SU856992A1 - Способ получени окиси цинка,используемой при изготовлении электрофотоматериалов - Google Patents
Способ получени окиси цинка,используемой при изготовлении электрофотоматериалов Download PDFInfo
- Publication number
- SU856992A1 SU856992A1 SU792782470A SU2782470A SU856992A1 SU 856992 A1 SU856992 A1 SU 856992A1 SU 792782470 A SU792782470 A SU 792782470A SU 2782470 A SU2782470 A SU 2782470A SU 856992 A1 SU856992 A1 SU 856992A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- zinc oxide
- product
- particles
- zinc
- water vapor
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
Изобретение относится к способам получения окиси цинка и может быть . использовано при. производстве электрофотоматериалов.
Известен способ получения окиси цинка, используемый при изготовлении электрофотоматериалов, включающий испарение металлического цинка в присутствии защитного газа, например водорода или окиси углерода, окисление паров цинка кислородом в присутствии зародышевых частиц окиси цинка при 1500-2000°С, последующую термообработку окиси цинка при 5ОО-9ОО°С и улавливание целевого продукта. В качестве зародышевых частиц используют часть окиси цинка, которую со смесью отходящих газов рециркулируют в реакционную зону ГП·
Однако по данному способу невозможно получить продукт с заданным размером частиц из-за того, что частицы окиси цинка, используемые в качестве зародышей, ввиду хорошей .за2 ряжаемости их статическим электричест вом склонны к агломерации и поэтому не способствуют укрупнению частиц про· дукта. В результате получают мелкодисперсный порошок (размер частиц ? 0,1-0,15 мкм), что в свою очередь не позволяет получать материал с высокими фотоэлектрическими свойствами (потенциал зарядки соответствует 200-300 В, светочувствительность 0,015 ед.).
Кроме того, процесс получение целевого продукта усложняется тем, что конгломераты частиц окиси цинка осаждаются на стенках рециркуляционного трубопровода, что приводит ж его зарастанию и к сОкращешпо и даже полному прекращению подачи зародышевых ‘ частиц окиси цинка в реакционную зону, а проконтролировать этот процесс невозможно.
Целью изобретения является обеспечение возможности получения продукта 3 856992 с заданным размером частиц и упрощение процесса.
Поставленная цель достигается тем, что согласно способу получения окиси цинка, используемой при изготовлении электрофотоматериалов, включающему испарение металлического цинка в присутствии зародышевых частиц окиси цинка, термообработку и улавливание целевого продукта, защитный газ используют в смеси с парами воды, взятыми в количестве 1-5 об.%, термообработку ведут при 500-900°С.
Способ осуществляют следующим образом.
· - Испаритель, предварительно продутый инертным газом, например азотом, до полного вытеснения кислорода воздуха, нагревают выше температуры ки20 пения цинка (900-1500°С). Одновременно с началом прогрева испарителя подают на защиту паров цинка от предварительного окисления восстановительный газ (например водород), а в камеру окисления воздух, в зоне их смещения поджигают. В результате сгорания восстановительного газа поддерживают температурный режим 1500-2500°С в реакционной зоне. При установлении температурного режима в испаритель подают металлический цинк. При этом в подаваемый на защиту восстановительный газ вводят 1-5 бб.% паров воды. В защитный газ вводят пары воды для образования частичек окиси цинка, которые затем, попадая в реакционную зону, служат зародышами. Регулируя количество вводимого водяного пара получают продукт с заданным размером частиц. При Добавлении в защитный газ водяного Дара в количестве,меньшем 1 об.Z, или в количестве, большем 5 06.Z, получают продукт с низким потенциалом зарядки.
Приме р 1, Испаритель, предварительно продутый азотом, нагревают до 900- 1500°С. Одновременно с началом прогрева испарителя на защиту паров цинка от предварительного окисления подают водород в смеси с парами воды, взятыми в количестве I, ΟΙ, 5 об.Z, со скоростью 0,5 м^/ч, а в камеру окисления воздух с расходом 4 м^/ч, в зоне их смешения поджигают, при этом в реакционной зоне поддерживают температурный режим 2000°С. После установления температурного режима в испаритель подают цинк,· испарение ведут со скоростью
1,кг/ч. Образовавшуюся окись цинка подвергают термообработке при 500900°С и улавливают'с помощью фильтров.
