SU856992A1 - Способ получени окиси цинка,используемой при изготовлении электрофотоматериалов - Google Patents

Способ получени окиси цинка,используемой при изготовлении электрофотоматериалов Download PDF

Info

Publication number
SU856992A1
SU856992A1 SU792782470A SU2782470A SU856992A1 SU 856992 A1 SU856992 A1 SU 856992A1 SU 792782470 A SU792782470 A SU 792782470A SU 2782470 A SU2782470 A SU 2782470A SU 856992 A1 SU856992 A1 SU 856992A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
zinc oxide
product
particles
zinc
water vapor
Prior art date
Application number
SU792782470A
Other languages
English (en)
Inventor
Борис Григорьевич Волков
Евгений Васильевич Балашов
Наталья Матвеевна Кургина
Original Assignee
Предприятие П/Я А-7815
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-7815 filed Critical Предприятие П/Я А-7815
Priority to SU792782470A priority Critical patent/SU856992A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU856992A1 publication Critical patent/SU856992A1/ru

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/08Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Description

Изобретение относится к способам получения окиси цинка и может быть . использовано при. производстве электрофотоматериалов.
Известен способ получения окиси цинка, используемый при изготовлении электрофотоматериалов, включающий испарение металлического цинка в присутствии защитного газа, например водорода или окиси углерода, окисление паров цинка кислородом в присутствии зародышевых частиц окиси цинка при 1500-2000°С, последующую термообработку окиси цинка при 5ОО-9ОО°С и улавливание целевого продукта. В качестве зародышевых частиц используют часть окиси цинка, которую со смесью отходящих газов рециркулируют в реакционную зону ГП·
Однако по данному способу невозможно получить продукт с заданным размером частиц из-за того, что частицы окиси цинка, используемые в качестве зародышей, ввиду хорошей .за2 ряжаемости их статическим электричест вом склонны к агломерации и поэтому не способствуют укрупнению частиц про· дукта. В результате получают мелкодисперсный порошок (размер частиц ? 0,1-0,15 мкм), что в свою очередь не позволяет получать материал с высокими фотоэлектрическими свойствами (потенциал зарядки соответствует 200-300 В, светочувствительность 0,015 ед.).
Кроме того, процесс получение целевого продукта усложняется тем, что конгломераты частиц окиси цинка осаждаются на стенках рециркуляционного трубопровода, что приводит ж его зарастанию и к сОкращешпо и даже полному прекращению подачи зародышевых ‘ частиц окиси цинка в реакционную зону, а проконтролировать этот процесс невозможно.
Целью изобретения является обеспечение возможности получения продукта 3 856992 с заданным размером частиц и упрощение процесса.
Поставленная цель достигается тем, что согласно способу получения окиси цинка, используемой при изготовлении электрофотоматериалов, включающему испарение металлического цинка в присутствии зародышевых частиц окиси цинка, термообработку и улавливание целевого продукта, защитный газ используют в смеси с парами воды, взятыми в количестве 1-5 об.%, термообработку ведут при 500-900°С.
Способ осуществляют следующим образом.
· - Испаритель, предварительно продутый инертным газом, например азотом, до полного вытеснения кислорода воздуха, нагревают выше температуры ки20 пения цинка (900-1500°С). Одновременно с началом прогрева испарителя подают на защиту паров цинка от предварительного окисления восстановительный газ (например водород), а в камеру окисления воздух, в зоне их смещения поджигают. В результате сгорания восстановительного газа поддерживают температурный режим 1500-2500°С в реакционной зоне. При установлении температурного режима в испаритель подают металлический цинк. При этом в подаваемый на защиту восстановительный газ вводят 1-5 бб.% паров воды. В защитный газ вводят пары воды для образования частичек окиси цинка, которые затем, попадая в реакционную зону, служат зародышами. Регулируя количество вводимого водяного пара получают продукт с заданным размером частиц. При Добавлении в защитный газ водяного Дара в количестве,меньшем 1 об.Z, или в количестве, большем 5 06.Z, получают продукт с низким потенциалом зарядки.
Приме р 1, Испаритель, предварительно продутый азотом, нагревают до 900- 1500°С. Одновременно с началом прогрева испарителя на защиту паров цинка от предварительного окисления подают водород в смеси с парами воды, взятыми в количестве I, ΟΙ, 5 об.Z, со скоростью 0,5 м^/ч, а в камеру окисления воздух с расходом 4 м^/ч, в зоне их смешения поджигают, при этом в реакционной зоне поддерживают температурный режим 2000°С. После установления температурного режима в испаритель подают цинк,· испарение ведут со скоростью
1,кг/ч. Образовавшуюся окись цинка подвергают термообработке при 500900°С и улавливают'с помощью фильтров.
Получают окись цинка с размером частиц 0,1-0,17 мкм, при этом материал характеризуется следующими данными: потенциал зарядки 200-300 В, светочувствительность 0,015 ед.
П р и м е р 2. Условия осуществления способа те же, что и в примере 1, но в защитный газ вводят водяные пары в количестве 3,5 4,0 об.Z.
Получают продукт с размером зерен 0,35-0,45 мкм, характеристика материала: потенциал зарядки 600-650 В, светочувствительность 0,036 ед.
П р и м е р 3, Условия осуществления способа те же, что и в примере 1 , но в защитный газ вводят водя<ные пары в количестве 4,5-5,0 об.%. Получают продукт с размером зерен 0,5 - 0,7 мкм, характеристика материала: потенциал зарядки 300 400 В, светочувствительность 0,050 ед.
Таким образом, способ по данному изобретению позволяет получать в зависимости от количества вводимых водяных паров продукт с заданным размером частиц.
Кроме того, зародышевые частицы окиси цинка, в данном случае отделены друг от друга водяным паром, благодаря чему предотвращается агломерация частиц, процесс стабилизируется и упрощается.

