SU1547054A2 - Транзисторный ключ - Google Patents

Транзисторный ключ Download PDF

Info

Publication number
SU1547054A2
SU1547054A2 SU884366424A SU4366424A SU1547054A2 SU 1547054 A2 SU1547054 A2 SU 1547054A2 SU 884366424 A SU884366424 A SU 884366424A SU 4366424 A SU4366424 A SU 4366424A SU 1547054 A2 SU1547054 A2 SU 1547054A2
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
power
voltage
resistors
resistor
Prior art date
Application number
SU884366424A
Other languages
English (en)
Inventor
Михаил Всеволодович Семенов
Юрий Евгеньевич Семенов
Сергей Александрович Харитонов
Геннадий Константинович Бессонов
Original Assignee
Новосибирский электротехнический институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Новосибирский электротехнический институт filed Critical Новосибирский электротехнический институт
Priority to SU884366424A priority Critical patent/SU1547054A2/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1547054A2 publication Critical patent/SU1547054A2/ru

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к электротехнике, а именно к электронным устройствам управлени  элементами автоматических систем и вторичных источников питани . Силовой выходной транзистор содержит катод 3 обратной св зи, резистивный шунт 4, входной транзистор 6, шунтирующие резисторы 7, 10, токостабилизирующие транзисторы 9, 8, 11, резисторы 12, 13, 16, 17, 18, 22, источник 14 питани , токоограничительный диод 15, управл ющий вход 19, полевой транзистор 20, конденсатор 21. Введение силового полевого транзистора 23, резисторов 24, 25 и конденсатора 26 позвол ет ускорить включение силового выходного транзистора, а также ускорить и его выключение, что приводит к общему повышению быстродействи  транзисторного ключа. 1 ил.

