SU773725A1 - Запоминающее устройство - Google Patents
Запоминающее устройство Download PDFInfo
- Publication number
- SU773725A1 SU773725A1 SU792751285A SU2751285A SU773725A1 SU 773725 A1 SU773725 A1 SU 773725A1 SU 792751285 A SU792751285 A SU 792751285A SU 2751285 A SU2751285 A SU 2751285A SU 773725 A1 SU773725 A1 SU 773725A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- output
- key
- zero
- memory elements
- semiconductor memory
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Description
1
Изобретение относитс к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах ЭВМ.
Известно полупроводниковое запоминак дее устройство, содержащее элементы пам ти, подключенные через ключ к шине питани генератора, в которых используетс импульсное питание Cl. jQ
Однако в таком устройстве в режиме хранени на элементы пам ти подаютс импульсы питани дл поддерживани целостности информации. При этом частота следовани импульсов питани не зависит от температуры элементов , что приводит к сравнительно высокой потребл емой мощности .
Сравнительно высока потребл ема JQ мс цность обуславливаетс следующими причинами. Минимальна частота следовани импульсов питани , при которой обеспечиваетс сохранность информации в запоминающем устройстве, 25 зависит от температуры элементов пам ти . Причем, чем выше температура элементов пам ти, тем выше должна быть частота следовани импульсов питани . Дл обеспечени надежной ,„
рабЬты запоминающего устройства час тота следовани импульсов питани должна соответствовать максимальг ной допустимой температуре нагрева элементов пам ти. Тогда при нормальной температуре производитс потребление лишней мс дности.
Дл устранени такого недос татка необходимо измен ть частоту следовани импульсов питани в соответствии с изменением температуры элементов пам ти.
Наиболее близким к изобретению из известных устройств вл етс полупроводниковое запоминающее устройство , содержащее полупроводниковые элементы пам ти, соединенные через ключ с шиной питани , датчик темпе-г ратуры, выход которого подключен к входам аналого-цифрового преобразовател , дешифратор, генератор, счетчик , схемы И, одни входы которых соединены с выходами дешифратора, а другие входы - с выходами счетчика , схему ИЛИ 2.
Claims (2)
- Недостатком этого устройства вл етс низка надежность , обусловленна тем, что управление подачей импульсного питани полупроводнике вых элементов пам ти осуществл етс на основании данных только об одном случайно выбранном элементе пам ти, а также сравнительно большими аппаратными затратами. Цель изобретени - повышение надежности устройства. Поставленна цель, достигаетс те что в запоминающее устройство, содержащее полупроводниковые элементы пам ти, подключенные через ключ к шине питани , введены нуль-орган, вход которого подключен к выходу ключа, и генератор пр моугольных им пульсов, вход которого подключен к выходу нуль-органа, а выход подключ к управл ющему входу ключа. Блок-схема устройства приведена на чертеже. Устройство содержит полупроводни ковые элементы 1 пам ти, нуль-орган формирователь 3 пр моугольных импул сов, ключ 4, шину 5 питани . Устройство работает следующим образом. При отключении питани напр жение на выходе ключа 4 за счет разр да паразитных емкостей будет уменьшат с по экспоненте. Когда .напр жение на выходе ключа 4 некоторого порогового значени ,нуль-орган вырабатывает управл ющий сигнал, который поступает на вход формировател 3 пр моугольных импульсов. Формирова тель 3 пр моугольных импульсов фор мирует пр моугольный импульс, который поступает на вход ключа 4, осуществл ющего подачу импульсного питани на полупроводниковые элементы 1 пам ти. Таким образом, осуществл етс автоматическа регулировка частоты импульсного питани не зависимо от параметров одного случайно выбранного элемента пам ти. Применение предлагаемого устройства в вычислительной системе позволит повысить надежность и получить экономический эффект от его внедре ни . Формула изобретени Запоминающее устройство,содержащее полупроводниковые элементы пам ти, подключенные через ключ к шине питани , отличающеес тем, что, с целью повышени надежности устройства в него введены нуль-орган , вход которого подключен к выходу ключа, и генератор пр моугольных импульсов, вход которого подключен к выходу нуль органа, а выход подключен к управл ющему входу ключа. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1. Патент США № 3703710, кл. 340-173, 1971.
- 2. Авторское свидетельство СССР № 522523, кл. G 11 С 11/34, 1974 (прототип J.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU792751285A SU773725A1 (ru) | 1979-04-12 | 1979-04-12 | Запоминающее устройство |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU792751285A SU773725A1 (ru) | 1979-04-12 | 1979-04-12 | Запоминающее устройство |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU773725A1 true SU773725A1 (ru) | 1980-10-23 |
Family
ID=20821450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU792751285A SU773725A1 (ru) | 1979-04-12 | 1979-04-12 | Запоминающее устройство |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU773725A1 (ru) |
-
1979
- 1979-04-12 SU SU792751285A patent/SU773725A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4855690A (en) | Integrated circuit random number generator using sampled output of variable frequency oscillator | |
| KR880010790A (ko) | 인체에 직접 이용 가능한 저주파 치료기 | |
| KR910006828A (ko) | 슬립 기능을 가진 컴퓨터 시스템 | |
| JPS6243277B2 (ru) | ||
| JPH05291915A (ja) | パワ−オンリセットシステムおよびこのパワ−オンリセットシステムを具備する半導体記憶装置 | |
| JPS6470991A (en) | Address change detection circuit | |
| GB1357025A (en) | Electrical pulse generator | |
| US5892727A (en) | Word line driver in a multi-value mask ROM | |
| SU773725A1 (ru) | Запоминающее устройство | |
| KR970051107A (ko) | 내부전원전압 공급장치 | |
| SU619954A1 (ru) | Устройство дл записи информации в накопитель | |
| KR19980064811A (ko) | 반도체 메모리 소자의 내부 전압 발생 회로 | |
| SU705665A1 (ru) | Преобразователь логических уровней | |
| SU839021A1 (ru) | Формирователь пр моугольных импуль-COB | |
| JPS6466896A (en) | Semiconductor memory | |
| SU1191993A1 (ru) | Устройство для контроля напряжения аккумуляторной батареи | |
| SU902030A2 (ru) | Логарифмический преобразователь | |
| JPS56156992A (en) | Driving circuit for semiconductor storage device | |
| SU892686A1 (ru) | Устройство дл задержки импульсов | |
| KR890002157Y1 (ko) | 비상시 데이타 보호회로 | |
| SU839019A1 (ru) | Генератор установочного импульса | |
| SU403049A1 (ru) | Преобразователь кода в напряжение | |
| SU628463A1 (ru) | Устройство дл программного управлени | |
| SU864523A1 (ru) | Формирователь импульсов | |
| SU1098037A1 (ru) | Запоминающее устройство с регенерацией информации |