SU364962A1 - Запоминающее устройство - Google Patents
Запоминающее устройствоInfo
- Publication number
- SU364962A1 SU364962A1 SU1499645A SU1499645A SU364962A1 SU 364962 A1 SU364962 A1 SU 364962A1 SU 1499645 A SU1499645 A SU 1499645A SU 1499645 A SU1499645 A SU 1499645A SU 364962 A1 SU364962 A1 SU 364962A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- output
- electrodes
- bus
- input
- additional
- Prior art date
Links
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000036039 immunity Effects 0.000 description 1
- 230000006386 memory function Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Reciprocating Pumps (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Description
1
Известно запоминающее устройство, содержащее широкополосные сегнетоэлектрические пьезотрансформаторы, входные электроды которых подключены к соответствующим числовым шинам первой группы, подсоединенным к выходам формирователей возбуждени . Экранирующие электроды подключены к соответствующим числовым щипам второй группы , св занным через ключи с щиной нулевого потенциала, а выходные электроды подключены к соответствующим разр дным щинам, один конец каждой из которых подсоединен к выходу соответствующего формировател записи пр мого кода, другой - к первому входу соответствующего усилител считывани .
Недостатками известного запоминающего устройства вл ютс низка помехозащищенность и снижение надежности при увеличении объема пам ти.
Описываемое запоминающее устройство отличаетс от известного тем, что оно содержит в каждом разр де дополнительную разр дную щину, подключенную к дополнительным выходным электродам соответствующих пьезотрансформаторов . Один конец щины подключен к выходу соответствующего формировател записи обратного кода, а другой - ко второму входу соответствующего усилител считывани .
Это позвол ет повысить надежность работы устройства.
На чертеже изображено запоминающее устройство .
Устройство содержит сегнетоэлектрические щирокополосные пьезотрансформаторы /, которые вл ютс запоминающими элементами. Онп представл ют собой монолитную конструкцию , состо щую из пьезокерамических
пластин, акустически св занных между собой через экранирующие электроды 2. Пластина 3 вл етс пластиной возбуждени пьезотрансформатора . Пластина 4 - генераторна и выполн ет функции запоминани . На ее
верхнюю поверхность нанесены основной 5 и дополнительный 6 выходные металлические электрод,ы. Входной электрод 7 нанесен на нижнюю поверхность пластины возбуждени 3. Входные электроды объединены в числовые
шины S первой группы, которые соединены с выходами формирователей возбуждени 9. Клеммы 10 вл ютс управл ющими входами этих формирователей. Экранирующие электроды 2 объединены по адресам в числовые
шины // второй группы, которые подсоединены к ключам 12. Ключи 12 вл ютс одновременно и формировател ми сигналов стирани . Клемма 13 используетс в качестве управл ющего входа. Основные выходные электроды
5 объединены в разр дные шины 14, подключенные к выходам формирователей записи пр мого кода 15 (в которых клемма 16 вл етс управл ющим входом) и соединенные с одним входом усилителей считывани 17. Дополнительные выходные электроды 6 объединены в дополнительные разр дные шины 18, подключенные к выходам формирователей записи 19 обратного кода (клемма 20 в которых вл етс управл ющим входом) и соединенные со вторым входом усилителей считывани 17. Ключи 12 подсоединены к шине нулевого потенциала 21.
Устройство работает следующим образом.
Запись информации производитс после перевода всех запоминающих элементов данного адреса в состо ние «О. В режиме записи информации по данному адресу выбранна дешифратором адреса шина 11 подключаетс через соответствующий ключ 12 к шине нулевого потенциала 21 (остальные шины // отключены от этой шины). К разр дным шинам 14 и 18 прикладываютс записывающие напр жени с выходов формирователей записи 15 и 19. Если в данном разр де записываетс «1, то к шине 14 прикладываетс импульс напр жени с выхода формировател записи 15, равный по амплитуде напр жению пол ризации Up генераторных пластин 4, а к
Up шине 18 - импульс напр жени -- с выхода
формировател записи 19. Вследствие этого в выбранном разр де направление пол ризации пьезокерамики под основным выходным электродом 5 измен етс на противоположное, а под дополнительным выходным электродом 6
Up остаетс прежним, так как напр жение - не
обеспечивает перепол ризацию сегнетоэлектрической пластины. Если в данном разр де записываетс «О,, то к шине 14 с выхода формировател записи 15 прикладываетс имUP
пульс напр жени , а к шине 18 - импульс напр жени Up с выхода формировател записи 19, и направление пол ризации пьезокерамики в выбранном разр де измен етс только под дополнительным выходным электродом 6.
Up Напр жени Up и - прикладываютс к
разр дным шинам 14 и 18 одновременно, и в выбранном адресе участки пьезокерамики генераторной пластины 4 под основными выходными электродами 5 пол ризуютс в таких направлени х, которые соответствуют пр мому коду записываемого числа, а под дополнительными - обратному коду этого числа.
В невыбранных адресах шины 11 отключены от шины нулевого потенциала 21, поэтому к участкам пьезокерамической генераторной пластины и под основным 5 и дополнительным 6 выходными электродами прикладываUr .
ютс при записи напр жени помех ±
равные половине разности напр жений между шинами 14 и 18, а потенциал числовых шин 11 второй группы этих адресов равен % Up, так как участки генераторных пластин 4 с нанесенными на них электродами конструктивно представл ют собой конденсаторы равной емкости, которые соединены последовательно и включены между разр дными шинаUP
ми 14 и 18. Знак напр жени помех ±
определ етс записываемым числом («1 или «О) в данном разр де, а величина этого напр жени недостаточна дл изменени направлени пол ризации участков пьезокераМИКИ генераторных пластин 4.
