(54) МУЛЬТИВИБРАТОР 3 pa 2 близок к нулю. Диод 6 проводит, фиксиру этот потенциал на коллекторе транзистора 9. Происходит разр д конденсатора 11 через диод 6, транзистор 2 и диод 17, при этом конденсатор 11 был зар жен ранее подобно тому, как в описываемый момент времени зар жаетс конденсатор 12. Транзистор 1 заперт отрицательным напр жением источника смещени , данного на его базу через резистор 19. Таким образом, транзисторы 9, 10 вместе с резисторами 8, 7 и конденсаторами И, 12 образуют схему интеграторов с коллекторнобазовой емкостной св зью. Как известно, зар д емкости в такой схеме происходит по линейному закону, что o6jcловлено сильной отрицательной обратной св зью между коллектором и базой транзисторов 9, 10. Следовательно, ток зар да конденсатора 12 составл ет лишь малую часть тока насыщени транзистора 2. Зар д конденсатора 12 происходит до тех пор, пока напр жение на нем не достигнет потенциала, при котором откроетс диод 14. При отпирании диода 14 потенциал коллектора транзистора 10 фиксируетс на уровне величины управл ющего напр жени , устанавливаемого с помощью потенциометра 15, ток через цепь эмиттера транзистора 10 уменьшаетс за счет прекращени зар да конденсатора 12, потенциал базы транзистора 2 понижаетс и он выходит из режима насыщени . Напр жение на коллекторе транзистора 2 повышаетс скачком и начинаетс лавинообразный процесс перехода схемы в другое временно устойчивое состо ние. Транзистор 9 благодар повышению потенциала на его коллекторе становитс провод щим. База транзистора 1 приобретает положительный потенциал, что приводит к его открытию и насыщению. Напр жение на коллекторе транзистора 1 становитс близКИМ к нулю. Диод 5 открываетс , потенциал коллектора транзистора 10 также становитс близким к нулю, вследствие чего последний становитс непровод щим. Транзистор 2 поддерживаетс в закрытом состо нии источником базового смещени . Начинаетс зар д конденсатора 11 через базу транзистора 9 и разр д конденсатора 12 47 через диод 5, транзистор 1 и диод 18. Такое состо ние схемы будет до тех пор, пока уменьшение тока базы транзистора 9 по мере зар да конденсатора 11 не выведет из режима насыщени транзистор 1. Схема вернетс в исходное положение. Так осуществл етс генераци пр моугольных импульсов, снимаемых с коллекторов транзисторов 1 и 2. Благодар диодам 5 и 6 коллекторна цепь транзисторов 9 и 10 практически отключаетс от коллекторных нагрузок мультивибратора , что позвол ет формировать пр моугольные импульсы с крутыми передним и задним фронтами на коллекторах транзисторов 1 и 2. Процесс управлени периодом повторени выходных импульсов мультивибратора осуществл етс при помощи изменени величины управл ющего напр жени , которое зависит от положени подвижного контакта потенциометра 15, в результате сравнени линейно измен ющегос напр жени на конденсаторах 11, 12 с напр жением управлени . Диоды 13 и 14 фиксируют величины напр жений, до которых зар жаютс конденсаторы 11 и 12, и тем самым обеспечивают стабильность длительности и периода повторени выходных импульсов мультивибратора. Предмет изобретени Мультивибратор, содержащий транзисторы с резисторами в коллекторных цеп х, врем задающие элементы, состо щие из транзистора и конденсатора, св занные через диоды с коллекторными цеп ми транзисторов мультивибратора , и диодную цепь запуска, отличающийс тем, что, с целью расширени пределов регулировани частоты, конденсатор каждого врем задающего элемента подключен к коллектору и базе транзистора этого элемента, причем база транзистора этого элемента соединена через диод с общей шиной, коллектор соединен с соответствующим диодом диодной цепи запуска, а эмиттер соединен с базой соответствующего транзистора мультивибратора.
+f/T