) | 线性孔径沉积设备及涂敷工艺 | |
| US5637358A (en) | Microwave plasma chemical vapor deposition process using a microwave window and movable, dielectric sheet | |
| KR960023228A (ko) | 화학 증착에 의한 박막 형성 장치 및 방법 | |
| US5232507A (en) | Apparatus for forming deposited films with microwave plasma CVD method | |
| SU1347504A2 (ru) | Устройство дл нанесени покрытий из газовой фазы | |
| EP0728850B1 (en) | Quasi hot wall reaction chamber | |
| CA1181719A (en) | Photochemical vapor deposition apparatus and method | |
| US5221355A (en) | Silicon carbide film forming apparatus | |
| CN116288240B (zh) | 一种衰减器加工方法及设备 | |
| US5232868A (en) | Method for forming a thin semiconductor film | |
| JPH05239655A (ja) | マイクロ波プラズマｃｖｄ法によるダイヤモンド膜合成装置 | |
| JPH03104871A (ja) | 有磁場マイクロ波プラズマｃｖｄ法による薄膜作成方法 | |
| JPS6215816A (ja) | 赤外線加熱装置 | |
| JPH0341723A (ja) | 薄膜製造装置 | |
| SU1726572A1 (ru) | Устройство дл получени пленок | |
| JPS61272920A (ja) | 横打ちレ−ザｃｖｄ法による薄膜製造方法 | |
| JP4165855B2 (ja) | 薄膜製造方法 | |
| CN1037703Y (zh) | 制造近似圆顶形的电介质冷光镜涂层的pcvd工艺和执行该工艺的设备 | |
| JPS6240381A (ja) | プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成装置 |