SU680351A1 - Устройство дл дифференцированного гальванопокрыти оснований микросхем - Google Patents

Description

1

Изобретеиие касаетс  нанесени  гальванических нокрытнй на издели  электронной техники и может быть иснользовано дл  нанесени  золота на основани  интегральных микросхем.

При изготовлении микросхем монтаж ведетс  золотой проволокой методом термокомнрессии , дл  чего контактные нлощадки ВЫ1ЮДОВ оснований микросхем покрываютс  слое.м полота. Така  же иокрыти  требуетс  и на внутренней стороне донышка дл  носадки кристалла на эвтетику.

Известно устройство дл  локального нокрыти  металлами, в котором участки оснований микросхем, не нодлел ащие покрытию (технологическа  рамка), зажаты (закрыты ) между двум  прокладками (тина резины), а на остальную часть золото осаждаетс  одинаковой толщины.

С обеих сторон детали укладываютс  перфорированные аноды из листового золота .

Отдельные  чейки собираютс  в пакеты, уплотн емые с торцов жесткими подушками 1.

Основными недостатками этого устройства  вл ютс  сложность конструкции дл  большого количества оснований, низка  нроизводительность нрн загрузке-выгрузке

и оольшие потери золота нрн изготовлении перфорированных анодов.

По сравнению с гальванонокрытием осиований в барабанах устройство дает небольшую экономию золота, так как на участки , не зажатые прокладками, золото наноситс  одинаковой толщины. Однако дл  создани  надежных контактных соединении достаточно имет;, требуемую дл  этого тол1Ц1111У покрыти  только на контактных плоН1адках , а на остальных част х в 4--6 раз меньше, т. е. 1 -1,5 мкм.

Известно устройство лТ,л  днфференциронанного гальванопокрыти  оснований микросхем , которое состоит из погружаемой в электролит металлической кассеты с гнездами дл  укладки основаннй микросхем и металлической крышки с угольнымн электродами , количество которых соответетвует количеству обрабатываемых деталей и которые нрн закрытии кассеты наход тс  против детали на определенном рассто нии 2.

В процессе электролиза против электродов на детал х покрытие получаетс  толще, чем на остальных част х детали (дифференцированное покрытие).

Это устройство в массовом производстве также не применимо, так как имеет незначительную емкость кассет, следовательно.

низкую производительность покрыти , и кроме того, незначительную разницу в толщине нокрытн  «видимых и «невидимых угольными электродами новерхностей, тем более определенного учаетка «видимой стороны ввиду большого рассеиваии  электрического пол  от большого количества анодов, что может дать также незначительную экономию золота, а также «засорение электролита угольными электродами (науглероживание ), что вли ет на качество нокрыти .

Цель изобретени  - повышение ироизводительности и качества покрыти  - достигаетс  тем, что в устройстве дл  дифференцированного гальванопокрыти  осиований микросхем корнус выполнен в виде полого цилиндра из изол ционного материала , в основани х которого выполнены отверсти  дл  электролита, гнезда выполнены в виде отверстий, размеры и форма которых соответствуют размерам оснований микросхем с максимальной толщиной нокрыти , а анод выполнен в виде стержн , размещенного в полости цилиндра и установленного по оси цилиндра, причем контактные и креиежные элементы выполпеиы в виде проволочных колец, охватывающих корпус и поджатых цилиндрическими пружинами , а отверсти  в основани х цилиндра выполнены регулируемыми ио величине их сечени .

На чертеже изображено устройство дли дифференцированного гальванопокрыти  оснований микросхем.

Оно содержит корпус 1, изготовленный из изол ционного материала, нанример термостойкого оргстекла или нолистнрола ПСМ, в виде полого цилиндра. Перемычками 2 и штырьками 3 по периметр} корпуса образованы р ды гнезд дл  оснований микросхем . В середине каждого гнезда имеютс  отверсти  4, размеры н форма которых соответствует размерам оенований микросхем с максимальной толщиной нокрыти .