Description

Изобретение относитс  к электротехнике , а именно к электронным устройствам управлени  элементами автоматических систем и вторичных источников питани .
Цель изобретени  повышение бьет- родействи  транзисторного ключа.
Па чертеже изображена электрическа  схема транзисторного ключа.
Транзисторный ключ содержит выходной силовой транзистор 1, выходную клемму 2, коллектор транзистора 1 соединен с катодом диода 3 обратной св зи, а эмиттер транзистора 1 «ерез резистор 4 соединен с минусовой шиной источника литани  и выходной клеммой 5, База силового выходного транзистора 1 соединена с эмиттером входного транзистора 6 л через первый резистор 7 - с минусовой шиной источника питани . База транзистора 6 соединена с анодом диода 3 обратной св зи, коллекторами тотсостабили- зирующих транзисторов 8 и 9 и через второй резистор 19 -с минусовой шиной источника питани . Эмиттер транзистора 8 соединен с базой тргнзис- тора 11 и базой- транзистора 9, база- эмиттерный переход которого шунтирован резистором 2f а эмиттер т-ереч резистор 13 соединен с плюсовой шиной источника питани  14 и через токоог- раничительный диод 35 - с коллектором транзистора 6, в цепи питани  которо го включен резистивный делитель, состо щий из резисторов 16 и 17, точка соединени  которых подключена к эмиттеру транзистора 1I, коллектоо которого соединен с базой транзистора 8 и через резистор 18 - с управл ющим входом 19. Сток полевого транзистора 20 с р-п-перехэдом соединен с базой силового выходного транзистора ,,затвор через конденсатор 21 соединен с входом 19 управлени  и через резистор 22 - с истоком и минусовой шиной источника питани . Исток силового полевого транзистора 23 соединен с коллектором силового выходного транзистора 1, сток его соединен с выходной клеммой 2S а затвор через резистор 24 - с резистором 25, которые посгглю чеи к плюсовой шине 14 питани , и конденсатором 26,который подключен к минусовой шине 27 питани .
Транзисторный ключ работает следующим образом.
При наличии сигнала логической 1
Г
0
0
5
0
5
н  входе 19 силовой транзистор закрыт . При этом дополнительный конденсатор 26 зар жен до величины напр жени  источника питани . Этот же потенциал приложен к затвору силового полевого транзистора 23. Так как исто- кова  цепь оборвана, а к стоку приложено полное напр жение нагрузки, то на истоке устанавливаетс  напр жение отсечки силового полевого транзистора
23и он закрыт. При подаче на вход 19 логического О силовой транзистор открываетс , при этом к истоку транзистора 23 прикладываетс  остаточное напр жение с коллектора, силового транзистора 1, которое меньше, чем напр жение на конденсаторе 26. Под действием этого напр жени  р-п--пере- ход полевого транзистора 23 смешаетс  в пр мом направлении и через него протекает ток„ определ емый величиной резистора 24. Силовой полевой транзистор 23 открываетс  и его емкость сток-затвор через открывшийс  канал сток-исток разр жаетс .
Ток разр да протекает через резистор 24 и конденсатор 26, разр жа  его. Выбира  величину вспомогательного конденсатора такой, чтобы напр жение на нем после разр да совпало с напр жением делител  на резисторах
24и 25 в установившемс  режиме, можно добитьс  минимального времени переходного процесса включени ,т.е. готовности силового транзисторного ключа .к выключению. Так как ток через резисторы 24 и 25 в установившемс  режиме много меньше тока нагрузки, то он не оказывает вли ни  на работу . схемы управлени  силовым транзистором J , а малое выходное сопротивление силового полевого транзистора 23 улучшает устойчивость ее работы.
о При наличии сигнала логической 1
(U
Ув{
ипиг) на входе 19 транзисторы
0
5 л
8 и 9 закрыты, транзистор 6 также закрыт , следовательно, закрыт и силовой транзистор 1, Потребление тока по цепи питани  отсутствует, что позвол ет использовать транзисторный ключ в режимах плавного нарастани  напр жени  питани .
При подаче на вход 19 логического О ( 0) по цепи базы транзистора 8 через резистор 18 протекает ток. Падение напр жени  на резисторах 12 и 13 от эмиттерного тока транзистора 8 открывает транзистор 11, замыкаетс  отрицательна  обратна  св зь и транзистор 8 выходит на режим стабилизации тока, так как при увеличении тока эмиттера транзистора 8 увеличиваетс  падение напр жени  на резисторах 12 и 13, что вызывает дополнительное открывание транзистора 1 1 , который уменьшает ток базы транзистора 8. Под действием тока коллектора транзистора 8 на резисторе 10 по вл етс  падение напр жени , которое открывает транзистор 6. Падение напр жени  на резисторе 16 от тока коллектора транзистора 6 уменьшает ток коллектора транзистора 11,. при этом транзистор 8 дополнительно открываетс  и падение напр жени  на резисторе 12 увеличиваетс , что еще больше открывает транзистор 9 и, как следствие, транзистор 6. Процесс увеличени  тока коллектора транзистора 9, а следовательно, и транзистора 6 будет продолжатьс  до тех пор, пока не откроетс  диод 3, что произойдет при условии, что напр жение на коллекторе силового транзистора 1 будет меньше напр жени  на базе транзистора 6 на величину падени  напр жени  на диоде 3, после чего увеличение то ка коллектора транзистора 9 не будет вызывать увеличение тока транзистора 6. Схема придет к установившемус  режиму
В случае, если диод 3 не откроетс , то при достижении максимального тока коллектора транзистора 6, напр жение на резисторе 17 станет больше, чем напр жение на диоде J5, диод Л 5 откроетс  и дальнейшее увеличение тока коллектора транзистора 9 прекратитс . Схема придет к другому установившемус  режиму.
С приходом на вход 19 сигнала логической 1 закрываютс  транзисторы 8% 9 и 6, силовой транзистор 1 запираетс , цепь истока силового полевог
470546
транзистора 23 обрываетс , он запираетс , а вспомогательный конденсатор 26 током зар да емкости сток-затвор транзистора 23 зар жаетс  до исходного значени  напр жени .
Так как напр жение отсечки силового полевого транзистора 23 много меньше напр жени  нагрузки (напр жени  на
JQ стоке транзистора 23), а к силовому транзистору 1 прикладываетс  только это напр жение, то по вл етс  возможность выбрать его более низковольтным , а следовательно, более быстроJ5 действующим. Так как быстродействие транзисторного ключа определ ет быстродействие именно бипол рного силового транзистора, то по вл етс  возможность увеличить быстродействие всего
20 транзисторного ключа.
Кроме того, наличие пр мого тока через p-n-переход силового полевого транзистора уменьшаетс  (по сравнению со схемой с заземленным затвором)
25 сопротивление канала сток-исток, что приводит к уменьшению остаточного падени  напр жени  на ключе в целом.
Фор-мула изобретени 
Транзисторный ключ по авт. св. № 1476604, о.тлич ающийс   тем, что, с целью повышени  быстродействи , в него введены силовой полевой транзистор с p-n-переходом, дополнительный конденсатор, п тый и шестой резисторы, причем исток силового полевого транзистора соединен t с коллектором выходного силового транзистора, затвор через ьп тый резистор соединен с первыми выводами шестого резистора и дополнительного конденсатора, вторые выводы которых соединены соответственно с плюсовой и минусовой шинами источника питани , а сток силового полевого транзистора соединен с выходом транзисторного ключа.

