SU75498A1 - Электронно-лучева трубка дл телепередач - Google Patents

Description

Предметом изобретени   вл етс  электронно-лучева  трубка дл  телепередач со сплошным фотокатодом и электронно-лучевым разложение1М изображени . Предлагаема  электрОНно-лучева  трубка отличаетс  от существующих тем, что сплощна  полупровод ща  прозрачна  пленка расположена иепосредственно перед фотокатодом или последний покрыт слоем мелких частиц из измельченного полупроводника. Потенциальный рельеф Создаетс  фотоэлектронами , вырываемыми светом из фотокатода и прощедшими сквозь слой полупроводника на его наружной поверхности. Развертка потенциального изображени  производитс , как обычно, пучком быстрых электронов. Фотокатод,  вл ющийс  одновременно и сигнальной пластинкой , соединен с входным сопротивлением усилител .

Схема устройства электронно-лучевой трубки показана на чертеже.

На небольщом рассто нии от сплошного фотокатода / помещена тонка  пленка 2 из прозрачного полупроводника . По поверхности пленки перемещаетс  электронный луч строчной развертки.

При отсутствии изображени  пленка 2 полупроводника вследствие обегани  электронным лучом

принимает потенциал коллектора 3 и в промежутке фотокатод - пленка образзетс  равномерное электрическое поле.

При по влении изображени  в зависимости от освещенности участка фотокатода возникает эмиссионный ток и электроны под воздействием электрического пол  перенос тс  на поверхность пленки полупроводника, обращенную к фотокатоду.

Вследствие проводимости этой пленки токи, проника  на ее внешнюю поверхность, создают здесь потенциальный рельеф изображени . При обегании электронным лучом потенциального рельефа измен етс  ток во внешней цепи, т. е. во входном сопротивлении R усилител .

Предмет изобретени 

Электронно-лучева  трубка дл  телепередач со сплошным фотокатодом и электронно-лучевым разложением изображени , о т л и ч а ющ а   с   тем, что сплошна  полупровод ща  прозрачна  пленка расположена непосредственно перед фотокатодом или последний покрыт слоем мелких частиц из измельченного полупроводника, с целью образовани  потенциального рельефа фо205 тоэлектрОНами, вырываемыми светом из фотокатада и прошедшил1И сквозь СЛОЙ полупроводника па его наружной поверхности, причем сиг-нальной пластинкой  вл етс  тот же. фотокатод.

Л усилителю

I v.