SU399013A1 - Матрица для оптопрограмлдируемого полупостоянного запоминающего устройства - Google Patents
Матрица для оптопрограмлдируемого полупостоянного запоминающего устройстваInfo
- Publication number
- SU399013A1 SU399013A1 SU1634526A SU1634526A SU399013A1 SU 399013 A1 SU399013 A1 SU 399013A1 SU 1634526 A SU1634526 A SU 1634526A SU 1634526 A SU1634526 A SU 1634526A SU 399013 A1 SU399013 A1 SU 399013A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- matrix
- current
- storage device
- permanent storage
- diode
- Prior art date
Links
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 101100327310 Caenorhabditis elegans emb-27 gene Proteins 0.000 description 1
- 241001137251 Corvidae Species 0.000 description 1
- 241000795424 Epia Species 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 235000014347 soups Nutrition 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Description
1
Известна матрица дл онтоирограм.мнруемого полупосто нного запоминающего устройства на чейках, из которых содержит два полупроводниковых дпода п фоторезистор , соединенпые по схеме диодного переключател тока. Токозадаюпи1м элементом пос .тедпего в.т етс фоторезистор. Однако фоторезисторы , пход пхие в чейки такой матрицы, имеют больше те новой ток, cpaвн Ы с рабоч Л сигпалом и измен ю 1:ийс от образца к образцу. Te нoвoй ток i спектрал)На чувств те,:1ьност фоторезистора завис т от температ}ры, причем преде, рабоча тем 1ература фоторезистора не превышает 60°С.
Дл програл мировани ииформац 1П требуетс иосто нн з1Й источник света в люм несце Т ОЙ па пели, амплитудно-спектра,тьна характерист ка пзлучепп которого также сильно зависит от температуры и, кроме того. одБержена старению.
Следовательно, разброс электрическ 1х араметров чеек, вызванный колебанп л и температуры окружа О1дей среды, еш.е больше увеличиваетс из-за временных и температурных измененпй хара1 терпст 1к источ П ка света, освеща ошего через светотрафарет фоторезисторы выбранных чеек пам ти. Это снижает надежность звестной матрицы и соот11ошен 1е сигнал-помеха.
Предлагаема матрица отл чаетс от зиестной тем, что в ней, к и,е,1 х г Овышен1 Я надежности работ), применены запомипаюi Uie HOBOI-Q , способные аходитьс
в двух уСТО 1ЧНВЫХ СОСТОЯ ИЯ ОТСУТСТВИИ
посто 1ного освещени .
Пз первого устойч вого состо ни , в котором токозадаю1дий элеме т чейки не проводит ток. ереключаетс во второе устойчивое состо п е при облуче токозадающего элемента чейк мощным 1 мпульсом света, получа.емым от , вспышкн.
Ячейка цам тн матрпцы, выполненна по схеме перекл очател тока, состоит
из двух 1 ОЛу 1р01ЮД ИКОВЬ Х И аВТОэмпсс 10 пк )го с xoлoднь oк cь- aгиlieвым катодом, соединенных звездой, причем точка соед 1нени объедин ет анод полупроводн1 ковь х диодов катод автоэмиссионного
.
