SU399013A1 - Матрица для оптопрограмлдируемого полупостоянного запоминающего устройства - Google Patents

Матрица для оптопрограмлдируемого полупостоянного запоминающего устройства

Info

Publication number
SU399013A1
SU399013A1 SU1634526A SU1634526A SU399013A1 SU 399013 A1 SU399013 A1 SU 399013A1 SU 1634526 A SU1634526 A SU 1634526A SU 1634526 A SU1634526 A SU 1634526A SU 399013 A1 SU399013 A1 SU 399013A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
matrix
current
storage device
permanent storage
diode
Prior art date
Application number
SU1634526A
Other languages
English (en)
Inventor
Ф. Басалыга В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to SU1634526A priority Critical patent/SU399013A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU399013A1 publication Critical patent/SU399013A1/ru

Links

Landscapes

  • Led Devices (AREA)

Description

1
Известна матрица дл  онтоирограм.мнруемого полупосто нного запоминающего устройства на  чейках, из которых содержит два полупроводниковых дпода п фоторезистор , соединенпые по схеме диодного переключател  тока. Токозадаюпи1м элементом пос .тедпего  в.т етс  фоторезистор. Однако фоторезисторы , пход пхие в  чейки такой матрицы, имеют больше те новой ток, cpaвн Ы с рабоч Л сигпалом и измен ю 1:ийс  от образца к образцу. Te нoвoй ток i спектрал)На  чувств те,:1ьност фоторезистора завис т от температ}ры, причем преде, рабоча  тем 1ература фоторезистора не превышает 60°С.
Дл  програл мировани  ииформац 1П требуетс  иосто нн з1Й источник света в люм несце Т ОЙ па пели, амплитудно-спектра,тьна  характерист ка пзлучепп  которого также сильно зависит от температуры и, кроме того. одБержена старению.
Следовательно, разброс электрическ 1х араметров  чеек, вызванный колебанп л и температуры окружа О1дей среды, еш.е больше увеличиваетс  из-за временных и температурных измененпй хара1 терпст 1к источ П ка света, освеща ошего через светотрафарет фоторезисторы выбранных  чеек пам ти. Это снижает надежность звестной матрицы и соот11ошен 1е сигнал-помеха.
Предлагаема  матрица отл чаетс  от зиестной тем, что в ней, к и,е,1 х г Овышен1 Я надежности работ), применены запомипаюi Uie HOBOI-Q , способные аходитьс 
в двух уСТО 1ЧНВЫХ СОСТОЯ ИЯ ОТСУТСТВИИ
посто  1ного освещени .
Пз первого устойч вого состо ни , в котором токозадаю1дий элеме т  чейки не проводит ток. ереключаетс  во второе устойчивое состо п е при облуче токозадающего элемента  чейк мощным 1 мпульсом света, получа.емым от , вспышкн.
Ячейка цам тн матрпцы, выполненна  по схеме перекл очател  тока, состоит
из двух 1 ОЛу 1р01ЮД ИКОВЬ Х И аВТОэмпсс 10 пк )го с xoлoднь oк cь- aгиlieвым катодом, соединенных звездой, причем точка соед 1нени  объедин ет анод полупроводн1 ковь х диодов катод автоэмиссионного
.
Катод автоэм ссионного диода представл ет собой СЛОЙ ок)си магни  (MgO) толп1 ой 10-100 мкм, нанесенный на плоскую предварительно окисленную никелевую
1одложку. Анод представл ет собой металл ческую сетк), поме ценну о на рассто нии от катода, не peвышa O l e 1 мм. Электроды наход тс  в вакууме в стекл нном баллоне. Если на подать напр жение смещени 
100-250 в. то ток через него равен ну,тю до тех И)|1, пока но оудет иьклиша ч/юкчронпа; - мисси  КсПод;: .:п;бо ипеппш:. позпу/1 ДсПшцим (j)aisT()|)OM. 15 л.аином случае j{jv,U r; i;л ет пптерсс гюзбуллоппе фотоп лш светги IcTOMiiiiKOAi . м():Ь:ег e,) Aia.nnaoaрптпа .  п :iiy,ibci;a; .iaAiiia IciibiiiJKii. ;-;от()ра; через спетотра(|)арст. iiecymiiii пнфор.мацпк. через корпус автозлиюеиоиного диода и сетчаTbiii анод ппздеГютиует светом па oKiiC i . Пели елоп (); еи люгпи  облучаетс  пнтеисиппы .м потоком 4)отоп(п, последние .:40T пз окиси электроиьк которые уход т иод электрического ио.т  на анод. F) результате слой MgO приобретает гюложител1,11ын зар д и электрическое иоле между ппкелепоГ подложкой 1 окисью суп;ествеппо возрастает. Это иоле способствует пере.ходу отдельпых электронов из подложки через пзолпруклил/ю топкую плепку окиеп металла подложки в окис: магип . Электропы, noKiniynnnie );одложку, ускор ютс  иодел п, ста.чкнП. сь с частицами (при дгдокенпп в порах), выбивают вторичные электроиьь Ок1;сь .тагни  ьодптс  Д/1Я этого катода только потому, что и.