SU761976A1 - Состав для удаления фоторезистов 1 - Google Patents

Состав для удаления фоторезистов 1 Download PDF

Info

Publication number
SU761976A1
SU761976A1 SU782621566A SU2621566A SU761976A1 SU 761976 A1 SU761976 A1 SU 761976A1 SU 782621566 A SU782621566 A SU 782621566A SU 2621566 A SU2621566 A SU 2621566A SU 761976 A1 SU761976 A1 SU 761976A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
sodium
composition
conductors
tin
quinoline
Prior art date
Application number
SU782621566A
Other languages
English (en)
Inventor
Vasilij T Marun
Evgenij A Bushuev
Vladimir Ermilov
Original Assignee
Vasilij T Marun
Evgenij A Bushuev
Vladimir Ermilov
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vasilij T Marun, Evgenij A Bushuev, Vladimir Ermilov filed Critical Vasilij T Marun
Priority to SU782621566A priority Critical patent/SU761976A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU761976A1 publication Critical patent/SU761976A1/ru

Links

Landscapes

  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Description

Изобретение относится к составам для удаления фоторезистов с поверхности схем проводников и может быть использовано в радиотехнической промышленности.
Известны составы для удаления фоторезистов с поверхности схем проводников, покрытых серебром, включающие гидроокись щелочного металла, тетраборнокислый натрий, метакремнекислый натрий и органическую добавку, например фурфуриловый спирт или производные фенола [1].
Такие составы не пригодны для удаления фоторезистов с печатных плат со схемой проводников, имеющих поверхностный слой из сплава олово — кобальт, заменившего в производстве печатных плат дорогостоящий металл — серебро. Это обусловлено тем, что вследствие химического воздействия соства на проводники покрытые сплавом олово — кобальт, происходят миграция олова на поверхности изделия и нарушение контура проводников.
Наиболее близким к предложенному составу является состав для удаления фоторезистов на основе поливинилового спирта с поверхности схем проводников, включающий тетраборнокислый натрий, метакремнекислый натрий, двунатриевый фосфат, β-нафтол, смачиватель — сложный эфир
2
фосфорной кислоты и реагент сульфатного спирта, а также воду >[2].
Недостатком такого состава является то, что при удалении фоторезистов с поверхно5 сти схем проводников, покрытых сплавом олово — кобальт, он оказывает химическое воздействие на проводники, в результате чего снижаются качество схем и выход годной продукции.
Целью изобретения является повышение качества сх.ем проводников, покрытых сплавом олово — кобальт.
Поставленная цель достигается тем, что состав для удаления фоторезистов на основе поливинилового спирта с поверхности схем проводников, включающий тетраборнокислый натрий, метакремнекислый натрий, смачиватель и воду, в качестве смачивателя содержит триэтаноламин и дополнительно содержит едкий натр, нитрит натрия, хинолин и этилендиамин при следующем
соотношении компонентов, вес. %:
Тетраборнокислый натрий 0,5—1
Метакремнекислый натрий 0,5—1 . Триэтаноламин 10—20
Едкий натр 10—30
Нитрит натрия 2—5
Хинолин и этилендиамин в соотношении 1:15 1—2
Вода Остальное
761976
3
Использование предложенного состава при снятии фоторезистов с поверхности схем проводников, покрытых сплавом олово — кобальт, позволяет исключить точечную коррозию проводников и более полно удалять фоторезисты, что приводит к повышению качества схем.
Пр и м е р. Удаляемый фоторезист относится к классу негативных фоторезистов на основе поливинилового спирта следующего состава:
Спирт поливиниловый сухой, г 70—120
Аммоний двухромовокислый, % от веса сухого спирта 30—10
Спирт этиловый, мл/л 30—50
Вода, мл До 1000
После нанесения фоторезиста на поверхность изделий производят следующую обработку его:
Сушка в сушильном шкафу при 55—50°С в течение 20—30 мин.
Задубливание пробельных участков схемы под действием ультрафиолетовых лучей в течение 5—7 мин на светокопировальной установке (длина волны света 350— 420 нм).
Химическое дубление в растворе хромового ангидрида концентрацией 60 г/л в течение 2 мин при 18—22°С.
Промывка в холодной воде.
Сушка при 18—25°С в течение 1 ч.
Термическое дубление при 120°С в течение 2—3 ч в установке терморадиационного дубления.
Предложенный состав готовят путем растворения хинолина и этилендиамина в соотношении 1:15 в 750 мл холодной воды. В полученный раствор при тщательном перемешивании добавляют триэтаноламин, метакремнекислый натрий, тетраборнокислый натрий, нитрат и едкий натр, затем объем доводят водой до 1 л.
Фоторезист удаляют с поверхности схем
проводников, покрытых сплавом олово — кобальт, методом погружения в растворы, составы которых приведены в табл. 1.
Таблица I
Компонент состава и режим работы Концентрация, вес. %
Номер состава
1 2 3
Едкий натр 10 25 30
Нитрит натрия 2,0 4,0 5,0
Триэтаноламин 10 15 20
Тетраборнокислый 0,5 0,8 1,0
натрий
Метакремнекислый 0,5 0,8 1,0
натрии
Смесь хинолина и эти-
лендиамина (1:15)
Хинолин 0,0625 0,1 0,125
Этллендизмнн 0,9375 1,5 1,875
Вода 76,0 52,8 41
Температура, 9С 60—70 60—70 60-70
Время обработки, мин 2,0 0,7 0,5
После выдержки в составах 1—3 схемы промывают в горячей воде при 60—70°С в течение 3—5 мин, а затем в холодной воде в течение 5—7 мин. Фоторезист с поверхности схем удаляется полностью.
Физико-механические свойства схем проводников, покрытых сплавом олово — кобальт, с которых фоторезисты удаляют в предложенных составах 1—3 и в известном составе {2], приведены в табл. 2.
Как следует из табл. 2, использование предложенного состава позволяет повысить качество схем проводников, покрытых сплавом олово — кобальт, и исключить использование серебра при изготовлении схем.
761976
Таблица 2
Наименование испытаний Физико-механические свойства схем после удаления фоторезиста
в известном составе [2] в предложенных составах 1—3
Прочность сцепления медной фольги с диэлектриком (в исходном состоянии не менее 1000 гс/см), гс/см 600—700 Наблюдается вспучивание—отсдаивание от диэлектрика на глубину 5—10 мм от края печатных плат Не менее 1000
Сопротивление изоляции диэлектрика, мОм Не менее 1000 Не менее 1000
Шероховатость подложки—медной электролитической фольги марки ФМЭО (в исходном состоянии 3—4 мкм), мкм 5-8 3-4
Сплошность проводников с поверхностным слоем из сплава олово—кобальт На поверхности проводников отдельные язвы Разрушений проводников нет
Внешний вид а) подложки—медной электролитической фольги марки ФМЭО. б) проводников с поверхностным слоем из сплава олово—кобальт Темно-серый налет на поверхности фольги и проводников Фон поверхности фольги и проводников полублестящий
Растекаемость припоя на подложке—медной электролитической фольге (используют заготовку припоя ПОС 61 весом 0,1 г/ммг 28 40
Травление подложки — медной электролитической фольги Из-за наличия на поверхности фольги темного налета медь травится неравномерно. Края проводников неровные Медь удаляется полностью без разрушения проводников печатрой схемы