Таким образом, при записи информации в выбранном адресе в невыбранных адресах не происход т ложна запись и разрушение информации .
При считывании информации ключи 12 открыты , и шины // подключены к шине нулевого потенциала 2L По сигналу дешифратора адреса на входе 10 формировател , импульс напр жени с выхода формировател возбуждени 9 прикладываетс к шине 8. Вследствие этого пластины возбуждени 3 пьезотрансформаторов выбранного адреса деформируютс . Эта деформаци передаетс генераторным пластинам 4, и на выходных электродах (основном 5 и дополнительном 6) по вл ютс импульсы напр жени , пол рность которых определ етс направлением пол ризации участков пьезокерамики под электродами , т. е. записанной информацией. Эти импульсы по разр дным шинам 14 и 18 поступают на входы усилителей считывани /7. Вследствие того, что импульсы в каждом разр де на шинах 14 и 18 имеют противополож-ные знаки, на выходе каждого усилител по вл етс импульс, который определ етс суммарным действием импульсов на его входах. Пол рность импульса на выходе усилител 17 определ ет записанное число в данном разр де .
Устройство обеспечивает неразрушающее считывание, и неограниченное во времени хранение информации без потреблени энергии . Разр дные шины 14 и 18 через формирователи 15 и 19 соединены с шиной нулевого потенциала 21. При стирании импульс напр жени , равный по амплитуде напр жению пол ризации Up с выхода ключа 12, выбранного дешифратором адреса числа, прикладываетс
к шине 11. Вследствие чего направление вектора пол ризации участков пьезокерамики под основными 5 и вспомогательными 6 выходными электродами генераторных пластин 4 пьезотрансформаторов данного адреса приводитс в соответствие с записью «О, и данный адрес оказываетс подготовлен к записи нового числа.
Предмет изобретени
Запоминающее устройство, содержащее щирокополосные сегнетоэлектрические пьезотрансформаторы , входные электроды которых подключены к соответствующим числовым щинам первой группы, подсоединенным к выходам формирователей возбуждени , экранирующие электроды подключены к соответствующим числовым щинам второй группы, св занным через ключи с щиной нулевого потенциала , а выходные электроды подключены к
соответствующим разр дным щинам, один конец калчдой из которых подсоединен к выходу соответствующего формировател записи пр мого кода, другой - к первому входу соответствующего усилител считывани , отличающеес тем, что, с целью увеличени емкости пам ти и повыщени надежности работы устройства , оно содержит в каждом разр де дополнительную разр дную щину, подключенную к дополнительным выходным электродам соответствующих пьезотрансформаторов, один конец которой подключен к выходу соответствующего формировател записи обратного кода, а другой - ко второму входу соответствующего усилител считывани .
1S 20
18
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1499645A SU364962A1 (ru) | 1970-12-03 | 1970-12-03 | Запоминающее устройство |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1499645A SU364962A1 (ru) | 1970-12-03 | 1970-12-03 | Запоминающее устройство |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU364962A1 true SU364962A1 (ru) | 1972-12-28 |
Family
ID=20461132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU1499645A SU364962A1 (ru) | 1970-12-03 | 1970-12-03 | Запоминающее устройство |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU364962A1 (ru) |
-
1970
- 1970-12-03 SU SU1499645A patent/SU364962A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5835400A (en) | Ferroelectric memory devices having nondestructive read capability and methods of operating same | |
| US5424975A (en) | Reference circuit for a non-volatile ferroelectric memory | |
| US5373463A (en) | Ferroelectric nonvolatile random access memory having drive line segments | |
| US5406510A (en) | Non-volatile memory | |
| US5668754A (en) | Ferroelectric memory cell and reading/writing method thereof | |
| SU654197A3 (ru) | Полупроводниковое запоминающее устройство | |
| KR970003204A (ko) | 강유전체 기억장치 | |
| JPH08185697A (ja) | 強誘電体メモリ装置およびその動作制御方法 | |
| US6038162A (en) | Semiconductor memory device | |
| JPS5920194B2 (ja) | ダイナミツク半導体メモリ用の互換性予備電力ドライバ | |
| SU1076001A3 (ru) | Ячейка пам ти дл интегрального матричного накопител | |
| JPH0863979A (ja) | 不揮発性メモリ | |
| SU364962A1 (ru) | Запоминающее устройство | |
| SU368645A1 (ru) | Всесоюзная ' | |
| US3798619A (en) | Piezoelectric transducer memory with non-destructive read out | |
| JPH11110976A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
| US6580634B2 (en) | Data memory device | |
| KR100614031B1 (ko) | 더미셀의 열화를 억제할 수 있는 강유전체 메모리 및 그구동방법 | |
| SU447757A1 (ru) | Запоминающее устройство | |
| JPH04228191A (ja) | 半導体集積回路 | |
| SU1042083A1 (ru) | Запоминающее устройство | |
| SU842961A1 (ru) | Запоминающее устройство | |
| SU934554A1 (ru) | Запоминающее устройство с самоконтролем | |
| SU1057987A1 (ru) | Сегнетоэлектрический элемент пам ти | |
| SU488257A1 (ru) | Запоминающее устройство |