SU459802A1 - Запоминающий элемент - Google Patents

Description

дар  большой крутизне вольт- ркостных характеристик электролюминофоров , где а измен етс  от 3 до 30 дл  разных материалов .

.Эти требовани  реализуютс , например, при использовании в качестве диэлектрика нитрида кремни , а в качестве электролюминофора - ZnS, легированного Си, Мп. Толщина

о

сло  ДОП 1000А, люминофора - 1 мкм. В этом случае погонные емкости одного пор дка и составл ет 10 пф/см. Интервал напр жений на диэлектрике, в пределах которого записанна  информаци  не уничтожаетс , т. е. накопленный зар д не переходит из диэлектрика Б полу проводник или контакт, составл ет 30 в. Этих напр жений достаточно дл  нормального функционировани  электролюминосфора . Коэффициент а дл  ZnS легированного Си, Мп может иметь значени  10-30.

Запись информации в предлагаемое ЗУ можно осуществл ть, использу , например, эффект генерации носителей в обедненном слое кремни  вблизи сло  диэлектрика при освещении локальных областей.

Другой способ записи состоит в использовании фотопровод щих свойств электролюминесцентного сло : к структуре прикладываетс  посто нное напр жение и производитс  засветка тех участков поверхности, где хот т произвести запись информации. При этом сопротивление освещенных участков уменьшаетс , и соответственно возрастает напр жение, приложенное к системе диэлектрик-полупроводник. При подход щем выборе напр жени  зар ды из полупроводника переход т в диэлектрик, т. е. осуществл етс  процесс записи.

Предмет изобретени 

Запоминающий элемент, содержащий расположенные между первым и вторым сло ми проводника слой полупроводника и слой диэлектрика с остаточной пол ризацией, отличающийс  тем, что, с целью обеспечени  оптического считывани  информации, он содержит слой электролюминофора, расположенный между слоем диэлектрика и вторым слоем проводника, выполненным полупрозрачным.

3

2