Получают окись цинка с размером частиц 0,1-0,17 мкм, при этом материал характеризуется следующими данными: потенциал зарядки 200-300 В, светочувствительность 0,015 ед.
П р и м е р 2. Условия осуществления способа те же, что и в примере 1, но в защитный газ вводят водяные пары в количестве 3,5 4,0 об.Z.
Получают продукт с размером зерен 0,35-0,45 мкм, характеристика материала: потенциал зарядки 600-650 В, светочувствительность 0,036 ед.
П р и м е р 3, Условия осуществления способа те же, что и в примере 1 , но в защитный газ вводят водя<ные пары в количестве 4,5-5,0 об.%. Получают продукт с размером зерен 0,5 - 0,7 мкм, характеристика материала: потенциал зарядки 300 400 В, светочувствительность 0,050 ед.
Таким образом, способ по данному изобретению позволяет получать в зависимости от количества вводимых водяных паров продукт с заданным размером частиц.
Кроме того, зародышевые частицы окиси цинка, в данном случае отделены друг от друга водяным паром, благодаря чему предотвращается агломерация частиц, процесс стабилизируется и упрощается.
Claims (2)
- (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОКИСИ ЦИНКА, ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ Изобретение относитс к способам получени окиси цинка и может быть . использовано при. производстве электрофотоматериалов . Известен способ ползгчени окиси цинка, используемьй при изготовлении электрофотоматериалов, включакиций ис парение металлического цинка в присутствии защитного газа, например водорода или окиси углерода, окисление паров цинка кислородом в присутствии зародьппевых частиц окиси цинка при 500-2000°С, последующую термообработку окиси цинка при 500-900°С и улавливание целевого продукта. В к честве зарЬдьшевых частиц используют часть окиси цинка, которую со смесью отход щих газов рециркулируют а реак ционную зону СПОднако по данному способу невозможно получить продукт с заданным размером частиц из-за того, что частицы окиси цинка, используемые в качестве зародьшей, ввиду хорошей . заЭЛEKTPOФOTШATEИiAJЮB р жаемости их статическим электричеством склонны к агломерации и поэтому не способствуют укрупнению частиц продукта . В результате получают мелкодисперсный (размер частиц ,15 мкм), что в свою очередь не позвол ет получать материал с высокими фотоэлектрическими свойств&гт (потенциал зар дки соответствует В, светочувствительность 0,015 ед.). Кроме того, процесс получеш целевого продукта усложн етс тем, что конгломераты частиц окиси цйнка осаждаютс на стенках рециркул ционного трубопровода, что приводит к его эарастаншо и к сокращешпо и даже полному прекращению подачи зародьшевьис частиц окиси цинка в реакционную зону , а проконтролировать этот процесс невозможно.. Целью изобретени вл етс обеспечение возможности получени продукта С заданным размером частиц н упрощение процесса. Цоставленна цель достигаетс тем что согласно способу получени окиси Щ1ш:а, исдользуемой изготовлении электрофотоматериалрв, включающему испарение металлического цинка в присутствии зародышевых частиц окиси цинка термообработку и улавливание целевого продукта, защитньй газ испрльзуют в смеси ;с парами воды, вз тыми в количестве 3-5 об.%, термообработку ведут при 500-900 С. Способ осуществл ют слёдз ощим образом . Испаритель, предварительно продутадй инертным газом, например азотом,, до полного вытеснени кислорюда воздуха , нагревают выше температуры кипени цинка (900-1500°С). Одновременно с началом прогрева испарител подают на защиту даров цинка от предварительного окислени восстановительный газ (например водород), а в камеру окислени воздух, в зоне их смещени поджигают. В результате сгорани восстановительного газа поддерживают температурный режим 500-2ЗОО С в реакционной зоне. При усТа новлении температурного режима в испаритель подают металлический цинк. При этом в подаваемь1й на защиту восстановитель ный газ ввод т 1-5 об.% паров воды В защитный газ ввод т пары воды дл образовани частичек окиси цинка, ко торые затем, попада в реакционную зону, служат зародь пами. Регулиру к личество вводимого вод ного пара пол чают продукт с заданнь1м размером час тиц. При Добавлении в защитный газ вод ного hapa в количестве,меньшем 1 об.