SU515256A1 - Спусковое устройство - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к радиотехнике и быть использовано в импульсных устройствах .

Известно, спусковое устройство на транзисторах одного типа проводимости, содер- ж-ащёе два транзистора, включенных по схеме с общим эмиттером, при этом база первого транзистора подключена к источнику входного сигнала, а база второго транзисто ра соединена с коллектором первого транзи- стэра Г l.

Целью изобретени   вл етс  повышение стабильности и внутреннего сопротивлени  источника входного сигнала.

Дл  этого в предлагаемое спусковое yciv ройство введен дополнительный транзистор, включенный по схеме с общей базой, коллектор которого соединен с базой первого тран зистора, а эмиттер соединен с коллектором второго транзистора.

Такое спусковое устройство обладает минимальным остаточным напр жевшем, большо стабильностью при работе от генератора с больщим внутренним сопротивлением с одновременным повышением нагрузочной способности .

На чертеже приведена принпипиальна  электрическа  схема спускового устройства.

Спусковое устройство содержит транзисторы 1 и 2 одного типа проводимости, включенные по схеме с общим эмиттером. База транзистора 1 подключена к источнику 3 входного сигнала, а база транзисто.ра 2. соединена с коллектором транзистора 1.

Дополнительный транзистор 4 включен по схеме с общей базой. Коллектор транзистора 4 соединен с базой транзистора 1, а эмиттер - через резистор 5 соединен с коллектором транзистора 2.

При входном токе, равном нулю, транзистор 1 заперт, а транзистор 2 насыщен, и на выходе 6 потенциал близок к нулю. Через эмиттер транзистора 4 протекает ток.

Устройство сработает тогда, когда транзистор 2 начнет выходить из насыщени . При этом повышаетс  выходное напр жение и уменьшаетс  ток эмиттера транзистора 4, то есть развиваетс  регенеративный процесс.

3

После срабатывани  потенциал на выходе 6 близок к потенциалу источника 7 вследствие насыщени  транзистора 1 и перехода транзистора 2 в отсечки. Транзистор 4 в зависимости от величины резистора 5

может остатьс  в активной области или же перейти в режим отсечки. Если транзистор 4 после срабатывани  остаетс  в активной области, то отпускание его произойдет сразу же после того, как входной ток достигнет такой величины, при которой транзистор 2 начнет открыватьс , вследствие чего начинает уменьшатьс  выходное напр жение и ток обратной св зи,, протекающий через резистор 5, что вызывает регенеративный процесс.

Максимально возможна  мощность нагрузки в данном устройстве определ етс  такой величиной резистора 8, при которой транзистор 2 после регенерации находитс  на грани отсечки и насыщени .

Источником входного тока спускового устройства может быть источник с любым внутренних: сопротивлением, в том числе и генератор тока. Известное устройство не

4

может работать эт источника с большим внутреННи м сопротивлепие,

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Спусковое устройство на транзисторах одного типа проводимости, содержащее два транзистора, включенные по схеме с общим эмиттером, при этом база первого транзистора подключена к источнику входного сигнала , а база второго транзистора соединена с коллектором первого транзистора, о т- личающеес  тем, что, с целью повыщени  стабильности и внутреннего сопротивлени  источника входного сигнала, в спусковое устройство введен дополнительный транзистор, включенный по схеме с об щей базой, коллектор которого соединен с базой первого транзистора, а эмиттер соединен через резистор с коллектором второго транзис1-ора.

   Источники информации, прин тые во вниман 1епри экспертизе:

   1, Авторское свидетельство СССР № 197686, приоритет 2О июн  1966 г.

   7

   -L +

   8