SU542128A1 - Способ рентгенографического исследовани структуры кристаллов - Google Patents

Description

(54) СНОСОВ РЕН СТРУКТУ 1 Изобретение относитс  к рентгеноструктурному анализу и может примен тьс  при исследовании структурных несовершенств кристаллов. Известен способ исследовани  структурных несовершенств кристаллов по методу Берга- Баррета , согласно которому на поверхность кристалла под очень малым углом направл ют плоский пучок рентгеновских лучей и регистрируют дифрагированные лучи с помощью фотопластинки, расположенной около поверхности образца 1. Однако известный способ не позвол ет исследовать послойное распределение несовершенств в кристаллах без их разрушени , кроме того, он очень чувствителен к поверхностным нарушени м. Известен способ послойного исследовани  структурных несовершенств кристаллов по методу Боррмана, согласно которому направл ют рентгеновский пучок над брегговским углом и наблюдают аномальное прохождение пучка через образец 2. Однако при осушествлении этого способа используют очень узкие пучки, следствием чего  вл етс  недостаточна  экспрессность. Цель изобретени  - повышение экспрессности ОГРАФИЧЕСКОГО ИССЛЕДОВАНИЯ РИСТАЛЛОВ 2 приповерхностных монокристаллиисследовани  ческих слоев. Согласно изобретению, поставленна  цель достигаетс  тем, что рентгеновский пучок направл ют в торец образца под брегговским углом к плоскост м , параллельным поверхности образца, и регистрируют рассе нное излучение, вьппедшее из поверхности образца. Сущность изобретени  по сн ет чертеж. Пучок рентгеновских лучей 1, ограниченньш щелью 2 до заданной ширины, направл ют в торец образца под углом Вульфа-Брэгга к отражающим плоскост м, которые параллельны поверхности образца 3. Отражающее положение образца, которое соответствует выходу дифрагированных лучей 4 из образца 3, провер ют счетчиком излучени  с регистрирующим устройством. Рассе нные в направлении дифрагированного пучка лучи 4 регистрируют на фотопластинке 5, которую располагают вблизи от поверхности исследуемого образца 3. На фотопластинке получают топограмму с изображением дефектов структуры, наход щихс  в слое, параллельном поверхности образца, толщина которого определ етс  заданной шириной рентгеновского пучка. Области образца, наход щиес  вне этого сло .