SU311432A1 - УСТРОЙСТВО дл ЭЛЕКТРОННОЛУЧЕВОЙ ОБРАБОТКИ МАТЕРИАЛОВ В ВАКУУМЕ - Google Patents

УСТРОЙСТВО дл ЭЛЕКТРОННОЛУЧЕВОЙ ОБРАБОТКИ МАТЕРИАЛОВ В ВАКУУМЕ

Info

Publication number
SU311432A1
SU311432A1 SU1101827A SU1101827A SU311432A1 SU 311432 A1 SU311432 A1 SU 311432A1 SU 1101827 A SU1101827 A SU 1101827A SU 1101827 A SU1101827 A SU 1101827A SU 311432 A1 SU311432 A1 SU 311432A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
cathode
vacuum
materials
beam treatment
electronic beam
Prior art date
Application number
SU1101827A
Other languages
English (en)
Other versions
SU311431A1 (ru
Original Assignee
В. Н. Щепетов
Экспериментальный научно исследовательский институт лтрггл металлорежущих станков
Publication of SU311432A1 publication Critical patent/SU311432A1/ru
Publication of SU311431A1 publication Critical patent/SU311431A1/ru

Links

Description

Изобретение относитс  к устройствам дл  электроннолучевой обработки материалов.
Целью изобретени   вл етс  улучшение технологии производства деталей с большим количеством отверстий малого диаметра (сит, решеток, охлаждающ.их рубашек и пр.) и увеличение производительности за счет того , что данное устройство позвол ет проводить одновременно прошивку серии отверстий.
На фиг. 1 изображена блок-схема описываемого устройства; на фиг. 2 - термокатод дл  эмиттировани  25 пучков электронов; на фиг. 3 - схема питани ; на фиг. 4 - схема возбуждени  импульсов.
Устройство состоит из многолучевой электронной пушки, включаюш,ей в себ  термокатод /, фокусируюш,ий электрод 2, анод 3 и изолируемую крепежную стойку 4, импульсного генератора 5, координатного стола 6, обрабатываемой детали 7, вакуумной камеры 8, окна 9 и оптического устройства 10 дл  наблюдени  за процессом.
Термокатод выполнен в виде пластины 11 с ш,ел ми 12, наличие которых позвол ет концентрировать токи на участках 13, эмиттирующих электроны. На чертеже тонкими лини ми показаны пути токов, густота которых пропорциональна их плотности. В местах пересечени  токов толш,ина пластины из-за полукруглой выемки (см. фиг. 1) уменьшена и.
M,ivte iMX: -aLtt3 :iS .-./. Л
как следствие этого, термокатод одновременно эмиттирует электроны отдельными малыми участками.
Электроны, вылетевшие с термокатода, ускор ютс  и фокусируютс  в электростатическом поле электронной пушки и направл ютс  на деталь. Регулированием напр жени  на фокусируюшем электроде фокусы пучков приближаютс  к обрабатываемой поверхности детали и тем самым достигаетс  необхо0 дима  дл  обработки плотность мощности.
Перемещение обрабатываемой детали по горизонтали и вертикали осуществл етс  координатным столом 6 (см. фиг. 1).
Электронна  пушка питаетс  знакоперемен5 ными импульсами, что позвол ет уменьшить ионную бомбардировку электродов и увеличить срок их службы. Дл  исключени  вли ни  на фокусировку магнитных полей, созда0 ваемых токами, пагревающимн термокатод, эти токи пропускаютс  лишь тогда, когда на аноде электронной пушки отрицательное напр жение . Это достигаетс  при помощи соответствующей схемы питани  (см. фиг. 3), согласно которой анод, фокусирующий электрод и катод, присоединены к началу, отводу и концу первой вторичной обмотки 14 многообмоточного выходного трансформатора 15 импульсного генератора, а втора  и треть  вторичные обмотки 16 и 17 присоединены через вентили 18 н 19 к взаимно перпендикул рным парам краев катода 20 таким образом, что линии взаимно перпендикул рных токов, создаваемых второй и третьей обмотками в эмиттирующих участках катода, проход т в полупериоды нерабочей (отрицательной) пол рности напр жени  на первой вторичной обмотке. Знакопеременные импульсы возбуждаютс  при помощи тиратрона (вместо тиратрона можно использовать лампы или полупроводниковые приборы) 21 (см. фиг. 4), управл емого от задающего генератора 22. При открывании тиратрона зар женные через дроссели 23-26 конденсаторы 27-30 разр жаютс  через выходной трансформатор 31 и возбуждают необходимые импульсы напр жени  на электродах пушки 32. Обратна  полуволна импульса главным образом используетс  через выпр мители 33 и 34 дл  нагрева катода 55. . Предмет изобретени  1. Устройство дл  электроннолучевой обработки материалов в вакууме, содержащее анод, фокусирующий электрод и катод, отли. чающеес  тем, что, с целью создани  дискретных пучков электронов, пластинчатый катод выполнен с повышенным нагревом в р де участков , расположенных против совпадающих отверстий фокусирующего электрода и анода. 2. Устройство по п. 1, отличающеес  тем, что, с целью повышени  стабильности процесса обработки и улучшени  фокусировки пучков , анод, фокусирующий электрод и катод присоединены к началу, отводу и концу одной вторичной обмотки многообмоточного выходного трансформатора импульсного генератора, а втора  и треть  вторичные обмотки через вентили присоединены к взаимно перпендикул рным парам краев катода таким образом, что линии взаимно перпендикул рных токов, создаваемых второй и третьей обмотками в эмиттирующих участках катода, проход т в полупериоды нерабочей (отрицательной) пол рности напр жени  на первой вторичной обмотке.
Pui. t
SU1101827A УСТРОЙСТВО дл ЭЛЕКТРОННОЛУЧЕВОЙ ОБРАБОТКИ МАТЕРИАЛОВ В ВАКУУМЕ SU311432A1 (ru)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
SU311432A1 true SU311432A1 (ru)
SU311431A1 SU311431A1 (ru)

