SU856299A1

SU856299A1 - Detector of charged particles and radiation

Info

Publication number: SU856299A1
Application number: SU802916620A
Authority: SU
Inventors: М.П. Лорикян; А.Н. Арванов
Original assignee: Предприятие П/Я М-5629
Priority date: 1980-04-25
Filing date: 1980-04-25
Publication date: 1982-04-07

Description

вторичной электронной эмиссни 1000), например из MgO, и помещают его в сильное электрическое поле (дл 100 мкм MgO - Ю В/см), направленное от поверхности МКП в глубь сло . Это ноле образуетс разностью потенциалов, приложенных к подложке эмиттера и входной поверхности МКП.secondary electron emission 1000), for example, from MgO, and place it in a strong electric field (for 100 μm MgO — Yu V / cm) directed from the surface of the MCP deep into the layer. This zero is formed by the potential difference applied to the emitter substrate and the MCP input surface.

На чертеже изображен общий вид устройства .The drawing shows a General view of the device.

Оно состоит из микроканальной нластины 1, на переднюю поверхность которой нанесен слой MgO 2 (толщиной 100 мкм и плотностью I-2% от нормальной). Верхн (по чертежу) поверхность MgO покрыоIt consists of a microchannel nlashina 1, on the front surface of which a layer of MgO 2 is deposited (100 μm thick and with a density of I-2% of normal). Top (according to the drawing) MgO surface covered

та -1000 А слоем А1 3, создающим электрический контакт сло на MgO с провод щим кольцом 4, впрессованным в 5, выполненную из изол ционного материала (например тефлона). Между изол ционными щайбами 6 и 7 зажаты плотно прилегающа к нижней (по чертежу) поверхности МКП щайба 8 из медной фольги и диэлектрическа шайба 9, лежаща на поверхности коллектора 10. К верхней (по чертежу) поверхности МКП приклеен провод щим клеем контакт П, соедин ющий верхнюю поверхность МКП с делителем напр жени 12. Провод щее кольцо 4 и щайба 8 также подключены к делителю напр жени 12 подпа нными выводами 13 и 14 соответственно. Дл равномерной ст жки устройства, обеспечивающей параллельность зазора между МКП 1 и коллектором 10 (пор дка одного миллиметра), все устройство ст нуто трем винтами 15, подпружиненными пружинами 16. Выходной сигнал снимаетс через разделительную высоковольтную емкость 17; сопротивление нагрузки обозначено позицией Г8.This is -1000 A with an Al 3 layer, which creates an electrical contact of the layer on MgO with a conductive ring 4, pressed into 5, made of an insulating material (for example, Teflon). Between the insulating washers 6 and 7 are clamped tightly adjacent to the bottom (according to the drawing) surface of the MCP, the puck 8 of copper foil and the dielectric washer 9 lying on the surface of the collector 10. To the upper (according to the drawing) surface of the MCP is glued with conductive adhesive contact P, connecting The upper surface of the MCP with voltage divider 12. The conductive ring 4 and the clamp 8 are also connected to the voltage divider 12 by the connected terminals 13 and 14, respectively. To uniformly tighten the device, which ensures the parallelism of the gap between the MCP 1 and the collector 10 (on the order of one millimeter), the entire device is equipped with three screws 15, spring-loaded springs 16. The output signal is taken through the separation high-voltage capacitance 17; the load resistance is indicated by the position G8.

Устройство работает следующим образом .The device works as follows.

При прохолхдении регистрируемой частицы через слой MgO 2, в последнем возникают локализованные в месте прохождени частицы лавины вторичных электронов , которые выт гиваютс электрическим полем, приложенным к слою MgO 2, на поверхность МКП 1 и после усилени в нейWhen a detected particle is observed to pass through a layer of MgO 2, in the latter, avalanches of secondary electrons localized at the point of passage appear, which are drawn by an electric field applied to the MgO 2 layer on the surface of the MCP 1 and after amplification

собираютс на коллекторе 10. Формируемый имоульс снимаетс известным способом .collected on the collector 10. The molded impuls is removed in a known manner.

Применение предлагаемого устройства, кроме малости вещества (-10 г/см2) дThe use of the proposed device, except for the smallness of the substance (-10 g / cm2) d

пути регистрируемой частищы, позвол ет сильно уменьщить поглощение вторичных электронов в слое эмиттера, обеспечить полный их сбор на поверхность МКП, а добитьс увеличени их числа заthe path of the recorded particle allows to greatly reduce the absorption of secondary electrons in the emitter layer, to ensure their complete collection onto the surface of the MCP, and to increase their number by

счет размножени в порах эмиттера, наход щегос в электрическом поле. При расположении такого детектора под небольщим углом (пор дка нескольких градусов) к регистрируемой частице можно добитьс multiplication count in the pores of the emitter located in the electric field. By placing such a detector at a small angle (on the order of several degrees) to the particle being recorded, one can achieve

100%-ной эффективности регистрации.100% registration efficiency.

Claims

1.Lyuk KL Yuon, Ats Jn Syun. Principles and methods of registration of elementary particles. M., Publishing House "Foreign. lit., 1963, p. 111, 136, 314, 333.

2.Gorn LS, Kazanov B.I. Speostrometry of ionizing radiation on spacecraft. M., Atomizdat, 1979, p. 208, (prototype).