SU387542A1 - Грабитель для избирательного травления пленок олова - Google Patents

Грабитель для избирательного травления пленок олова

Info

Publication number
SU387542A1
SU387542A1 SU1759277A SU1759277A SU387542A1 SU 387542 A1 SU387542 A1 SU 387542A1 SU 1759277 A SU1759277 A SU 1759277A SU 1759277 A SU1759277 A SU 1759277A SU 387542 A1 SU387542 A1 SU 387542A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
etching
tin films
electoral
eliminator
photoresist
Prior art date
Application number
SU1759277A
Other languages
English (en)
Inventor
В. К. Рець Ю. А. дюн Э. И. Матусевич
Original Assignee
Авторы изобретени витель
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Авторы изобретени витель filed Critical Авторы изобретени витель
Priority to SU1759277A priority Critical patent/SU387542A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU387542A1 publication Critical patent/SU387542A1/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10Etching compositions
    • C23F1/14Aqueous compositions
    • C23F1/16Acidic compositions
    • C23F1/30Acidic compositions for etching other metallic material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Description

1
Изобретение относитс  к технологии производства -радиодеталей и может быть -использовано при изготовлении гибридных пленочных микросхем.
Известен травитель дл  избирательного травлени  пленок олова, нанесенных на полимерный материал и защищенных слоем фоторезиста в соответствии с получаемым рисунком , содержащий смесь азотной, сол ной и уксусной кислот с .водой.
Однако травление пленок -олова в -концентрированных кислотах приводит к интенсивному разрушению как полимерного материала, так и фоторезиста, защищающего пленки олова в процессе травлени .
Целью изобретени   вл етс  сохранение полимерного материала и фоторезиста -в процессе травлени .
Дл  этого в тра-витель Дополнительно введен азотнокислый натрий и глицерин при следующем соотнощении компонентов, в вес. 7о: Азотна  кислота (уд. вес 1,41) 3-6 Сол на  кислота (уд. вес 1,18) 5-9 Уксусна  кислота (лед на ) 20-31 Вода (дистиллированна )10-19
Азотнокислый натрий3-6
ГлицеринОстальное
Наличие глицерина в предложенном травителе исключает смачивание травителем полимерного материала в процессе избирательного травлени  элементов м-икросхем, выполненных из пленок олова, например верхних обкладо:К пленочных конденсаторов, что позвол ет .изготавливать их методом фотолитографии без нарушени  сло  полимера.
Азотнокислый натрий, вход щий Е состав травител , увеличивает устойчивость фоторезиста в процессе травлени  пленки олова без предварительной термической обработки (дублени ) фоторезиста при высоких температурах . Соотношение кислот подобрано таким образом, чтобы получить высокие скороО
сти травлени  (6000 А/мин при температуре 20°С) с минимальным боковым подтравливанием .
Изобретение по сн етс  следующим примером .
На ситалловую подложку напыл ют слои
о
никел  толщиной 4000-6000 А. Затем методом фотолитографии изготавливают нижние обкладки кислотных конденсаторов. На нижние обкладки из никел  напыл ют полимер на основе силикона в тлеющем -разр де при полимеризации мономера гекта.метилдисилоксао
:на толщиной 5000 А. Затем на пленку полимера напыл ют олово толщиной 6000 А и нанос т фоторезист ФП-334 на центрифуге при скорости вращени  1200-1400 об/мин. Высушивают при температуре 95-ЮО С в течение 15-20 мин, экспонируют и про вл ют.
Подготовленную таким образом подложку
помещают в травитель следующего состава:
Азотна  кислота 1,41 уд. вес 4 мл
Сол на  кислота 1,48 уд. вес 7 мл
Уксусна  кислота (лед на ) 23 мл
Азотнокислый натрий5 гр
Глицерин47 мл
Вода (дистиллирован-на )14 мл
и вытравливают рисунок верхних обкладок
пленочных конденсаторов.
Окончание процесса травлени  фиксируют визуально. .Скорость травлени  пленок олова в травителе приведенного состава составл ет
о
6000 А/мин при температуре-20°С. После отмывки -подложки в дистиллированаой воде производ т удаление фоторезиста в ацетоне, диоксане или других органических растворител х .
Предмет изобретени 
Травитель дл  -избирательного травлени  пленок олова, нанесенных .на полимерный материал и защищенных слоем фоторезиста в соответствии с получаемым р-ису-нком, содержащий смесь азотной, сол ной и уксусной кислот с водой, отличающийс  тем, что, с целью сохранени  полимерного материала   фоторезиста в процессе травлени , травитель дополнительно содержит азотнокислый натрий и глицерин пр-и следующем соотношении компонентов , в вес. %
Азотна  кислота (уд. вес 1,41) 3-6 . Сол на  кислота (уд. вес 1,18) 5-9 Уксусна  кислота (лед иа ) 20-31 Вода (дистиллированна )10-19
Азотнокислый натрий3-6
Глицерин
Остальное
SU1759277A 1972-03-16 1972-03-16 Грабитель для избирательного травления пленок олова SU387542A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1759277A SU387542A1 (ru) 1972-03-16 1972-03-16 Грабитель для избирательного травления пленок олова

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1759277A SU387542A1 (ru) 1972-03-16 1972-03-16 Грабитель для избирательного травления пленок олова

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU387542A1 true SU387542A1 (ru) 1973-06-21

Family

ID=20506524

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1759277A SU387542A1 (ru) 1972-03-16 1972-03-16 Грабитель для избирательного травления пленок олова

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU387542A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU169866U1 (ru) * 2016-02-10 2017-04-04 Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы") Установка для вскрытия пластиковых корпусов электро-радиоэлементов

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU169866U1 (ru) * 2016-02-10 2017-04-04 Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы") Установка для вскрытия пластиковых корпусов электро-радиоэлементов

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS5355986A (en) Manufacture of semiconductor device
SU387542A1 (ru) Грабитель для избирательного травления пленок олова
JPS5669837A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS5267969A (en) Manufacture of semiconductor unit
DE2211875C3 (ru)
US3861031A (en) Method of making a moisture-sensitive element
US3592691A (en) Photoresist removal method
JPS5467766A (en) Semiconductor device
JPS5823735B2 (ja) 薄膜コンデンサ−ないし薄膜抵抗用のタンタルから成る層の製法
JPS56116634A (en) Semiconductor device
JPS5524923A (en) Manufacture of transparent titanium oxide film
JPS5566113A (en) Manufacture of elastic surface wave device
JPS5232671A (en) Manufacturing process of semiconductor device
SU503686A1 (ru) Способ сушки покрытых электродов
JPS62239108A (ja) 導電性偏光フイルム及びその製造方法
JPS5474677A (en) Surface stabilizing method of semiconcuctor element using polyimide silicone
JPS53120684A (en) Manufacture of filter membrane
JPS5817935B2 (ja) 液晶表示素子の電極形成方法
JPS54122193A (en) Production of humidity detecting element
SU960981A1 (ru) Способ изготовлени тонкопленочных конденсаторов
SU62132A1 (ru) Способ восстановлени светочувствительности селеновых фотоэлементов
JPS5585066A (en) Preparation of semiconductor device
SU577507A1 (ru) Способ получени электрофотографических слоев
JPS52113162A (en) Preparation of semiconductor device
SU435141A1 (ru) Способ получения слоистого пластика