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI878841B (zh) 提供正弦射頻波形的系統與方法
JP4611993B2 (ja) 電子銃のための窓を形成する集束アノードを有する電子銃、ならびに照射および滅菌への該銃の応用
RU2621323C2 (ru) Плазменный источник и способ генерирования лучей заряженных частиц
CN104108053B (zh) 大型复杂金属表面等离子体与脉冲放电复合抛光加工方法
CN103774111B (zh) 一种实现高功率脉冲和大电流磁控溅射镀膜功能的电路设备及控制方法
KR20140108258A (ko) 작업물 프로세싱 동안의 전하 중성화를 위한 장치 및 방법
KR20210133143A (ko) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
KR20220045893A (ko) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
JP2025157531A5 (ja) プラズマ処理装置及び基板支持器
SU311432A1 (ru) УСТРОЙСТВО дл ЭЛЕКТРОННОЛУЧЕВОЙ ОБРАБОТКИ МАТЕРИАЛОВ В ВАКУУМЕ
JPH02156081A (ja) スパッタ装置
KR20220079664A (ko) 플라즈마 캐소드를 사용하는 전자 빔 용접 시스템
US3141975A (en) Pulsed neutron generator with high vacuum and control grid between ion source and target
US11955324B2 (en) High power pulse systems for surface processing
US7094706B2 (en) Device and method for etching a substrate by using an inductively coupled plasma
Gugin et al. Semiconductor power supply for capacitance copper bromide active filters
US3504152A (en) Method for high-frequency electric-impulse metal finishing and an apparatus for accomplishing the same
JPS62216637A (ja) プラズマ処理装置
JPH0447422B2 (ru)
JP2004006109A (ja) イオンビーム処理装置
US4912738A (en) Magnetically energized pulser
US5048068A (en) Magnetically operated pulser
US12488978B2 (en) Digital linear ion trap and method for operating the same
JPS6298542A (ja) イオン源
JP2018128571A (ja) パルス電源装置