SU222104A1 - Способ электролитического осаждения индия - Google Patents

Description

Известный способ электролитического осаждени  инди  из хлоридных электролитов имеет тот недостаток, что осадки инди  склонны к дендритообразованию.

По предложенному способу электролитического осаждени  инди  дл  получени  мелкокристаллических плотных и равномерных осадков в электролит ввод т

тиомочевину, фенилтиомочевину и желатииу при следующем соотношении компонентов (в г/л): хлористый индий83

58

хлористый натрий

0,4-0,6 тиомочевина фенилтиомочевина 0,4-0,6 1,5-2 желатина

Процесс ведут при

температуре 25°С и плотности тока 150 а/м.

Осадки инди , полученные из предложенного электролита при многосуточном электролизе , плотные и очень равномерные.

Введение тиомочевины, фенилтиомочевины и желатины возможно не только при гальваническом нанесении покрытий индием, но и при электролитическом рафинировании инди .

Эффективность действи  указанных добавок сохран етс  при плотности тока до 200 й/.и2. Дальнейшее повышение плотности тока возможно лишь прн интенсивном перемешивании раствора.

Предмет изобретени 

Способ электролитического осаждени  инди  из электролита на основе хлористого инди  и хлористого натри , отличающийс  тем, что, с целью получени  мелкокристаллических плотных и равномерных осадков, в электролит ввод т тиомочевину, фенилтиомочевину и л елатину при следующем соотношении комнонентов (в г/л):

хлористый индий83

хлористый натрий58

тиомочевина0,4-0,6

фенилтиомочевина0,4-0,6

желатина1,5-2

и процесс ведут при температуре 25°С и DK 150 а/м-.