SU528802A1 - Полупроводниковый материал дл записи динамических фазовых голограмм - Google Patents

Description

Изобретение относитс  к области голографии и предназначено дл  получени  и воспроизведени  динамических голограмм в реальном масштабе времени. Эти голограммы могут быть использованы дл  решени  таких задач, как коррекци  нестационарных волновых фронтов мош,ных лазерных пучков, распознавание образцов в системах оптической обработки информации, создание лазеров с распределенной обратной св зью, а также дл  получени  голографических элементов (светоделителей, пространственных фильтров и др.). Дл  заниси динамических фазовых голограмм необходимы изменени  показател  преломлени  регистрирующей среды, которые обратимо измен ютс  под действием записывающего их лазерного излучени . Одной из важнейших характеристик динамических голограмм  вл етс  их быстродействие , которое определ етс  скоростью механизмов изменени  показател  преломлени  материала голограммы. Известен р д регистрирующих сред, в которых возможна запись фазовых голограмм в динамическом режиме. Это кристаллы сегнетоэлектриков , где измепение показател  преломлени  св зано с перераспределением объемных зар дов 1 и посто нна  времени (г) колеблетс  от 0,1 до 10 с; растворы поглощающих веществ с записью тепловых голограмм (т 10--- Ш- с) кристаллы окиси цинка с одновременной записью электронных и тепловых решеток (т 2х10-5 ;) кристаллы кремни  (т 2 - Зх 10 с) 4, а также кристаллы CdSe(y), CdS 5 с характерным временем жизии голограмм т-SxlQ-s Таким образом, из всех рассмотреиных выше материалов наиболее быстродействующими  вл ютс  полупроводники Si, CdSe и CdS, изменение показател  преломлени  в которых обусловлено достаточпо быстрыми электронными процессами. Ближайшим известным техническим решением к предлагаемому изобретению  вл етс  иолупроводниковый материал дл  записи динамических фазовых голограмм 6 в кристаллах CdS в красной области спектра, где существуют мощные высококогерентные источники излучени , наиболее пригодные длг. записи голограмм. Однако эти полупроводники имеют существенный недостаток - незначительную радиационную прочность по отиошению к действию на них лазерного излучени . Кристаллы CdS, например, разрушаютс  иод действием наносекундных импульсов излучеии  рубинового лазера лющностью 60-90 МВт/см-. Кроме того, каждый из этих полупроводников