Claims (1)

  1. Формула изобретения
    Состав для удаления фоторезистов на основе поливинилового спирта с поверхности схем проводников, включающий тетрабор- 5 нокислый натрий, метакремнекислый натрий, смачиватель и воду, отличающийся тем, что, с целью повышения качества схем проводников, покрытых сплавом олово — кобальт, в качестве смачивателя он 10 содержит триэтаноламин и дополнительно содержит едкий натр, нитрит натрия, хинолин и этилендиамин при следующем соотношении компонентов, вес. %:
    Тетраборнокислый натрий 0,5—1
    Метакремнекислый натрий 0,5—1 Триэтаноламин 10—20
    Едкий натр ’ 10—30
    Нитрит натрия 2—5
    Хинолин и этилендиамин в соотношении 1:15 1—2
    Вода Остальное
SU782621566A 1978-05-30 1978-05-30 Состав для удаления фоторезистов 1 SU761976A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782621566A SU761976A1 (ru) 1978-05-30 1978-05-30 Состав для удаления фоторезистов 1

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782621566A SU761976A1 (ru) 1978-05-30 1978-05-30 Состав для удаления фоторезистов 1

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU761976A1 true SU761976A1 (ru) 1980-09-07

Family

ID=20767156

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU782621566A SU761976A1 (ru) 1978-05-30 1978-05-30 Состав для удаления фоторезистов 1

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU761976A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0085701B1 (en) Copper-containing articles with a corrosion inhibitor coating and methods of producing the coating
JPS63503553A (ja) 銅からスズまたはスズ‐鉛合金を除去する改良方法
JPS6190492A (ja) 銅スル−ホ−ルプリント配線板の製造方法
US1994500A (en) Etching zinc plates
US4373656A (en) Method of preserving the solderability of copper
KR100316987B1 (ko) 땜납과주석을인쇄회로기판으로부터제거하는조성물및방법
US3565707A (en) Metal dissolution
SU761976A1 (ru) Состав для удаления фоторезистов 1
US3476624A (en) Process of etching copper circuits
US4379834A (en) Process for cleaning copper-containing metal surfaces
EP0309243B1 (en) Pre-etch treatment of a plastics substrate
US3644155A (en) Cleaning and brightening of lead-tin alloy-resisted circuit boards
CN113504715A (zh) 一种印刷线路板显影添加剂
CA1045909A (en) Processes and products of sensitizing substrates
CN111880384B (zh) 用于去除晶圆表面光刻胶的环保型去胶剂
JPS63129692A (ja) プリント配線板の製法
CN119640248B (zh) 一种棕化添加剂及其应用的ic载板棕化方法
SU1176292A1 (ru) Светочувствительна композици дл травлени
SU790379A1 (ru) Раствор дл удалени фоторезиста
JPH03235395A (ja) 銅スルーホールプリント配線板の製造方法
JPS63147168A (ja) 印刷回路板上のフオトレジストの除去剤および除去法
SU1249071A1 (ru) Раствор дл обработки резистивных материалов
SU1318607A1 (ru) Раствор дл травлени поверхности диэлектриков перед металлизацией
KR20260000714A (ko) 은 또는 은합금의 선택적 박리제 조성물
SU553273A1 (ru) Раствор дл травлени печатных плат