SU1359802A1 - Полупосто нное запоминающее устройство - Google Patents

Полупосто нное запоминающее устройство Download PDF

Info

Publication number
SU1359802A1
SU1359802A1 SU853861623A SU3861623A SU1359802A1 SU 1359802 A1 SU1359802 A1 SU 1359802A1 SU 853861623 A SU853861623 A SU 853861623A SU 3861623 A SU3861623 A SU 3861623A SU 1359802 A1 SU1359802 A1 SU 1359802A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
inputs
information
input
group
selector
Prior art date
Application number
SU853861623A
Other languages
English (en)
Inventor
Геннадий Александрович Бородин
Ирина Васильевна Суворова
Леонид Николаевич Паращук
Original Assignee
Московский энергетический институт
Предприятие П/Я М-5075
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московский энергетический институт, Предприятие П/Я М-5075 filed Critical Московский энергетический институт
Priority to SU853861623A priority Critical patent/SU1359802A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1359802A1 publication Critical patent/SU1359802A1/ru

Links

Landscapes

  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к вычислительной технике, в частности к запоминающим устройствам, и может быть использовано дл  хранени  слов различной длины. Целью изобретени   вл етс  повышение информационной емкости устройства. Поставленна  цель достигаетс  за счет введени  первого 8 и второго 9 коммутаторов и формировател  5 управл ющих сигналов. Устройство работает с пол ризованными и укороченными словами.2 ил. со ел ;О 00 Ю te. /

Description

Изобретение относитс  к вычисли- Т ельной технике, в частности к запоминающим устройствам, и может быть использовано дл  хранени  слов раз- личной длины.
Целью изобретени   вл етс  повышение информационной емкости устройства .
На фиг. 1 представлена структур- на  схема устройства; на фиг. 2 - реализаци  формировател  управл ющих сигналов.
Полупосто нное запоминающее устройство с перестраиваемой структурой содержит блок 1 пам ти, который имеет адресные входы первой 2 и второй 3 группы и входы 4 управлени , формирователь 5 управл ющих сигналов, первый 6 и второй 7 селекторы, пер- вЬй 8 и второй 9 коммутаторы, информационный выход 10 устройства, первьй управл ющий 11, второй управл ющий 12, адресный 13, выборки 14 входы. Формирователь 5 содержит элементы РШИ-НЕ 15-18.
Устройство работает следующим образом .
Режим работы с полноразр дными словами.
На вход 11 подают сигнал 1. Вследствие чего формирователь 5, вы- рабатьшает сигнал обращени  к обоим блокам пам ти одновременно. На входы 2 поступает адрес  чейки, к кото- рой производитс  обращение; На входы 4 поступает сигнал управлени  режимо записи-считывани . В режиме записи на вход 12 устанавливают 1, что означает, что полноразр дное слово, поступающее на вход 10 через коммутаторы 9 и 8 (часть разр дов через коммутатор 9, а часть через коммутатор 8), поступает на входы блока 1, причем с выхода коммутатора 8 они посту пают через селектор 7. В режиме считывани  на вход 12 подают О, что обеспечивает вьщачу информации через ко1чмутаторы 9 и 8 на входы-выходы, причем на входы коммутатора 9 инфор- маци  поступает через селектор 6. Режим работы с укороченными (в данном случае половинными) словами.
На вход 11 подают сигнал О. Дл : того, чтобы полностью использо- вать информационную емкость количество адресов увеличиваетс  вдвое, что осуществл етс  формирователем 5, который в зависимости от сигнала на шине 13 (О или 1) осуществл ет стробирование обращени  либо к одной либо к другой половине блока 1 пам ти . Информаци  через селектор .7 с од ной группы информационных шин распредел етс  на две группы дл  записи в одну и другую половины блока 1 пам ти .
При считывании информаци  посту- пает тодько через селектор 6 (с одной и другой групп входов), далее через коммутатор 9 на выход 10. Таким образом, при записи укороченных слов оставша с  часть разр дов используетс  дл  записи другого слова , т.е. количество слов увеличиваетс - .

