SU646706A1 - Способ обработки полупроводниковых детекторов - Google Patents
Способ обработки полупроводниковых детекторов Download PDFInfo
- Publication number
- SU646706A1 SU646706A1 SU772492787A SU2492787A SU646706A1 SU 646706 A1 SU646706 A1 SU 646706A1 SU 772492787 A SU772492787 A SU 772492787A SU 2492787 A SU2492787 A SU 2492787A SU 646706 A1 SU646706 A1 SU 646706A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- semiconductor detectors
- treating semiconductor
- positron
- detectors
- junction
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
Description
Позитронный поток дозой 10 позитрон/см2 уменьшает емкость р- г-перехода без ухудшени энергетического разрешени .
Способ реализуетс следуюш,им образом. В исходную пластину полупроводника р-ти-. па путем термодиффузии с последуюш,им дрейфом в электрическом поле внедр етс литий, затем пластина химически обрабатываетс , нанос тс омические контакты, проводитс сборка детектора в капсулу, и затем изготовленный детектор облучаетс
ПОЗИТрОННЫМ потоком 1012- 1Q13 пОЗИтрон/см . Позитронное облучение приведет, во-первых, к освобождению или переводу электронов и дырок из глубоких примесных уровней на ловушки с меньшей энергией св зи; во-вторых, к дрейфу ионов лити на большую глубину, в результате при приложении обратного смешени будет увеличиватьс толшина чувствительного сло р-п-перехода. Радиационные нарушени при позитронном, облучении ничтожны. Таким образом, при позитронном облучении детекторов потоком позитрон/см2 происходит улучшение электрических характеристик детекторов и увеличение чувствительного сло р-п-перехода без заметного ухудшени других характеристик , что позвол ет получить значительный экономический эффект.
Claims (3)
1.Курносов А. И., Юдин В. В. Технологи производства полупроводниковых приборов . М., «Высша школа, 1974, с. 5.
2.Дж. Дирнли, Д. Нортрон. Полупроводниковые счетчики излучени . М., «Мир, 1966, с. 6.
3. S. Nakomoto ,et al. Journal of Applied Physics. V. 13, № 3, 1974, p. 524.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU772492787A SU646706A1 (ru) | 1977-06-06 | 1977-06-06 | Способ обработки полупроводниковых детекторов |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU772492787A SU646706A1 (ru) | 1977-06-06 | 1977-06-06 | Способ обработки полупроводниковых детекторов |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU646706A1 true SU646706A1 (ru) | 1980-04-30 |
Family
ID=20711844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU772492787A SU646706A1 (ru) | 1977-06-06 | 1977-06-06 | Способ обработки полупроводниковых детекторов |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU646706A1 (ru) |
-
1977
- 1977-06-06 SU SU772492787A patent/SU646706A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SE7702883L (sv) | Minskning av omkopplingstiden hos halvledaranordningar medelst nukleer bestralning | |
| US2988639A (en) | Method and device for sensing neutrons | |
| US4276099A (en) | Fabrication of infra-red charge coupled devices | |
| Beaumont et al. | GaAs solid state detectors for particle physics | |
| US3257570A (en) | Semiconductor device | |
| SU646706A1 (ru) | Способ обработки полупроводниковых детекторов | |
| US3462311A (en) | Semiconductor device having improved resistance to radiation damage | |
| JPS6017956A (ja) | 耐放射線半導体素子 | |
| GB1083287A (en) | Solid state photosensitive device | |
| US3918996A (en) | Formation of integrated circuits using proton enhanced diffusion | |
| US3086117A (en) | Semiconductive dosimeters | |
| JPS5538058A (en) | Semiconductor device | |
| Kuhn et al. | Short strips for the sLHC: a p-type silicon microstrip detector in 3-D technology | |
| US4003759A (en) | Ion implantation of gold in mercury cadmium telluride | |
| JPS61231776A (ja) | 光検知半導体装置 | |
| Shah et al. | High efficiency detection of tritium using silicon avalanche photodiodes | |
| Chasman et al. | Large active volume, thin entry window semiconductor radiation detectors | |
| JPS6328076A (ja) | 半導体放射線検出器 | |
| SU649270A1 (ru) | Способ создани в кремнии слоев @ -типа проводимости | |
| JPH0447992B2 (ru) | ||
| JPS52120774A (en) | Semiconductor device | |
| Kabalnov et al. | Investigation into the radiation hardness of photodiodes based on silicon-on-sapphire structures | |
| Soliman | Operation of bipolar and field effect transistors in radiation environments | |
| JPS5661179A (en) | Preparation of semiconductor radiation detector | |
| TSURUSHIMA et al. | Ion implantation and its applications: Review of current research and development(Control of electrical and physical characteristics of semiconductor materials and devices by ion implantation) |