SU808876A1 - Устройство дл измерени температуры - Google Patents
Устройство дл измерени температуры Download PDFInfo
- Publication number
- SU808876A1 SU808876A1 SU792710270A SU2710270A SU808876A1 SU 808876 A1 SU808876 A1 SU 808876A1 SU 792710270 A SU792710270 A SU 792710270A SU 2710270 A SU2710270 A SU 2710270A SU 808876 A1 SU808876 A1 SU 808876A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- voltage
- resistor
- temperature
- measurement
- thermal sensor
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 7
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 6
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Description
I
Изобретение относитс к технике изкюрени температуры и может быть использовано дл измерени и регулировани теютературы всевсзможньах объектов тв1 « датчиками на основе пр мосмеаденного р-п перехода.
Известно устройсггво дл измерени температуг,; в основу которого положена мостова схема с включенным в одно из плеч ее полупроводниковым термрдатчкком - диодом или Транзистором .,
Однако это устройство во многих случа х не обеспечивает необходимой точности измерени из-за нестабильности источника питани .
Известно устройство дл измерени температуры, в котором дл увеличени точностн измерени используетс ручной корректор напр жени питани что требует установки его на номинальную величину перед каждым измерением 2.
Из известных устройств наиболее близким по технической сущности вл етс устройство дл измерени температуры, содержащее мостовую схему, в одно из плеч которой включен транзисторный термодатчик, подключенную к источнику питани через
параметрический стабилизатор, включающий в себ резистор и стабйлнтрон , измеритель, включенный в диагональ мостовой cxeKfti 133
Недостатком устройтсва вл етс низка точность измерени . Изменение напр жени питани , разр д батарей при использовании их в качестве источника питани ведет к возникновению погрешности в измерении температуры .
Цель изобретени - повивиение точности измерени температуры.
поставленна цель достигает ; тем, что в устройство введены два резистора , один из КОТО1ЯЛС включен между кюсодом источника -питаниЯ и точкой соединени термодатчикас измерителем , а другой включен в цепь стабй0 лизатора напр жени последоватё;1ьно со стабилитроне. .
На чертеже изображена схема устройства .
Устройство дл измерени темпе$ ратуры содержит мостовую схему, образованную резисторами 1,2 и 3 и термодатчиком 4. Наг)узкой диагонали моста вл етс нэмеритель с внутренним сопротивлением 5. Мостова 0 схема подключена к источнику 6 питами через стабилизатор напр жени , содвржацнй стабилитрон 7 резисторы 8 и 9. Лсточиик питани соединен с термодатчиком через резистор 10. Устройство работает следующим образом.
При стабильном напр жении питани .мостова схема работает как обычный неравновесный мост с термочувствительным элементом в одном из плеч. Сопротивление смежного пле .ча - резистора 1 равно статическому сопротивлению термодатчика при температуре равновеси . Токчерез .тецпюдатчик 4 складываетс из токов, задаваемых резисторами 3 и 10, соответственно от стабилизатора напр жени и источника питани .
При отклонении напр жени питани от номинальной величины напр жение на выходе стабилизатора измен етс слабее входного, что, однако приводит к по влению приращений тока через резисторы 2 и 3 и приращений напр жени на. термодатчнке и смежном плече моста - резисторе 1, Из-за нелинейности термодатчика его динамическое сопротивление г не равно статическому R. Практически г R дл всех германиевых и при t дл всех кремниевых термодатчиков. Вследствии ЭТО1ЧЗ, при отключенном от внешнего источника питани резисторе 10, приращение напр жени на резисторе 1 оказываетс больше, чем приращени напр жени на термодатчике , что приводит к по влению на нагрузке 5 диагонали сигнала- ошибки. При подключении резистора 10 к источнику питани приращение тока через те людатчик становитс больше, .чем . через резистор 2, и при некоторой величине.: резистора 10 создает приращение на термодатчике, равное приращению напр жени на резисторе 1.Сигнал с иибки в этом случае равен нулю. При небольших изменени х напр жени питани стабилизированное напр жение, а также напр жение на термодатчике измен ютс практически линейно. Поэтому при определенном соотношении резисторов 3 и 10 и небольших (пор дка tlO%) изменени х напр жени питани напр жение р диагонали весьма слабо зависит от этих изменений,
При отклонении напр жени питани от номинального более 5-10% погрешность измерени температуры заметно увеличиваетс , что объ сн етс про влением нелинейностей стабилизатора и терчодатчика, Налк- .
