SU293765A1 - Шихта для выращивания ферритовых монокристаллов на основе иттриевого феррограната - Google Patents

Шихта для выращивания ферритовых монокристаллов на основе иттриевого феррограната

Info

Publication number
SU293765A1
SU293765A1 SU1340702A SU1340702A SU293765A1 SU 293765 A1 SU293765 A1 SU 293765A1 SU 1340702 A SU1340702 A SU 1340702A SU 1340702 A SU1340702 A SU 1340702A SU 293765 A1 SU293765 A1 SU 293765A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
charge
ferrogranate
ittria
cultivation
single crystals
Prior art date
Application number
SU1340702A
Other languages
English (en)
Original Assignee
А. Г. Титова, Ю. М. Яковлев, В. И. Мосель , Б. М. Лебедь
Publication of SU293765A1 publication Critical patent/SU293765A1/ru

Links

Description

Изобретение относитс  к материалам Дли выращивани  ферритовых монокрнсталлов состава VxGdxFe5-yAlyOi2.
Известна шихта дл  выращивани  ферритовых монокристаллов на основе иттриевого феррограната, в которой исходные компоненты берут в следующих отноигени х, вес. %:
УгОз8,28
РезОз16,10
РЬО30,68
РЬР244,94
Кристаллы имеют намагниченность насыщени  1750 гс, котора  мен етс  в иитервале температур от минус 100 до плюс 100°С в пределах от 2100 до 1400 гс, т. е. па 30%. Известный состав имеет большую величину намагничениост1 насып ени  и ннзкую термостабильность 1получаемых кристаллов.
С пслью иолучени  монокристаллов состава Y2,5Gdo,5Fe/,,iAlo,9Oi2 с малой величиной намагниченности насыщени  (300±30 гс) и высокой термостабильностью (±5%), ачомпоненты исходной щихты берут в следующих отношени х , вес. %:
4,50-4,90
36,56-35,83
РЬО PbFn 45,56-45,13
Пример. Исходные компоненты 36,6 г УгО.з, 6,54 г Gd2Oo, 90,40 г FjOs, 11,20 г А1 (ОН)з. 281,20 г РЬО и 353,0 г PbFo перемешивают путем виброномола и загружают в платиновый тигель емкостью 250 си;, который закрывают платиновой крьпнкой н номещают в печь дл  выращивани  монокристаллов. Процесс ПО следующему режиму: нагрев до 1300°С, выдержка при этой те.мпературе 15 час и охлаждение с 1300 до 1260°С со скоростью 3°С/;ос, с 1260 до 960°С со скоростью 0,5- 1°С/(аг, а затем охлаждение вместе с выключенной печью. Компоненты в расплаве перемешнвают нутем реверсивного вращени  тигл  со скоростью 10-15 об/мин при 1300°С и нри охлаждении от 1200 до 960°G. Кристаллы извлекают путем кип чени  содержимого тигл  Б .водном растворе азотной кислоты. Полученные кристаллы состава Y2,r)Gdo..iIe.,.Alo.;iOi2 имеют намагниченность насыщени  300 гс, при этом изменение намагниченности насын1ени  в инте)вале температур от минус 150 до плюс 90°С составл ют менее 5%.
Предмет изобретени  3 та путем 1кристаллизации из раствора в расплаве РЬО-РЬРг, отличающа с  тем, что, с целью получени  монокристаллов состава Y2,5Gdo,5Fe4,iAlo,90i2 с малой величиной намагниченности пасып епи  (300±30 гс) и высо-5 кой термостабильностью (±5%), компоненты исходной шихты берут в следующих отношеПИЯХ , вес. %: 2Q3765 4 YjOa4,50-4,90 Gd2O30,80-0,86 Fe О 11201180 i л  A unjal,,4 РЬО36,56-35,83 PbFg45,56-45,13
SU1340702A Шихта для выращивания ферритовых монокристаллов на основе иттриевого феррограната SU293765A1 (ru)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU293765A1 true SU293765A1 (ru)

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Meier et al. Optimization of the crystal growth of the superconductor CaKFe 4 As 4 from solution in the FeAs-CaFe 2 As 2-KFe 2 As 2 system
KR101451995B1 (ko) 액상 성장법에 의한 ZnO 단결정의 제조방법
JP2002293693A (ja) テルビウム・アルミニウム・ガーネット単結晶及びその製造方法
US4793894A (en) Process for crystal growth from solution
SU293765A1 (ru) Шихта для выращивания ферритовых монокристаллов на основе иттриевого феррограната
US7947192B2 (en) Gallate single crystal, process for producing the same, piezoelectric device for high-temperature use and piezoelectric sensor for high-temperature use
Burianek et al. Crystal growth of boron sillenite Bi24B2O39
SU253953A1 (ru) Шихта для выращивания ферритовых монокристаллов
US3939252A (en) Dilithium heptamolybdotetragadolinate
Fujita et al. High temperature form of Pb2WO5 and transformation phenomena to its low form
Uecker et al. Growth conditions and composition of SrPrGaO4 single crystals
RU1816813C (ru) Способ получени монокристаллов ортосиликата кали и свинца
CN103305916A (zh) 一种Ho掺杂LaVO4发光材料及其熔体法晶体生长方法
RU96113676A (ru) Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката
CN103305913A (zh) 一种Tm掺杂ScVO4发光材料及其熔体法晶体生长方法
SU397477A1 (ru) ШИХТА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГЕКСАФЕРРИТА BaaMgaFeioOzs
CN113862786B (zh) 一种钒铌酸铽钇磁光晶体及其制备方法
Brower et al. Growth of CaTiSiO5 by the Czochralski method
Wanklyn et al. Control of spontaneous nucleation in flux growth
CS221217B1 (cs) Způsob přípravy suroviny pro pěstování monokrystalů granátů
SU1059029A1 (ru) Способ получени монокристаллов @ из раствора-расплава
JPH0793212B2 (ja) 酸化物ガーネット単結晶
RU2732513C1 (ru) Способ выращивания кристалла из испаряющегося раствор-расплава
SU932853A1 (ru) Способ получени фторфосфата двухвалентного европи
JPH05148090A (ja) βメタホウ酸バリウム単結晶の製造方法