меет большой коэффгищеит вторичпоГ: эмисс 1 1. Втор1 чпь1е электроны апалогичпс) В1,|би1иио следующие электропы п т. д. В елое очиси магпи  происходит дав1И1ное умножение электроИОВ , больша  часть которых уходпт на анод, а меььша  рекомбинпрует с иоложптельиьпп. ионами. В конце концов устаиавливаете  иосто;ии а  эмиееи  электронов с като.та, п иропесе поддерживаетс  уже без г.иешпего освсП1епп . Во врем  эмпесии катод, сКтптс  б.че.июголубым мерцающцм CJJCTO.M. Зати1симост, тока от паир жеии  смещени  логарифмическа . При паир жеиии смещени  180-200 в доетигаетс  плотность тока до 10 MUJCM-. Показано, что цри п,т()тпостп тока песколько л иллпампср па квадратный саптпметр дпод может работать без повторного возбуждени  дес тки тыс ч часов при теи.мературе до 200°С. Повыщениые шумы такого дпода пе имеют зпачепи  в ириборах и устройствах дискретного де1 Ствп , подобных onncbiBacMoii матрице. Па фиг. 1 пзображеиа иршциииальпа  схема предлагаемо матрицы: на ()иг. 2 иоказана типова  завпси юсть плотности тока от ианр жеии  смещепп  автоэмпссиопного диода с холодным окпеь-магнпевым катодом. Матрица имеет вход1п 1е / п ыход1и)1е 2 nuiны . Кажда  ее  че1И а пам ти содержит два Полупроводниковых диода и 4, соединенпь х аг|Одамп между собой и с катодом 5 автоэмпсепоппого дпода 6. Дпод 6 пмеет, кроме того, Г1розрач1Иэи 1 апод 7 и стекл пный вакуумный баллои 8. Лноды всех автоэмисспоппых диодов иодеоед 1нены посредством тины 9 к неточнику 10 напр  ен1 Я с.мещени  -{-V. Диоды .) и / каждо|5  чейка подсоедппещл к вхо.тно:: п ;;ыходпо И1пнам. ЯчеГжп г;кл1очепы во всех точ: .:ах пересечепп  Щ1И1. В исходном СОСТ05ПИ.М1 кажда  входна  шипа через электроппый цереключате,ль 11 {показан условно) смещаетс  напр жением -Vy. нсточ )ика 12. Если сигнал дешифратора (не показан) возбуждает переключатель /У (нижний на фиг. 1), последний иодключает входную шину к иапр жеипю псточиика 13. Выходные шипы через резисторы 14 подсоедппены к общей пу .TCBOii щгще 15. Па фиг. 2 показана тииова  завпеи.мость илотпостп тока от напр жени  смепденп  V автоэ.миссиоииого диода, п.меюща  ,тoгapпф iнчесьли закон. При напр жении около 220 с с илопшди катода иор дка 1 мм- .можпо си ть ток в неско, дее тков мпкроамиер. С,тедовательно , дподы 6 могут быт1) до юльио миииатюриыми . Те из диодов 6, которые были предварите/Ч)ио р.озбуждеиы пдшульсом света, провод т ток / от источиика 10 по nerni: дпод 3, входна  шипа, переключате,ть //, иеточп п 12 иапр жепп  - V-2. 4 закрыт иаир женнем 1/2-.д,, ;;| 1д, - паир лчени  иа отKpiiiTo .M дтюде 3. Если автоэмиссиоииьи диод не возбуждалс  свето.м, ток через дподы равен ну;по, дпод --/ заперт, иаир жеппем , где Уидз - напр жение отсечки диода 3. При счпты;5аппп электроппый ключ 11 (иапример , иижши) переключаетс  с папр жеии  псточиика 12 па наир жеппе -j-Vn псточппка 13. Ток / (величгща его практически пе из.меп етс ) иерек,тючаетс  в цепь: дпод 4, 1 ыходпа  , резистор /1 Папр жение + УЗ по рлхтичиие больи1е, чем падепш 11апр  |;епий на диоде 4 и )езпсторе /--/, иоэтому диод /) закрываетс . Па резисторе 14 выде.т етс  и.1пу,и..с нан) женн , соответствующнй спгна,ту считанной едиппцы. У тех  чеек, у которых ал тоэмисспонипый дпод не проводпт, сигпал па резисторе пе выдел етс  (может быть помеха из-за е.мкостеГ иолупроводнпковых диодо -). Это состо ние соответствует считанному двоичному пулю. Понност) ири.мененн  агпоэ.миссне)нных дио/юв заключаетс  в гюзможпостн изгото.тепп  ипте1рал1Л1ой MaTpjnU) такпх .ии)Д(М5 с оби1им аио.юл. и 3 о о ) е т е и и   ДАатрипа д;1  онтонр(г)аммпруе.мого но.тупосто 1И1ого заиом1И1аюи1его устройства, содержпща  иересекак)|цпес  i-.xo.uibie и выходin ie , , каждо| 1 точ;се пе)есечени  которь1х вк.поч1Ч а  чейка пам ти с ириемппком изл че11п . вк,тючепиым между источником папр женн  смеп.епп  и точкой соедпненн  иолупрог5одипковьгх диодов, 1,ключенных между тинами И1)с.1е.1овательио-вст)ечпо. птличагоща с  тем, что, с пе.т.ю iKnibiii e;iii i надежности работы ycTpoiicTiia, приемник излучени  выполнен в виле бистабн.п.ного. HefioK.iioiiaii HieidCi :; нропод щее еосто пие излучением лампы 1;ен1.11ики, а1ггоэмиссионного диода с хо .одны-- окись-магниевым кптодом.
Фиг.1
SU1634526A 1971-03-01 1971-03-01 Матрица для оптопрограмлдируемого полупостоянного запоминающего устройства SU399013A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1634526A SU399013A1 (ru) 1971-03-01 1971-03-01 Матрица для оптопрограмлдируемого полупостоянного запоминающего устройства