чие в стабилизаторе напр жени резистора 9, включенного последовательно со стабилитроном 7, позвол ет получить стабилизаторнапр жен и;; с нелинейной характеристикой, близкой к нелинейной характеристике термодатчика , что обеспечивает расширение области изменений напр жени питани , в которой имеетс мала погрешность измерени .
./
.Устройство имеет погрешность изг
мерени менее 0,04С в области колебаний напр жени питани от -22% до +26%, причем в зоне ±20% погрешность измерени не превышает ±0,. Кроме диодов и транзисторов в
устройстве могут быть использованы и другие тёрмодатчики, имеющие вольтамперную харктернстику„ близкую по характеру к характернстике р-п перехода , смещенного в пр мом направлеНИИ .
Устройство дл измерени температурил выгодно отличаетс от извест-ного более высокой точностью измерени температуры. Погрешность измерени уменьшаетс в 5-10 раз и более.
Claims (3)
1.Авторское свидетельство СССР 154110, кл, fl 05 О 23/19, 1962,
2.Каганов М. А. и др. Поверх- . ностные электротермометры с траизисторными .термода чиками. Сборник трудов по агрономической физике.
Вып.25, Л, 1970, с. 157.
3. Кривоносов А. и. Полупроводниковые датчики температуры. М.« Энерги , 1974, с. 126 (прототип).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU792710270A SU808876A1 (ru) | 1979-01-08 | 1979-01-08 | Устройство дл измерени температуры |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU792710270A SU808876A1 (ru) | 1979-01-08 | 1979-01-08 | Устройство дл измерени температуры |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU808876A1 true SU808876A1 (ru) | 1981-02-28 |
Family
ID=20804170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU792710270A SU808876A1 (ru) | 1979-01-08 | 1979-01-08 | Устройство дл измерени температуры |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU808876A1 (ru) |
-
1979
- 1979-01-08 SU SU792710270A patent/SU808876A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3092998A (en) | Thermometers | |
| US5686826A (en) | Ambient temperature compensation for semiconductor transducer structures | |
| US3503261A (en) | Resistance to current converter | |
| US3406331A (en) | Compensating power supply circuit for non-linear resistance bridges | |
| US3967188A (en) | Temperature compensation circuit for sensor of physical variables such as temperature and pressure | |
| CN108151919B (zh) | 一种压力传感器温漂补偿电路及补偿方法 | |
| GB1317845A (en) | Silicon pressure transducer circuit | |
| JPH0210269A (ja) | 電流測定回路 | |
| US3420104A (en) | Temperature measuring apparatus using semiconductor junction | |
| US3106645A (en) | Temperature compensated transistor sensing circuit | |
| US3430077A (en) | Semiconductor temperature transducer | |
| US3604957A (en) | Temperature measurement having sensor and reference diodes at inputs of regenerative differential amplifier | |
| US4123938A (en) | Device for measuring thermal parameters | |
| US3488573A (en) | Overload protection for thermally sensitive load device | |
| ATE65602T1 (de) | Stroemungsmesser. | |
| US4441071A (en) | Temperature compensation circuit for thermocouples | |
| SU1046624A1 (ru) | Датчик температуры | |
| GB2109938A (en) | Temperature measuring circuit using semi-conductor diode | |
| RU2057347C1 (ru) | Полупроводниковый термоанемометр | |
| US3344671A (en) | Time measurement as indication of temperature | |
| SU1740996A1 (ru) | Полупроводниковый датчик температуры | |
| US3882711A (en) | Electronic temperature sensor and indicator | |
| RU2024831C1 (ru) | Устройство для измерения давления | |
| SU898266A1 (ru) | Устройство дл измерени температурных полей | |
| SU838413A1 (ru) | Устройство дл преобразовани измен -ющЕйС НЕэлЕКТРичЕСКОй ВЕличиНы B элЕК-ТРичЕСКОЕ НАпР жЕНиЕ |