Claims (2)

  1. (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОКИСИ ЦИНКА, ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ Изобретение относитс  к способам получени  окиси цинка и может быть . использовано при. производстве электрофотоматериалов . Известен способ ползгчени  окиси цинка, используемьй при изготовлении электрофотоматериалов, включакиций ис парение металлического цинка в присутствии защитного газа, например водорода или окиси углерода, окисление паров цинка кислородом в присутствии зародьппевых частиц окиси цинка при 500-2000°С, последующую термообработку окиси цинка при 500-900°С и улавливание целевого продукта. В к честве зарЬдьшевых частиц используют часть окиси цинка, которую со смесью отход щих газов рециркулируют а реак ционную зону СПОднако по данному способу невозможно получить продукт с заданным размером частиц из-за того, что частицы окиси цинка, используемые в качестве зародьшей, ввиду хорошей . заЭЛEKTPOФOTШATEИiAJЮB р жаемости их статическим электричеством склонны к агломерации и поэтому не способствуют укрупнению частиц продукта . В результате получают мелкодисперсный (размер частиц ,15 мкм), что в свою очередь не позвол ет получать материал с высокими фотоэлектрическими свойств&amp;гт (потенциал зар дки соответствует В, светочувствительность 0,015 ед.). Кроме того, процесс получеш целевого продукта усложн етс  тем, что конгломераты частиц окиси цйнка осаждаютс  на стенках рециркул ционного трубопровода, что приводит к его эарастаншо и к сокращешпо и даже полному прекращению подачи зародьшевьис частиц окиси цинка в реакционную зону , а проконтролировать этот процесс невозможно.. Целью изобретени   вл етс  обеспечение возможности получени  продукта С заданным размером частиц н упрощение процесса. Цоставленна  цель достигаетс  тем что согласно способу получени  окиси Щ1ш:а, исдользуемой изготовлении электрофотоматериалрв, включающему испарение металлического цинка в присутствии зародышевых частиц окиси цинка термообработку и улавливание целевого продукта, защитньй газ испрльзуют в смеси ;с парами воды, вз тыми в количестве 3-5 об.%, термообработку ведут при 500-900 С. Способ осуществл ют слёдз ощим образом . Испаритель, предварительно продутадй инертным газом, например азотом,, до полного вытеснени  кислорюда воздуха , нагревают выше температуры кипени  цинка (900-1500°С). Одновременно с началом прогрева испарител  подают на защиту даров цинка от предварительного окислени  восстановительный газ (например водород), а в камеру окислени  воздух, в зоне их смещени  поджигают. В результате сгорани  восстановительного газа поддерживают температурный режим 500-2ЗОО С в реакционной зоне. При усТа новлении температурного режима в испаритель подают металлический цинк. При этом в подаваемь1й на защиту восстановитель ный газ ввод т 1-5 об.% паров воды В защитный газ ввод т пары воды дл  образовани  частичек окиси цинка, ко торые затем, попада  в реакционную зону, служат зародь пами. Регулиру  к личество вводимого вод ного пара пол чают продукт с заданнь1м размером час тиц. При Добавлении в защитный газ вод ного hapa в количестве,меньшем 1 об.%, или в количестве, больщем 5 об.%, получают продукт с низким по тенциалом зар дки. Приме р I. Испаритель, предварительно продутый азотом, нагревают до 900-1 . Одновременно с Нач лом прогрева испзрите   на защиту циН1са от предварительного окис лени  подацот ЁЮдород в смеси с парам воДЫ, вз тыми в количестве 1,0 .1,5 рб.%, со скоростью 0,5 , а в камеру окислени  - йоздух с расходом : 4 в зоне их смешени  прджигшот , при этом в реакционной зоне поддерживают температурный режим После установлени  температур .ногв р елшма в испаритель подают щгак испарение ведут со скоростью ,кг/ч. ООразовавшуюс  окись цинка щщрерг$ют те1 1ообработке при 500900 С и улавливаютс помощью фильтров . Получают окись цинка с размером частиц 0,1-0,17 мкм, при этом материал характеризуетс  следзгюцнми данными: потенциал зар дки 200-300 В, светочувствительность 0,015 ед. П р и м е р 2. Услови  осуществлени  способа те же, что и в примере 1, но в защитный газ ввод т вод ные пары в количестве 3,5 4 ,0 обЛ; Получают продукт с размером зерен 0,35-0,45 мкм, характеристика материала: потенциал зар дкН 600-650 В, светочувствительность 0,036 ед. П р и м е р 3. Услови  осуществлени  способа те же, что и в примере J , но в защитный газ ввод т вод |ные пары в количестве 4,5-5,0 об.%. Получают продукт с размером зерен 0,5 -0,7 отсм, характеристика материала: потенциал зар дки 300 400 В, светочувствительность 0,050 ед. Таким образом, способ по данному изобретений позвол ет получать в зависимости от кош1чества вводимых вод ных пароа продукт с заданным размером частиц. Кроме торо, зародышевые частицы окиси цинка, в случае отделены друг от друга вод ным паром, благодар  ч«му предотвращаетс  агломера1да  частиц, процесс стабитизируетс  и упрощаетс . Формула изобретени  . Способ получени  окиси цинка, используемой При изготовлении электррфотоматериалов , включающий испареНне металлического цннка в присутствии зародышевых частиц окиси цинка, термообработку и улавливание целевого продукта, отличающийс   тем, что, с целью возможности получени  продукта с задаинъи размером частиц и упрощени  процесса, защитный газ используют в смеси с па58569926
    рами воды, вз тыми в количествеИсточники информации,
    1-5 рб.%.прин  ые во внимание при экспертизе
  2. 2. Способ по п.1,отличающий с   тем, что термообработку I. ГГатейт Англии 1039762, ведут при 500-900 с.кл, С 1 А, опублик. 1963.
SU792782470A 1979-06-19 1979-06-19 Способ получени окиси цинка,используемой при изготовлении электрофотоматериалов SU856992A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792782470A SU856992A1 (ru) 1979-06-19 1979-06-19 Способ получени окиси цинка,используемой при изготовлении электрофотоматериалов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792782470A SU856992A1 (ru) 1979-06-19 1979-06-19 Способ получени окиси цинка,используемой при изготовлении электрофотоматериалов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU856992A1 true SU856992A1 (ru) 1981-08-25