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1634526A SU399013A1 (ru) 1971-03-01 1971-03-01 Матрица для оптопрограмлдируемого полупостоянного запоминающего устройства

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU399013A1 true SU399013A1 (ru) 1973-09-27

Family

ID=20469077

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1634526A SU399013A1 (ru) 1971-03-01 1971-03-01 Матрица для оптопрограмлдируемого полупостоянного запоминающего устройства

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU399013A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Thornton Electroluminescence in zinc sulfide
US3551738A (en) Condenser discharge lamp circuit with a pulse forming network and a keep alive circuit
Goldberg et al. Dc electroluminescence in thin films of ZnS
US3609436A (en) Fluorescent light source with a plurality of sequentially energized electrodes
SU399013A1 (ru) Матрица для оптопрограмлдируемого полупостоянного запоминающего устройства
GB674925A (en) Improvements in electronic discharge devices
US6356037B1 (en) Dielectric ceramic and a capacitor using the same
US3345534A (en) Light amplifier with non-linear response to provide improved contrast characteristics
US5045754A (en) Planar light source
US3575634A (en) Luminescent display device
US2671184A (en) Flashing discharge device
US2517126A (en) Instantaneous starting electric lamp
US2565110A (en) Polyphase fluorescent lamp circuit
US3163851A (en) Circuit arrangement comprising a controlling cross-bar system
Kramer et al. Microwave photoconductivity and luminescence of ZnS and CdS phosphors
Ando et al. Slow response and Eu2+‐related trapping states in CaS: Eu thin‐film electroluminescent devices
US3991340A (en) Discharge lamp lighting apparatus including a sintered type oxide negative resistance starting element
Mailey Vapor conducting light sources
RU2099799C1 (ru) Устройство управления вакуумными люминесцентными индикаторами
US2942150A (en) Television picture display apparatus
US1899021A (en) Glow lamp circuit
US1822865A (en) Method and apparatus for producing photographic records
Shanker et al. Electroluminescence in Tb‐doped Gd2O2S phosphor
Ivey Recent advances in luminescence (cathodoluminescence and electroluminescence)
RU2083061C1 (ru) Устройство для люминесцентных ламп