Катод автоэм ссионного диода представл ет собой СЛОЙ ок)си магни (MgO) толп1 ой 10-100 мкм, нанесенный на плоскую предварительно окисленную никелевую
1одложку. Анод представл ет собой металл ческую сетк), поме ценну о на рассто нии от катода, не peвышa O l e 1 мм. Электроды наход тс в вакууме в стекл нном баллоне. Если на подать напр жение смещени
100-250 в. то ток через него равен ну,тю до тех И)|1, пока но оудет иьклиша ч/юкчронпа; - мисси КсПод;: .:п;бо ипеппш:. позпу/1 ДсПшцим (j)aisT()|)OM. 15 л.аином случае j{jv,U r; i;л ет пптерсс гюзбуллоппе фотоп лш светги IcTOMiiiiKOAi . м():Ь:ег e,) Aia.nnaoaрптпа . п :iiy,ibci;a; .iaAiiia IciibiiiJKii. ;-;от()ра; через спетотра(|)арст. iiecymiiii пнфор.мацпк. через корпус автозлиюеиоиного диода и сетчаTbiii анод ппздеГютиует светом па oKiiC i . Пели елоп (); еи люгпи облучаетс пнтеисиппы .м потоком 4)отоп(п, последние .:40T пз окиси электроиьк которые уход т иод электрического ио.т на анод. F) результате слой MgO приобретает гюложител1,11ын зар д и электрическое иоле между ппкелепоГ подложкой 1 окисью суп;ествеппо возрастает. Это иоле способствует пере.ходу отдельпых электронов из подложки через пзолпруклил/ю топкую плепку окиеп металла подложки в окис: магип . Электропы, noKiniynnnie );одложку, ускор ютс иодел п, ста.чкнП. сь с частицами (при дгдокенпп в порах), выбивают вторичные электроиьь Ок1;сь .тагни ьодптс Д/1Я этого катода только потому, что и.меет большой коэффгищеит вторичпоГ: эмисс 1 1. Втор1 чпь1е электроны апалогичпс) В1,|би1иио следующие электропы п т. д. В елое очиси магпи происходит дав1И1ное умножение электроИОВ , больша часть которых уходпт на анод, а меььша рекомбинпрует с иоложптельиьпп. ионами. В конце концов устаиавливаете иосто;ии а эмиееи электронов с като.та, п иропесе поддерживаетс уже без г.иешпего освсП1епп . Во врем эмпесии катод, сКтптс б.че.июголубым мерцающцм CJJCTO.M. Зати1симост, тока от паир жеии смещени логарифмическа . При паир жеиии смещени 180-200 в доетигаетс плотность тока до 10 MUJCM-. Показано, что цри п,т()тпостп тока песколько л иллпампср па квадратный саптпметр дпод может работать без повторного возбуждени дес тки тыс ч часов при теи.мературе до 200°С. Повыщениые шумы такого дпода пе имеют зпачепи в ириборах и устройствах дискретного де1 Ствп , подобных onncbiBacMoii матрице. Па фиг. 1 пзображеиа иршциииальпа схема предлагаемо матрицы: на ()иг. 2 иоказана типова завпси юсть плотности тока от ианр жеии смещепп автоэмпссиопного диода с холодным окпеь-магнпевым катодом. Матрица имеет вход1п 1е / п ыход1и)1е 2 nuiны . Кажда ее че1И а пам ти содержит два Полупроводниковых диода и 4, соединенпь х аг|Одамп между собой и с катодом 5 автоэмпсепоппого дпода 6. Дпод 6 пмеет, кроме того, Г1розрач1Иэи 1 апод 7 и стекл пный вакуумный баллои 8. Лноды всех автоэмисспоппых диодов иодеоед 1нены посредством тины 9 к неточнику 10 напр ен1 Я с.мещени -{-V. Диоды .) и / каждо|5 чейка подсоедппещл к вхо.тно:: п ;;ыходпо И1пнам. ЯчеГжп г;кл1очепы во всех точ: .:ах пересечепп Щ1И1. В исходном СОСТ05ПИ.М1 кажда входна шипа через электроппый цереключате,ль 11 {показан условно) смещаетс напр жением -Vy. нсточ )ика 12. Если сигнал дешифратора (не показан) возбуждает переключатель /У (нижний на фиг. 1), последний иодключает входную шину к иапр жеипю псточиика 13. Выходные шипы через резисторы 14 подсоедппены к общей пу .TCBOii щгще 15. Па фиг. 2 показана тииова завпеи.мость илотпостп тока от напр жени смепденп V автоэ.миссиоииого диода, п.меюща ,тoгapпф iнчесьли закон. При напр жении около 220 с с илопшди катода иор дка 1 мм- .можпо си ть ток в неско, дее тков мпкроамиер. С,тедовательно , дподы 6 могут быт1) до юльио миииатюриыми . Те из диодов 6, которые были предварите/Ч)ио р.озбуждеиы пдшульсом света, провод т ток / от источиика 10 по nerni: дпод 3, входна шипа, переключате,ть //, иеточп п 12 иапр жепп - V-2. 4 закрыт иаир женнем 1/2-.д,, ;;| 1д, - паир лчени иа отKpiiiTo .M дтюде 3. Если автоэмиссиоииьи диод не возбуждалс свето.м, ток через дподы равен ну;по, дпод --/ заперт, иаир жеппем , где Уидз - напр жение отсечки диода 3. При счпты;5аппп электроппый ключ 11 (иапример , иижши) переключаетс с папр жеии псточиика 12 па наир жеппе -j-Vn псточппка 13. Ток / (величгща его практически пе из.