Изобретение относитс к импульсной тех нике. Известен формирователь двухступенчатых импульсов, содержащий лавинный транзистор коллектор которого соединен через первич ную обмотку выходного трансформатора и резистор с одним полюсом источника питаНИН , через диод с другим полюсом источника питани и с одной обкладкой накопи тельного конденсатора. Эмиттер транзистор через диод соединен с общей шиной, а база с источником входного сигнала. Однако форма импульса, генерируемого известным устройством, значительно отличаетс от оптимальной. Перва ступень им- пульса имеет не пр моугольную, а экспонен циальную форму, кроме того, отсутствует возможность плавной регулировки ее. С целью получени пр моугольной формы первой ступени импульса, плавной регулировки ее длительности и уменьшени длительности переднего фронта импульса друга обкладка накопительного конденсатора подключена к коллектору дополнительного лавинного транзистора другого типа проводи- мости с элементами базового смещени , эмиттер которого соединен с обшей uribiH. а база - через переменный резистор и коК денсатор - с коллектором основного л вкккого транзистора. На фиг. 1 представлена схема пред л; г аемого формировател импульсов; на фиг. 2 временные диаграммы его работы. Предлагаемое устройство содержа г ОСНОЕУной 1 и дополнительный 2 лавиннь(е трал-зисторы обратного типа проводимости. 1- езистор 3 и диод 4 создают необходимоэ смещение между базой и эмиттером трапзистора 1, Коллектор лавинного транзистора черпэ первичную обмотку 5 выходного траисфо;.матора 6, имеющего вторичную нагрузочную обмотку 7, и резистор 8 соединегт с од ним полюсом 9 источника питани V , а чегреа диод 1О - с другим полюсом 11 ИСТОЧГ:Ка питани V и с одной обкладкой накопи- тельного конденсатора 12, друга обкладка кг:, горого соединена с коллектором дополнительного транзистора 2. База лавинного транзистора 2 через переменный резистор 13 и конденсатор 14 подключена к коллектору транзистора 1. Диод 15 и резистор 16 совместно с напр жением источника питани V создают необходимое запирающее смещение на базе транзистора 2. Нагрузочный резистор 17 подключен ко вторичной обмотке 7 импульс ного трансформатора 6. Диод 18 предотвра щает по вление выброса обратной пол рности . Запуск устройства производитс через резистор 19 от дополнительного источника сигнала, задающего необходимую амплитуду и длительность импульса, В исходном состо нии транзистор 1 закрыт , а транзистор 2 открыт и находитс в диодном включении. Запирающее смещение между базой и эмиттером транзистора 1 создаетс базовым резистором 3 и диодом 4. Напр жение на его коллекторе рювно VQ - Напр жение источника питани п выбираетс меньшим VQ , благодар чему диод 1О закрыт, а накопительный конденсатор зар жен до V . Зар д конденсатора 12 происходит по цепи: полюс 9 источника питани Уп , резистор 8, конденсатор 12, пр мосмещенный коллекторный переход транзистора 2, диод 15, обща шина 20, До напр жени У„ зар жен также конденсатор 14, который зар жаетс от источника питани V п через резистор 8, первичную обмотку 5 трансформатора 6, резистор 13 и диод 15 При подаче отпирающего импульса задан ной длительности и необходимой амплитуды через резистор 19 на базу лавинного транзистора он включаетс и переходит в состо ние насыщени , что позвол ет увеличить амплитуду разр дного тока, его длительность и уменьшить рассеиваемую мощность на лавинном транзисторе. С включением транзистора 1 к коллектору транзистора 2 прикладываетс положи тельное напр жени конденсатора 12. Однако , благодар разр дному току конденсатора 14, транзистор 2 переходит в состо ние насыщени . К первичной обмотке 5 трансформатора 6 в первый момент прикладываетс все напр жение конденсатора 12, так как транзисторы 1 и 2 насьпцены и напр жение на них мало. Амплитуда импульса первой ступени при этом будет равна Ктр J-i „ W7 коэффициент транс- W формации трансформатора 6. В процессе формировани импульса амплитуда первой ступени будет уменьшатьс во времени. Однако, если Ci2Kl7 rx где С р - емкость конденсатора 12; t п - длительность импульса; - сопротивление резистора 17, приведенное к первичной обмотке 5 трансформатора 6, то спад вершины первой ступени импульса будет незначителен. Длительность первой ступени импульса будет определ тьс временем пребывани транзистора 2 в насыщенном состо нии, В этом состо нии он поддерживаетс разр дным током конденсатора 14, протекающим в цепи его базы. Разр д конденсатора по цепи: насьпценный транзистор 1, диод 4, обща щина 2О, эмиттерный переход транзистора 2 и резистора 13, Как только ток в базе достигнет граничного значени , транзистор 2 начнет выходить из состо ни насыщени . Его запирание происходит под действием напр жени источника питани Vn,-, через резистор 16, С момента запирани транзистора 2 напр жение на его коллекторе возрастает, что приводит к уменьшению напр жени на первичной обмотке 5 трансформатора 6 и соответственно на резисторе 17 (см. фиг, 1). Как только напр жение на обмотке 5 трансформатора 6 достигнет величины напр жени Vn,j, диод Ю откроетс . Начина с момента Т. (см, фиг, 2), напр жение на резисторе 17 будет определ тьс напр жением Vn,j. При этом амплитуда второй вту- пени будет определ тьс соотношением VB Vn. 2 К mp Из работы схемы следует, что длительность первой ступени импульса можно регулировать , мен величину конденсатора 14 либо резистора 13. На этапе формировани второй ступени импульса транзистор 2 , закрыт, к его коллектору прикладываетс напр жение, равное а: VQ, поэтому транзистор 2. нужно выбирать из услови : -2 - VQ, . - напр жение пробо лавинного транзистора 2,