SU801331A1

SU801331A1 - Устройство дл охлаждени полу-пРОВОдНиКОВыХ пРибОРОВ

Info

Publication number: SU801331A1
Application number: SU2709489A
Authority: SU
Inventors: Владлен Михайлович Благодатный; Вадим Андреевич Костюк; Юрий Степанович Ремха
Priority date: 1979-01-08
Filing date: 1979-01-08
Publication date: 1981-01-30

Description

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано в устройствах для охлаждения полупроводниковых- приборов. 5

Известно устройство для охлаждения полупроводниковых приборов, содержащее теплоотвод с установленными на нем изоляторами из диэлектрика и держатели полупроводниковых приборов .JQ Однако устройство не обеспечивает эффективного охлаждения.

Цель изобретения - повышение эффективности охлаждения.

Цель достигается тем, что в устройстве для охлаждения полупроводниковых приборов, содержащем теплоотвод с установленнйми на нем изоляторами из диэлектрика и держатели полупроводниковых приборов, в изоляторе 2Q выполнены пазы с поперечным сечением в форме трапеции, а держатели полупроводниковых приборов выполнены с трапецеидальным поперечным сечением и размещены в пазах изолятора. 25

На чертеже показано устройство для охлаждения полупроводниковых приборов; разрез.

Устройство для охлаждения полупроводниковых приборов содержит тепло отвод 1, выполненный в виде оболочки, на наружной стороне стенки которой размещены ребра 2, установленные в на теплоотводе 1 изолятора 3 из диэлектрика с большой теплопроводностью и высоким электрическим сопротивлением, например окись магния, и держатели 4 полупроводниковых приборов 5, которые выполнены с трапецеидальным поперечным сечением и размещены в пазах 6 изолятора 3, которые выполнены в форме трапеции.

Устройство для охлаждения полупроводниковых приборов работает следующим образом.

Полупроводниковые приборы 5 крепятся на держателях 4 с их меньших сторон и устанавливаются в пазах 6 изолятора 3 на расстоянии между собой и относительно стенки теплоотвода 1, которое определяется диэлектрической прочностью диэлектрика, из которого выполнен изолятор 3, при этом расстояние между меньшими основаниями держателей определяется условиями допускаемой электрической прочности между разноименными полюсами по поверхности изолятора 3.

Тепло, выделяемое полупроводниковыми приборами 5, передается на держатели 4, затем от их больших оснований через слой диэлектрика изолятора 3 на стенку теплоотвода 1, после чего на ребра 2, а затем в окружаю- щук» среду.

Изобретение эффективно передает тепло от полупроводниковых приборов в окружающую среду, а количествопереданного тепла при точном конструк-.тивном выполнении элементов устройства увеличивается на 40-50%. При грунтовом_размещении полупроводниковых приборов передача тепла происходит вдоль держателей, что приводит к перераспределению тепла между ними, а следовательно,к улучшению^охлаждения загруженных полупроводниковых приборов за счет менее загруженных.

Claims

Изобретение относитс к радиоэлектр нике и может быть использовано в уст ройствах дл охлаждени полупроводниковых приборов. Известно устройство дл охлаждени полупроводниковых приборов, содержащее теплоотвод с ycтaнoвлeнны /IИ на нем изол торами из диэлектрика и держатели полупроводниковых приборов р-З Однако устройство не обеспечивает эффективного охлаждени . Цель изобретени - повышение эффективности охлаждени . Цель достигаетс тем, что в устройстве дл охлаждени полупроводниковых приборов, содержащем теплоотвод с установленнйми на нем изол торами из диэлектрика и держатели полу- прободниковых приборов, в изол торе выполнены пазы с поперечным сечением в форме трапеции, а держатели полупро водниковых приборов выполнены с трапецеидальным поперечным сечением и размегчены в пазах изол тора. На чертеже показано устройство дл охлаждени полупроводниковых приборов; разрез. Устройство дл охлаждени полупроводниковых приборов содержит теплоотвод 1, выполненный в виде оболочки, на наружной стороне стенки которой размешены ребра 2, установленные в на теплоотводе 1 изол тора 3 из диэлектрика с большой теплопроводностью и высоким электрическим сопротивлением , например окись магни , и держатели 4 полупроводниковых приборов 5, которые выполнены с трапецеидальным поперечным сечением и размещены в пазах 6 изол тора 3, которые выполнены в форме трапеции. Устройство дл охлаждени полупроводниковых приборов работает следующим образом. Полупроводниковые приборы 5 креп тс на держател х 4 с их меньших сторон и устанавливаютс в пазах 6 изол тора 3 на рассто нии между собой и относительно стенки теплоотвода 1, которое определ етс диэлектрической прочностью диэлектрика, из которого выполнен изол тор 3, при этом рассто ние между меньшими основани ми держателей определ етс услови ми допускаемой электрической прочности между разноименными полюсами по поверхности изол тора 3. Тепло, выдел емое полупроводниковьши приборами 5, передаетс на держатели 4, затем от их больших основа ний через слой диэлектрика изол тора 3 на стенку теплоотвода 1, после чего-на ребра 2, а затем в окружаючую среду. Изобретение эффективно передает тепло от полупроводниковых приборов в окружающую среду, а количество переданного тепла при точном констру тивном выполнении элементов устройства увеличиваетс на 40-50%. При грунтовом размещении полупроводниковых приборов передача тепла происход вдоль держателей, что приводит к перераспределению тепла между ними, а следовательно,к улучшению охлаждени загруженных полупроводниковых приборов за счет менее загруженных. Формула изобретени Устройство дл охлаждени полупроводниковых приборов, содержащее теплоотвод с установленными на нем изол торами из диэлектрика и держателей полупроводниковых приборов, отличающеес тем, что, с целью повышени эффективности охлаждени , в изол торе выполнены пазы с поперечным сечением в форме трапеции , а держатели полупроводниковых приборов выполнены с трапецеидальным поперечным сечением и размещены в пазах изол тора. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР по за вке № 2559013/18-21, кл. Н 05 К 7/20, 21.11.77.

/ 2