Claims (1)

  1. Транзисторный ключ по авт. св. № 1476604, о.тл ич ающ ий с я тем, что, с целью повышения быстродействия, в него введены силовой по35 левой транзистор с р-п-переходом, дополнительный конденсатор, пятый и шестой резисторы, причем исток силового полевого транзистора соединен ι ‘ с коллектором выходного силового транзистора, затвор через ьпятый резистор соединен с первыми выводами шестого резистора и дополнительного конденсатора, вторые выводы которых соединены соответственно с плюсовой
    45 и минусовой шинами источника питания, а сток силового полевого транзистора соединен с выходом транзисторного ключа.
SU884366424A 1988-01-20 1988-01-20 Транзисторный ключ SU1547054A2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884366424A SU1547054A2 (ru) 1988-01-20 1988-01-20 Транзисторный ключ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884366424A SU1547054A2 (ru) 1988-01-20 1988-01-20 Транзисторный ключ

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1476604 Addition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1547054A2 true SU1547054A2 (ru) 1990-02-28

Family

ID=21350846

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU884366424A SU1547054A2 (ru) 1988-01-20 1988-01-20 Транзисторный ключ

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1547054A2 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 1476604, кл. Н 03 К 17/60,30.09.87. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900006046B1 (ko) 도전변조형 mosfet의 과전류보호회로
US5432471A (en) Insulated gate semiconductor device
US4500801A (en) Self-powered nonregenerative fast gate turn-off FET
US6236122B1 (en) Load drive device
US5001373A (en) Active clamp circuit with immunity to zener diode microplasmic noise
US20080094120A1 (en) Driving circuit for an emitter-switching configuration
EP0677925B1 (en) Three-terminal insulated-gate power electronic device with a variable-slope saturated output characteristic depending in a discontinuous way on the output current
US5010439A (en) Control circuit for the clamping voltage of an inductive load driven by a power device in a high side driver configuration
US4740722A (en) Composite semiconductor device
US5475333A (en) Built-in drive power-source semiconductor device
US4768142A (en) Power-supply circuit
US5914619A (en) Trigger circuit for a power fet having a source-side load
US6466060B2 (en) Switching device with separated driving signal input and driving circuit of the same
US5506478A (en) AC ignition system with optimized electronic circuit
US5889390A (en) Circuit arrangement for converting a DC voltage into another DC voltage with simultaneous regulation of the emittable voltage at a predetermined value
US4902921A (en) Drive circuit for driving cascode bipolar-MOS circuit
SU1547054A2 (ru) Транзисторный ключ
JPH051652B2 (ru)
US4701631A (en) Monolithically integrated control circuit for the switching of transistors
RU2035841C1 (ru) Транзисторный ключ с защитой от перегрузки
JP3066754B2 (ja) ゲート駆動回路
SU1550616A2 (ru) Транзисторный ключ
JPS61261919A (ja) 導電変調型mosfetの過電流保護回路
KR200176401Y1 (ko) 캐패시터 돌입 전류방지 회로
KR100443886B1 (ko) 램프 구동 장치