SU1432001A1 - Способ получени чистого газообразного фтора - Google Patents
Способ получени чистого газообразного фтора Download PDFInfo
- Publication number
- SU1432001A1 SU1432001A1 SU864145869A SU4145869A SU1432001A1 SU 1432001 A1 SU1432001 A1 SU 1432001A1 SU 864145869 A SU864145869 A SU 864145869A SU 4145869 A SU4145869 A SU 4145869A SU 1432001 A1 SU1432001 A1 SU 1432001A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- fluorine
- manganese
- tetrafluoride
- producing pure
- gaseous fluorine
- Prior art date
Links
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 19
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 5
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims abstract 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims abstract 3
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 3
- ZQXCQTAELHSNAT-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-3-nitro-5-(trifluoromethyl)benzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC(Cl)=CC(C(F)(F)F)=C1 ZQXCQTAELHSNAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 claims 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 15
- 229910021572 Manganese(IV) fluoride Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- KWKYNMDHPVYLQQ-UHFFFAOYSA-J tetrafluoromanganese Chemical compound F[Mn](F)(F)F KWKYNMDHPVYLQQ-UHFFFAOYSA-J 0.000 abstract description 5
- 229910021571 Manganese(III) fluoride Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- SRVINXWCFNHIQZ-UHFFFAOYSA-K manganese(iii) fluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[Mn+3] SRVINXWCFNHIQZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 abstract description 4
- 238000000746 purification Methods 0.000 abstract 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910001506 inorganic fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к способам получени чистого газообразного фтора. Изобретение позвол ет повысить чистоту получаемого фтора. Технический фтор взаимодействует с три- фторидом марганца при температуре 450-650 С. Образующийс в результате взаимодействи газообразный при этих услови х тетрафторид марганца конденсируют при температуре ниже 70 с. Разложение тетрафторида провод т при температуре 70-300 С. Образующийс при этом трифторид марганца может быть вновь использован в процессе очистки фтора. 1 з.п. ф-лы. (Л
Description
Изобретение относитс к области технологии фтора, примен емого при получении неорганических фторидов и органических фторпроизводных.
Цель изобретени - повышение чистоты получаемого фтора.
Пример 1, В реактор, имеющий две зоны с температурой 450 и 25 С, в гор чую зону помещают навеску трифтприда марганца массой 5 г и при атмосферном давлении подают технический фтор, содержащий 85 об.% Fj, 10 об.% HF и примеси кислорода, азота, СО и др. Через 30 мин из хо- лодной зоны реактора извлекают 4,7 г тетрафторида марганца. Тетрафторид марганца вакуумиру}от при О С в течение 10 мин, после чего нагревают до . В результате получают 0,2 г фтора. Чистота получаемого фтора, измеренна с точностью 0,01% по результатам трех анализов, составила 99,98, 99,98; 99,97%.
Пример 2.В реактор с температурами зон 500 и в гор чую зону помещают 8 г трифторида марганца и подают технический фтор того же состава, как и в npi-iMepe 1. Через 20 мин из холодной зоны реактора извлекают 7,6 г тетрафторида марганца Тетрафторид марганца вакуумируют при 0°С в течение 10 мин, после чего нагревают до 180°С. В результате полу- .чают 0,89 г фтора. Чистота фтора по результатам трех анализов составила .99,96; 99,97; 99,97%.
Пример 3. В реактьр с температурами зон 650 и в гор чую зону помещают 10 г трифторида марганца и подают технический фтор того же состава, как и в примере 1. Через 15 мин из холодной зоны реактора извлекают 9,5 г тетрафторида марганца, Тетрафторид марганца вакуумируют при в течение 10 мин, после чего нагревают до . В результате получают 1,37 г фтора. Чистота полученного фтора по данным трех анализов составила 99,95, 99,95V 99,94%.
Предлагаемый способ позвол ет повысить чистоту получаемого фтора до 99,98% по сравнению с известным (99,90%).
15
Claims (2)
1.Способ получени чистого газообразного фтора,включающий взаимодействие технического фтора с фторидами металлов при нагревании с последующим разложением образовавшихс выс- щих фторидов при нагревании, о т - ли чающийс тем, что, с целью повышени чистоты газообразного фтора, в качестве фторида металла используют трифторид марганца, образующийс Тетрафторид конденсируют при температуре ниже , а разложение ведут при ВО-ЗОО С.