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    Полуцосто нное запоминающее устройство , содержащее блок пам ти, информационные выходы которого соединены с входами первого селектора, информационные входы первой группы - с выходами второго селектора, управл ющие входы блока пам ти  вл ютс  группой управл ющих входов устройства , отличающеес  тем, что, с целью повышени  информационной емкости устройства, оно содержит первый и второй коммутаторы и формирователь управл ющих сигналов, пер- вьш информационный вход которого  вл етс  адресным входом устройства, а второй информационный вход соединен с управл ющим входом второго селектора , первым управл ющим входом первого коммутатора и  вл етс  информационным входом устройства, информационные выходы группы формировател  управл ющих сигналов соединены с входайи Обращение блока пам ти, один информационный выход формировател  управл ющих сигналов соединен с управл ющим входом первого селектора третий информационный вход формировател  управл ющих сигналов  вл етс  входом выборки устройства, выходы первого селектора соединены с входам первого группы второго коммутатора, выходы которого соединены с входами первой группы второго селектора и информационными входами второй группы блока пам ти, входы второй группы второго селектора соединены с выходами первого коммутатора, входы первой
    группы которого соединены с информа- ционными выходами блока пам ти, а входы второй группы соединены с входами второй группы второго коммутато-
    ра и  вл ютс  информационными выхода- дом устройства.
    13
    11
    Составитель л. Амусьева . Редактор Н. Слобод ник Техред Л. Сердюкова Корректор А. Ильин
    - - г j тт- И|1 -г-1 тп-г- пи, .-- .- - IL ИИ J- -Г -ПтУшж ц- ajL Ш МТ-М . . -.. . - --L - UM 1-Ш- - Ц-
    Заказ 6157/51 Тираж 588Подписное
    ВНИИПИ Государственного комитета СССР
    по делам наобретений и Открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска  наб., д. 4/5
    Производственно-полиграфическое предпри тие, г. Ужгород, ул. Шроектна , 4.
    ми устройства, управл ющий вход второго коммутатора соединен с вторым управл ющим входом второго коммутатора и  вл етс  вторым управл к цим вхо-- блону /JOMJtmul
    17
    КбЛОМу flOftJi f 18
    ,Улро /  ющий Вмло& (nff/tof yS)
    Фиг,2
SU853861623A 1985-02-28 1985-02-28 Полупосто нное запоминающее устройство SU1359802A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853861623A SU1359802A1 (ru) 1985-02-28 1985-02-28 Полупосто нное запоминающее устройство

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853861623A SU1359802A1 (ru) 1985-02-28 1985-02-28 Полупосто нное запоминающее устройство

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1359802A1 true SU1359802A1 (ru) 1987-12-15

Family

ID=21164977

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU853861623A SU1359802A1 (ru) 1985-02-28 1985-02-28 Полупосто нное запоминающее устройство

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1359802A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Шигин А.Г., Дерюгин А.А. Цифровые вычислительные машины (пам ть ЭВМ). М.: Энерги , 1976, с. 150, рис. 5.17, с. 161, рис.6.7. Авторское свидетельство СССР № 860136, кл. G 11 С 17/00, 1979. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR910003679A (ko) 빌트-인 테스트(built-in test) 회로를 갖는 반도체 기억 장치 및 테스트 방법
KR880000968A (ko) 반도체 기억장치
GB1438861A (en) Memory circuits
US4763302A (en) Alternatively addressed semiconductor memory array
JPS61160898A (ja) 半導体記憶装置
KR930022206A (ko) 비트라인 스위치 어레이를 가진 전자 컴퓨터 메모리
EP0121726A3 (en) Multi-port memory cell and system
JPS6427378A (en) Single dimensional linear picture image converter
JP4156706B2 (ja) 半導体記憶装置
EP0079219A2 (en) Semiconductor memory devices
US6584022B2 (en) Semiconductor memory device with simultaneous data line selection and shift redundancy selection
SU1359802A1 (ru) Полупосто нное запоминающее устройство
GB2097623A (en) Memory
KR940010085A (ko) 시리얼 액세스 메모리
EP0381940A1 (en) Register bank circuit
KR100228455B1 (ko) 반도체 메모리 회로
JPS54134934A (en) Semiconductor memory device
KR980011518A (ko) 용장 메모리 셀 어레이 및 직렬 액세스 어드레스가 있는 반도체 장치
EP0120485A2 (en) Memory system
SU1339558A1 (ru) Программное устройство управлени
SU1211870A1 (ru) Устройство коммутации
KR950010140B1 (ko) 반도체 기억 장치
SU1062787A1 (ru) Запоминающее устройство
SU1536443A1 (ru) Устройство дл подмены информации в посто нной пам ти
SU842956A1 (ru) Запоминающее устройство