меп етс ) иерек,тючаетс в цепь: дпод 4, 1 ыходпа , резистор /1 Папр жение + УЗ по рлхтичиие больи1е, чем падепш 11апр |;епий на диоде 4 и )езпсторе /--/, иоэтому диод /) закрываетс . Па резисторе 14 выде.т етс и.1пу,и..с нан) женн , соответствующнй спгна,ту считанной едиппцы. У тех чеек, у которых ал тоэмисспонипый дпод не проводпт, сигпал па резисторе пе выдел етс (может быть помеха из-за е.мкостеГ иолупроводнпковых диодо -). Это состо ние соответствует считанному двоичному пулю. Понност) ири.мененн агпоэ.миссне)нных дио/юв заключаетс в гюзможпостн изгото.тепп ипте1рал1Л1ой MaTpjnU) такпх .ии)Д(М5 с оби1им аио.юл. и 3 о о ) е т е и и ДАатрипа д;1 онтонр(г)аммпруе.мого но.тупосто 1И1ого заиом1И1аюи1его устройства, содержпща иересекак)|цпес i-.xo.uibie и выходin ie , , каждо| 1 точ;се пе)есечени которь1х вк.поч1Ч а чейка пам ти с ириемппком изл че11п . вк,тючепиым между источником папр женн смеп.епп и точкой соедпненн иолупрог5одипковьгх диодов, 1,ключенных между тинами И1)с.1е.1овательио-вст)ечпо. птличагоща с тем, что, с пе.т.ю iKnibiii e;iii i надежности работы ycTpoiicTiia, приемник излучени выполнен в виле бистабн.п.ного. HefioK.iioiiaii HieidCi :; нропод щее еосто пие излучением лампы 1;ен1.11ики, а1ггоэмиссионного диода с хо .одны-- окись-магниевым кптодом.
Фиг.1
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1634526A SU399013A1 (ru) | 1971-03-01 | 1971-03-01 | Матрица для оптопрограмлдируемого полупостоянного запоминающего устройства |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1634526A SU399013A1 (ru) | 1971-03-01 | 1971-03-01 | Матрица для оптопрограмлдируемого полупостоянного запоминающего устройства |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU399013A1 true SU399013A1 (ru) | 1973-09-27 |
Family
ID=20469077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU1634526A SU399013A1 (ru) | 1971-03-01 | 1971-03-01 | Матрица для оптопрограмлдируемого полупостоянного запоминающего устройства |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU399013A1 (ru) |
-
1971
- 1971-03-01 SU SU1634526A patent/SU399013A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Thornton | Electroluminescence in zinc sulfide | |
| US3551738A (en) | Condenser discharge lamp circuit with a pulse forming network and a keep alive circuit | |
| Goldberg et al. | Dc electroluminescence in thin films of ZnS | |
| US3609436A (en) | Fluorescent light source with a plurality of sequentially energized electrodes | |
| SU399013A1 (ru) | Матрица для оптопрограмлдируемого полупостоянного запоминающего устройства | |
| GB674925A (en) | Improvements in electronic discharge devices | |
| US6356037B1 (en) | Dielectric ceramic and a capacitor using the same | |
| US3345534A (en) | Light amplifier with non-linear response to provide improved contrast characteristics | |
| US5045754A (en) | Planar light source | |
| US3575634A (en) | Luminescent display device | |
| US2671184A (en) | Flashing discharge device | |
| US2517126A (en) | Instantaneous starting electric lamp | |
| US2565110A (en) | Polyphase fluorescent lamp circuit | |
| US3163851A (en) | Circuit arrangement comprising a controlling cross-bar system | |
| Kramer et al. | Microwave photoconductivity and luminescence of ZnS and CdS phosphors | |
| Ando et al. | Slow response and Eu2+‐related trapping states in CaS: Eu thin‐film electroluminescent devices | |
| US3991340A (en) | Discharge lamp lighting apparatus including a sintered type oxide negative resistance starting element | |
| Mailey | Vapor conducting light sources | |
| RU2099799C1 (ru) | Устройство управления вакуумными люминесцентными индикаторами | |
| US2942150A (en) | Television picture display apparatus | |
| US1899021A (en) | Glow lamp circuit | |
| US1822865A (en) | Method and apparatus for producing photographic records | |
| Shanker et al. | Electroluminescence in Tb‐doped Gd2O2S phosphor | |
| Ivey | Recent advances in luminescence (cathodoluminescence and electroluminescence) | |
| RU2083061C1 (ru) | Устройство для люминесцентных ламп |