SU773725A1 - Запоминающее устройство - Google Patents

Запоминающее устройство Download PDF

Info

Publication number
SU773725A1
SU773725A1 SU792751285A SU2751285A SU773725A1 SU 773725 A1 SU773725 A1 SU 773725A1 SU 792751285 A SU792751285 A SU 792751285A SU 2751285 A SU2751285 A SU 2751285A SU 773725 A1 SU773725 A1 SU 773725A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
output
key
zero
memory elements
semiconductor memory
Prior art date
Application number
SU792751285A
Other languages
English (en)
Inventor
Владимир Сергеевич Жижин
Александр Альдонович Филимонов
Евгений Ярославович Ваврук
Original Assignee
Предприятие П/Я В-8751
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я В-8751 filed Critical Предприятие П/Я В-8751
Priority to SU792751285A priority Critical patent/SU773725A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU773725A1 publication Critical patent/SU773725A1/ru

Links

Landscapes

  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Description

1
Изобретение относитс  к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах ЭВМ.
Известно полупроводниковое запоминак дее устройство, содержащее элементы пам ти, подключенные через ключ к шине питани  генератора, в которых используетс  импульсное питание Cl. jQ
Однако в таком устройстве в режиме хранени  на элементы пам ти подаютс  импульсы питани  дл  поддерживани  целостности информации. При этом частота следовани  импульсов питани  не зависит от температуры элементов , что приводит к сравнительно высокой потребл емой мощности .
Сравнительно высока  потребл ема  JQ мс цность обуславливаетс  следующими причинами. Минимальна  частота следовани  импульсов питани , при которой обеспечиваетс  сохранность информации в запоминающем устройстве, 25 зависит от температуры элементов пам ти . Причем, чем выше температура элементов пам ти, тем выше должна быть частота следовани  импульсов питани . Дл  обеспечени  надежной ,„
рабЬты запоминающего устройства час тота следовани  импульсов питани  должна соответствовать максимальг ной допустимой температуре нагрева элементов пам ти. Тогда при нормальной температуре производитс  потребление лишней мс дности.
Дл  устранени  такого недос татка необходимо измен ть частоту следовани  импульсов питани  в соответствии с изменением температуры элементов пам ти.
Наиболее близким к изобретению из известных устройств  вл етс  полупроводниковое запоминающее устройство , содержащее полупроводниковые элементы пам ти, соединенные через ключ с шиной питани , датчик темпе-г ратуры, выход которого подключен к входам аналого-цифрового преобразовател , дешифратор, генератор, счетчик , схемы И, одни входы которых соединены с выходами дешифратора, а другие входы - с выходами счетчика , схему ИЛИ 2.

Claims (2)

  1. Недостатком этого устройства  вл етс  низка надежность , обусловленна  тем, что управление подачей импульсного питани  полупроводнике вых элементов пам ти осуществл етс  на основании данных только об одном случайно выбранном элементе пам ти, а также сравнительно большими аппаратными затратами. Цель изобретени  - повышение надежности устройства. Поставленна  цель, достигаетс  те что в запоминающее устройство, содержащее полупроводниковые элементы пам ти, подключенные через ключ к шине питани , введены нуль-орган, вход которого подключен к выходу ключа, и генератор пр моугольных им пульсов, вход которого подключен к выходу нуль-органа, а выход подключ к управл ющему входу ключа. Блок-схема устройства приведена на чертеже. Устройство содержит полупроводни ковые элементы 1 пам ти, нуль-орган формирователь 3 пр моугольных импул сов, ключ 4, шину 5 питани . Устройство работает следующим образом. При отключении питани  напр жение на выходе ключа 4 за счет разр да паразитных емкостей будет уменьшат с  по экспоненте. Когда .напр жение на выходе ключа 4 некоторого порогового значени ,нуль-орган вырабатывает управл ющий сигнал, который поступает на вход формировател  3 пр моугольных импульсов. Формирова тель 3 пр моугольных импульсов фор мирует пр моугольный импульс, который поступает на вход ключа 4, осуществл ющего подачу импульсного питани  на полупроводниковые элементы 1 пам ти. Таким образом, осуществл етс  автоматическа  регулировка частоты импульсного питани  не зависимо от параметров одного случайно выбранного элемента пам ти. Применение предлагаемого устройства в вычислительной системе позволит повысить надежность и получить экономический эффект от его внедре ни . Формула изобретени  Запоминающее устройство,содержащее полупроводниковые элементы пам ти, подключенные через ключ к шине питани , отличающеес  тем, что, с целью повышени  надежности устройства в него введены нуль-орган , вход которого подключен к выходу ключа, и генератор пр моугольных импульсов, вход которого подключен к выходу нуль органа, а выход подключен к управл ющему входу ключа. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1. Патент США № 3703710, кл. 340-173, 1971.
  2. 2. Авторское свидетельство СССР № 522523, кл. G 11 С 11/34, 1974 (прототип J.
SU792751285A 1979-04-12 1979-04-12 Запоминающее устройство SU773725A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792751285A SU773725A1 (ru) 1979-04-12 1979-04-12 Запоминающее устройство

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792751285A SU773725A1 (ru) 1979-04-12 1979-04-12 Запоминающее устройство

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU773725A1 true SU773725A1 (ru) 1980-10-23

Family

ID=20821450

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU792751285A SU773725A1 (ru) 1979-04-12 1979-04-12 Запоминающее устройство

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU773725A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4855690A (en) Integrated circuit random number generator using sampled output of variable frequency oscillator
KR880010790A (ko) 인체에 직접 이용 가능한 저주파 치료기
KR910006828A (ko) 슬립 기능을 가진 컴퓨터 시스템
JPS6243277B2 (ru)
JPH05291915A (ja) パワ−オンリセットシステムおよびこのパワ−オンリセットシステムを具備する半導体記憶装置
JPS6470991A (en) Address change detection circuit
GB1357025A (en) Electrical pulse generator
US5892727A (en) Word line driver in a multi-value mask ROM
SU773725A1 (ru) Запоминающее устройство
KR970051107A (ko) 내부전원전압 공급장치
SU619954A1 (ru) Устройство дл записи информации в накопитель
KR19980064811A (ko) 반도체 메모리 소자의 내부 전압 발생 회로
SU705665A1 (ru) Преобразователь логических уровней
SU839021A1 (ru) Формирователь пр моугольных импуль-COB
JPS6466896A (en) Semiconductor memory
SU1191993A1 (ru) Устройство для контроля напряжения аккумуляторной батареи
SU902030A2 (ru) Логарифмический преобразователь
JPS56156992A (en) Driving circuit for semiconductor storage device
SU892686A1 (ru) Устройство дл задержки импульсов
KR890002157Y1 (ko) 비상시 데이타 보호회로
SU839019A1 (ru) Генератор установочного импульса
SU403049A1 (ru) Преобразователь кода в напряжение
SU628463A1 (ru) Устройство дл программного управлени
SU864523A1 (ru) Формирователь импульсов
SU1098037A1 (ru) Запоминающее устройство с регенерацией информации