SU714497A1 - Оптоэлектронное запоминающее устройство - Google Patents

Description

(54) ОПТОЭЛЁКТРОННОБ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

инерционностью сло  фотопроводника и катушек дл  создани  магнитного пол . Устройство отличаетс  сложностью конструкции из-за необходимости приложени  светового, электрического и магнитного в оздейстБИй и высокой стоимостью,  з-за примен емой монокристалличебкой среды. Емкость устройства ограничена чувствитбльнб« Рью примен емых запоминающих впементов, а также увеличением стоимос- , ти и резким снижением быстродействи  при попытке увеличени  размеров запоминающих плат.

Целью Изобретени   вл етс  првышение быстродействи  и информационной (- |j ТВ устройства. Поставленна  цель дости;гаетс  тем, что в устроистее каждый эап оминаютпий элемент матрицы выполнен из многослойного йЬлупроводникового , светочувствительного материала, напри- о Мер, МНОП, с прозрачным управл ющим и выходным электродами; причем 11рОзрачныЙ управл ющий электрод подключен к : выходу одного из разр дов входаого регистра , а выходной электрод - ко входу 25 Соответствующего разр да выходного регистра .

Схема устройства йриве ена на чертеже . Оно содержит: источник 1 электромагнитн:ого излучени , отклон ющий блок зо 2, регистр 3 адреса, расщепитель 4, фокусжрующий блок 5, блок 6 Мультипликации растров, запоминающие платы 7 с Матрицей запоминающих элементов, входной 8 и выходной 9 регистры.35

В К честве источника электромагнитного изл5гчени  чаще всего примен етс  лазер, хот  в отдельных применени х это может быть электронно-лучева  пуипса и 40 тогда устройство должно быть помещено в вакуум. Со световым лучом в качестве отклон ющего блока используютс  электрооптический или акусторнтический дефлек ,тор, с электронным лучом - отклон ю- 45 щие пластины.

В качестве расщепител  используетс  или Голограмма, или призматический расщепитель из двух лучепрепомл юших кристаллов или электронна  линза. В ка- 50 честве фокусирующего блока чаще всего используетс  соответствующа  линза или объектив. Впек мультипликации растров выполн етс  или в виде голограммы или из светоделительных кубиков, или в виде ss соответствующих электронных линз. Запоминающие элементы, расположёнНые в виде матрицы на запоминающих платах, выполнены из многослойного полупровод-

откового светочувствительного материала с прозрачным управл ющим и выходным электродами и содержат каждый много запоминающих  чеек ( + 10 ), в которых хранитс  информаци . Выборка одно из  чеек кансдого элемента определ етс  кодом адреса.

Устройство работает следующим образом . Во врем  выборки информации луч света от «Источника электромагнитного излучени  проходит отклон ющий блок и от кдон етс  в одно из положений. Определ емых кодом адреса на адресном регистре. Проход  расщепитель, луч расщепл етс  на множество лучей, которые образуют растр (например, -8 х 8 или. 16 х 16 положений ). Проход  фокусирующий блок, лучи , образующие растр, фокус  зуютс , в точке диаметром в несколько микрон на поверхности запоминающих плат (по од ной точке на каждый запоминающий элемент платы), расположенных на равном рассто нии от фокусирующего блока, равном фокусному; Между фокусирующим блоком и запоминающими платами расположен блок мультипликации растров, выполненный одним из известных сносрбов, например, голографическим в виде голограммы из светоделительных кубиков, или из полупрозрачных зеркал. Это устройство размножает световой растр, на рабочие поверхности всех элементов. Во врем  записи информации к управл ющим электродам образцов многослойных полупроводниковых светочувствительных запоминающих элементов прик:ладываютс положителные (дл  записи ) или ,отрицательные (дл  записи 1) напр жени , превышню-ii шие порюговое, которые вМесте со световым воздействием обеспечивают зар д ловушек на .границе двух диэлектриков или ;диэлектрика и полупроводника и соответствующий изгиб зон в полупроводнике. Этот зар д ловушек сохран етс  при выключении пита1ш  длительное врем . Основные принципы работы многослойных светочувствительных, полупроводниковых элек гентов не отличаютс  от работы известных МНОП (металл-цитрид-окиселполупроводник ) или МДПМ (металл-оиэлектрик-поттупроводиик-метэлл ) приборов ,.

Claims (1)

1. При считывании информации к управл ющим электропам запоминающих элемен-. тов прикладываетс  и  1ульс однопол р ного (нанрймер, отрицательного) напр жени , но Величине tie превышающего цорогопое . При этом в  чейке, оцредел емой точкой приложени  светового икшуль .са, возникает считывание информации в виде электрического илтупьса напр жени  на выходном «шектроде npit наличии в  чейке О, импульс отсутствует при наличии в  чейке l. При реализации предложени  достйгаютс  указанные в цепи преимущества, Е  тедствие высокой чувствительности примененной запоминающей средь быстродействие и емкость устройства существенно стут по сравнению с прототипов на одиндва пор дка. При этом отсутствует необходимость приложени  магнитных попей. устран«ютс  фотопроводншс, анализатор и фотоприемншс, что упрощает устройство. f5 дейс4Г Р° . Формула изобретени  -,20 Оптоэлектронное запоминающее устройство , содержащее расположенные на одной оптической оси источник электромагнитноге излучени , о-пслон ющий блок, соединенный 7144 о 97 с регистром адреса, расщепитель, фокуси. рующий блок и блок мультипликации растров на поверхности запоминающих плат; с матрицей запоминающих элементоё и входной и выходной регистры, о т л и14 а ю щ е е с   тем, что, с целью увёличеш  информационной емкости и быстродействи  устройства, в нем каждый запоминающий элемент матрицы выполнен из многослойного полупроводникового светочувсгвительного материала, например MHOn. с прозрачным управл ющим и выходным электродами, п рачиый  к. щий электрод пошлючеГк вьгходу из разр дов входного регистра, а выход - «о входу соой;тсГз, разр да выходного регистра. Источники информации, Прин тые ВО внимание При гкспертизе 1. Авторское свидетельство СССР № 332494, кл. Q 11 С 11/42 1972 2, Журнал Appe. , IGTs У, 14, № 11, с, 2607-2613