На наружной поверхностн корпуса 1 ио р дам отверстий размещены контактные и крепежные э зементы в виде проволочных колец 5. Сверху кольца 5 поджаты цилиндрическими пружинами 6. Кольца 5 и пружины 6 соединены с катодом 7. Основани  8 устройства выполнены с двойным дном с отверсти ми 9. Поворотом подвижной части дна можно регулировать сечение отверстий 9. Внутри корпуса по оси цилнидра установлен анод 10, соединенный с контактом И.

Устройство работает следующим образом . Основани  микросхем 12 ободком внутрь вставл ютс  в гнезда, образованные перемычками 2 и штырьками 3 против отверстий 4 под пружины 6. При этом основани  прижимаютс  ободком к нроволочному кольцу 5, Б результате осуществл етс  контакт ободка с катодом 7, а посредством пружин 6 катод 7 соедин етс  с дном

и контактными рамка.ми основаннй 8. Устройство подключаетс  к источнику тока и погружаетс  в ванну с электролитом. По окончании гальванопокрыти  пружинки «расстегиваютс  и основани  высыпаютс 

в корзинку дл  дальнейшей обработки.

Описываемое устройство обеспечивает значительиую экономию золота за счет того , что на «невидимых анодом участках оснований толщина покрыти  в 4-6 раз

меньще, чем на «видимых, илощадь которых в 4 раза меньше чем «невндимых, качество покрыти  за счет чистоты электролита и надежности контактов улучшаетс , а также из-за размешени  всех оснований

на одинаковом рассто ннн от анода, что обеспечивает стабильную толщину покрыти .

Возможность одновре.меиной обработки большого числа оснований (1500-2000

штук) повышает производительность работы устройства.

Ф о р м } л а изобретен и  

1. Устройство дл  дифференцированного гальванопокрыти  оснований микросхем, содержащее корпус с гнездами дл  размещени  оснований микросхе.м, анод, катод, контактные и кренежные эле.менты, отличающеес  тем, что, с целью иовышени  нронзводителыюсти и качества покрыти , корпус выполнен в виде rio.ior-o цилиндра из изол ционного .материала, в основани х которого вынолиены отверсти  дл  электролита , гнезда выполнены в виде отверстий, размеры и форма которых соответствуют раз.мерам оснований микросхе.м с максимальной толщиной нокрити , а анод выполнен Б виде стерж1  , размещенного в

полости Ц11.1индра и устаиовле1нюго по оси цилиндра, причем контактные и крепежные элементы выполнены в виде проволочных колец, охватывающих корпус и иоджатых цилиндрическими пружинами.

2. Устройство ио н. 1, о т л н ч а ю ш е е с   тем, что, с целью регулировани  толщины нокрыти , отверсти  в основашг х цилиндра вьнюлиены регулируемыми но величине их сечени .

Источник и и и ф ор м а ц и и, нрин тые во внимание при экспертизе

. Авторское свидетельство СССР 487164, кл. С 25D 17/00, 1972.

2. Патент Японии № 27268, кл. 99(5) C2I, 1964.

Claims (2)

1. Формула изобретен и я

   30 1. Устройство для дифференцированного гальванопокрытия оснований микросхем, содержащее корпус с гнездами для размещения оснований микросхем, анод, катод, контактные и крепежные элементы, отли35 чающееся тем, что, с целью повышения производительности и качества покрытия, корпус выполнен в виде полого цилиндра из изоляционного материала, в основаниях которого выполнены отверстия для электро-10 лита, гнезда выполнены в виде отверстий, размеры и форма которых соответствуют размерам оснований микросхем с максимальной толщиной покрытия, а анод выполнен в виде стержня, размещенного в 45 полости цилиндра и установленного по оси цилиндра, причем контактные и крепежные элементы выполнены в виде проволочных колец, охватывающих корпус и поджатых цил и ι щр и ч ес к и м и пружинами.

   50 2. Устройство по π. 1, отличающееся тем, что, с целью регулирования толщины покрытия, отверстия в основаниях цилиндра выполнены регулируемыми по величине их сечения.

   Источник и и н ф ор м а ц и и, принятые во внимание при экспертизе

   1. Авторское свидетельство СССР G0 № 487164, кл. С 25D 17/00, 1972.
2. 2. Патент Японии Ар 27268, кл. 99(5) С21, 1964.