SU528696A2 - Разностный элемент управлени - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к усилительной технике , в частности к формировател м импульсов напр жени , и может быть использовано в вычислительных машинах.

Одно из известных устройств аналогичного назначени  содержит транзистор, между эмиттером и коллектором которого подключен диод 1. Это устройство потребл ет сравнительно большую мощность при формировании импульса напр жени . Наиболее близким по схеме и аналогичным по назначению  вл етс  разностный элемент управлени , содержап ий входной и выходной транзисторы, цепочку диодов, а также диод, включенный между базой входного транзистора и катодом одного из диодов цепочки 2. Однако это устройство потребл ет значительную мощность.

Целью изобретени   вл етс  снижение потребл емой мощности.

В предложенном разностном элементе управлени  это достигаетс  тем, что в него введен диод, включенный между эмиттером и коллектором входного транзистора.

На чертеже показана схема предложенного элемента.

Он содержит входной транзистор 1, выходной транзистор 2, цепочку диодов 3, 4, 5 и 6, диод 7, резисторы 8, 9, 10 и 11, входную 12 и выходную 13 клеммы.

При низком потенциале на входной клемме

12входной транзистор 1 открыт, выходной транзистор 2 закрыт и на выходной клемме

13- высокий потенциал. При подаче положительного фронта на входную клемму 12 транзистор 1 запираетс , за счет прохождени  входного сигнала через емкость эмиттерного перехода транзистора 1 диод 6 отпираетс  и напр жение на базе транзистора 1 фиксируетс  на уровне падени  напр жени  на диодах 3, 4 и 5. Емкость коллекторного перехода входного транзистора 1 зар жаетс  входным сигналом через открывшийс  диод 7, выходной транзистор 2 заперт н на выходной клемме 13 - но-прежнему высокий потенциал. При подаче отрицательного фронта напр жение на базе входного транзистора 1 за счет зар женных емкостей эмнттерного и коллекторного перехода снижаетс , и транзистор 1

остаетс  запертым, а вы.ходной транзистор 2 открываетс  и на выходной клемме 13 напр жение снижаетс  почти до нул .

Длительность формируемого выходного импульса определ етс  временем, в течение которого выходной транзистор 2 остаетс  включенным , а оно в свою очередь определ етс  временем, в течение которого входной транзистор 1 -заперт, завис щим от начального напр жени  на базе входного транзистора 1.

Начальное напр жение на базе входного транзистора 1 зависит от напр жений, до которых зар жаютс  емкости коллекторного и эмиттерного перехода входного транзистора 1 во врем  действи  положительного импульса на входной клемме 12.

Емкость коллекторного перехода входного транзистора 1 зар жаетс  током входного сигнала через диод 7, благодар  чему напр жение , до которого она зар жаетс , определ етс  только амплитудой входного сигнала и не зависит от параметра элементов схемы. Потребл ема  мощность значительно у.меньшаетс  за счет увеличени  величины резистора 10, так как его величина не вли ет на напр жение зар да емкости коллекторного перехода входного транзистора 1, котора  зар жаетс  через диод 7.

Claims (2)

1.Косов О. А. Усилители мощности на транзисторах в режиме переключений. М., Энерги , 1971, с. 59-62, рис. 2-5.

2.Авт. св. Хо 500599, М. Кл. Н ОЗК 5/02, 1974.

/

/