Family

ID=20834764

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU792782470A SU856992A1 (ru) 1979-06-19 1979-06-19 Способ получени окиси цинка,используемой при изготовлении электрофотоматериалов

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU856992A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3016807A1 (de) Verfahren zur herstellung von silizium
US4126666A (en) Process for producing high purity lithium sulfide
An et al. Combustion performance of nano Si powder with molecular perovskite energetic materials DAP-4 as oxidant
SU1011527A1 (ru) Способ получени двуокиси олова
SU856992A1 (ru) Способ получени окиси цинка,используемой при изготовлении электрофотоматериалов
DE3212100C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Durchführung pyrometallurgischer Prozesse
WO1989010329A1 (fr) PROCEDE POUR OBTENIR DU CARBURE DE SILICIUM beta
DE1201315B (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung feinstkoernigen, insbesondere feuerfesten Materials
US1913391A (en) Process for the manufacture of lead oxides
DE2713308B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Wolframcarbidkatalysators
US4917866A (en) Production process of silicon carbide short fibers
US5011798A (en) Chromium additive and method for producing chromium alloy using the same
JPH08169715A (ja) 複合酸化物微粒子の合成方法及び複合酸化物微粒子
US4192676A (en) High temperature reduction of copper salts
JPS61222910A (ja) セレン化亜鉛ドーパント用高純度セレン化銅粉末の製造方法
CN115959956A (zh) 一种tkx-50/ap共晶及其制备方法
JP2855378B2 (ja) ソフトフェライト粉末の製造方法
JPH01286919A (ja) 酸化亜鉛微粒子の製造方法
US2977215A (en) Arsenic removal and the pelletizing of the de-arsenized material
JPH02102130A (ja) 微細寸法の黄色三酸化モリブデン粉末を製造する方法
FR2512801A1 (fr) Procede pour preparer une poudre frittable de bioxyde d&#39;uranium
Han et al. Surface doping of metal oxides to enhance the energy release properties of nanothermites
RU1777311C (ru) Способ получения карбида молибдена
Gromov et al. Passivation of metal nanopowders
JPS616109A (ja) sicの製造法