2.Способ по П.1, о т л и ч а ю- щ и и с тем, что взаимодействие провод т при 450-.650 С.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU864145869A SU1432001A1 (ru) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | Способ получени чистого газообразного фтора |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU864145869A SU1432001A1 (ru) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | Способ получени чистого газообразного фтора |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1432001A1 true SU1432001A1 (ru) | 1988-10-23 |
Family
ID=21267051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU864145869A SU1432001A1 (ru) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | Способ получени чистого газообразного фтора |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1432001A1 (ru) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004056700A1 (fr) * | 2002-12-20 | 2004-07-08 | Zakrytoye Aktsionernoye Obschestvo 'astor Electronics' | Procede de production de fluor |
| US7524480B2 (en) | 2004-09-10 | 2009-04-28 | Show A Denko K.K. | Process for producing manganese fluoride |
| US7572428B2 (en) | 2004-09-24 | 2009-08-11 | Showa Denko K.K. | Process for producing fluorine gas |
| RU2372291C2 (ru) * | 2004-09-23 | 2009-11-10 | Сёва Дэнко К.К. | Способ получения тетрафторида марганца |
-
1986
- 1986-11-12 SU SU864145869A patent/SU1432001A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Патент CHIA № 3989808, кл. С 01 В 7/20, 1976. * |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004056700A1 (fr) * | 2002-12-20 | 2004-07-08 | Zakrytoye Aktsionernoye Obschestvo 'astor Electronics' | Procede de production de fluor |
| US7524480B2 (en) | 2004-09-10 | 2009-04-28 | Show A Denko K.K. | Process for producing manganese fluoride |
| RU2359916C2 (ru) * | 2004-09-10 | 2009-06-27 | Шоува Денко К.К. | Способ получения фторида марганца |
| RU2372291C2 (ru) * | 2004-09-23 | 2009-11-10 | Сёва Дэнко К.К. | Способ получения тетрафторида марганца |
| US7572428B2 (en) | 2004-09-24 | 2009-08-11 | Showa Denko K.K. | Process for producing fluorine gas |
| TWI385121B (zh) * | 2004-09-24 | 2013-02-11 | Showa Denko Kk | Production method of fluorine gas |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3616648B2 (ja) | 高純度の弗化水素を製造する方法 | |
| US4032621A (en) | Preparation of hydrogen fluoride with low levels of arsenic, iron and sulfite | |
| EP0543009A4 (en) | METHOD FOR PURIFYING GASEOUS NITROGEN TRIFLUORIDE. | |
| Schack et al. | Chlorine monofluoride. Reactions with sulfur oxides | |
| US4083941A (en) | Purification of anhydrous hydrogen fluoride | |
| US4515762A (en) | Process for processing waste gases resulting during the production of silicon | |
| US3467493A (en) | Method for removal of impurities in rare gases | |
| SU1432001A1 (ru) | Способ получени чистого газообразного фтора | |
| SU1519762A1 (ru) | Способ получени смеси хлористоводородной и фтористоводородной кислот из отход щих газов | |
| FR2404619A1 (fr) | Procede de separation de methacroleine et/ou d'acide methacrylique a partir de solutions aqueuses les contenant | |
| EP0370480B1 (en) | Process for the production of high purity zirconium tetrafluoride and other fluorides | |
| US4008130A (en) | Method for distilling a ternary azeotrope of fluorosilicic acid, hydrogen fluoride and water | |
| Paulik et al. | Investigation on the thermal behaviour of Mg (NO 3) 2· 6H 2 O I. The decomposition behaviour | |
| US3053637A (en) | Production of pure phosphorus | |
| Pastor et al. | Crystal growth of alkaline earth fluorides in a reactive atmosphere. Part II | |
| US3996029A (en) | Purification of gases containing hydrogen fluoride impurity | |
| US3084025A (en) | Process for preparing chlorodi-fluoromaine | |
| US2999736A (en) | High purity silicon | |
| US4125596A (en) | Method of producing sulphuric acid | |
| US4528080A (en) | Photochemical method for the separation of mixtures of xenon and krypton | |
| US3341293A (en) | Preparation of fluoro compounds | |
| Borning et al. | Simple preparation of oxygen difluoride in high yield | |
| Trau | Preparation of the vanadium oxide V6O13 | |
| US3109711A (en) | Method of preparing difluorodiazine | |
| GB1263505A (en) | Process for the production of substantially impurity-free high percent hydrofluoric acid |