%, или в количестве, больщем 5 об.%, получают продукт с низким по тенциалом зар дки. Приме р I. Испаритель, предварительно продутый азотом, нагревают до 900-1 . Одновременно с Нач лом прогрева испзрите на защиту циН1са от предварительного окис лени подацот ЁЮдород в смеси с парам воДЫ, вз тыми в количестве 1,0 .1,5 рб.%, со скоростью 0,5 , а в камеру окислени - йоздух с расходом : 4 в зоне их смешени прджигшот , при этом в реакционной зоне поддерживают температурный режим После установлени температур .ногв р елшма в испаритель подают щгак испарение ведут со скоростью ,кг/ч. ООразовавшуюс окись цинка щщрерг$ют те1 1ообработке при 500900 С и улавливаютс помощью фильтров . Получают окись цинка с размером частиц 0,1-0,17 мкм, при этом материал характеризуетс следзгюцнми данными: потенциал зар дки 200-300 В, светочувствительность 0,015 ед. П р и м е р 2. Услови осуществлени способа те же, что и в примере 1, но в защитный газ ввод т вод ные пары в количестве 3,5 4 ,0 обЛ; Получают продукт с размером зерен 0,35-0,45 мкм, характеристика материала: потенциал зар дкН 600-650 В, светочувствительность 0,036 ед. П р и м е р 3. Услови осуществлени способа те же, что и в примере J , но в защитный газ ввод т вод |ные пары в количестве 4,5-5,0 об.%. Получают продукт с размером зерен 0,5 -0,7 отсм, характеристика материала: потенциал зар дки 300 400 В, светочувствительность 0,050 ед. Таким образом, способ по данному изобретений позвол ет получать в зависимости от кош1чества вводимых вод ных пароа продукт с заданным размером частиц. Кроме торо, зародышевые частицы окиси цинка, в случае отделены друг от друга вод ным паром, благодар ч«му предотвращаетс агломера1да частиц, процесс стабитизируетс и упрощаетс . Формула изобретени . Способ получени окиси цинка, используемой При изготовлении электррфотоматериалов , включающий испареНне металлического цннка в присутствии зародышевых частиц окиси цинка, термообработку и улавливание целевого продукта, отличающийс тем, что, с целью возможности получени продукта с задаинъи размером частиц и упрощени процесса, защитный газ используют в смеси с па58569926рами воды, вз тыми в количествеИсточники информации,1-5 рб.%.прин ые во внимание при экспертизе
- 2. Способ по п.1,отличающий с тем, что термообработку I. ГГатейт Англии 1039762, ведут при 500-900 с.кл, С 1 А, опублик. 1963.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU792782470A SU856992A1 (ru) | 1979-06-19 | 1979-06-19 | Способ получени окиси цинка,используемой при изготовлении электрофотоматериалов |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU792782470A SU856992A1 (ru) | 1979-06-19 | 1979-06-19 | Способ получени окиси цинка,используемой при изготовлении электрофотоматериалов |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU856992A1 true SU856992A1 (ru) | 1981-08-25 |
Family
ID=20834764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU792782470A SU856992A1 (ru) | 1979-06-19 | 1979-06-19 | Способ получени окиси цинка,используемой при изготовлении электрофотоматериалов |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU856992A1 (ru) |
-
1979
- 1979-06-19 SU SU792782470A patent/SU856992A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3016807A1 (de) | Verfahren zur herstellung von silizium | |
| US4126666A (en) | Process for producing high purity lithium sulfide | |
| An et al. | Combustion performance of nano Si powder with molecular perovskite energetic materials DAP-4 as oxidant | |
| SU1011527A1 (ru) | Способ получени двуокиси олова | |
| SU856992A1 (ru) | Способ получени окиси цинка,используемой при изготовлении электрофотоматериалов | |
| DE3212100C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Durchführung pyrometallurgischer Prozesse | |
| WO1989010329A1 (fr) | PROCEDE POUR OBTENIR DU CARBURE DE SILICIUM beta | |
| DE1201315B (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung feinstkoernigen, insbesondere feuerfesten Materials | |
| US1913391A (en) | Process for the manufacture of lead oxides | |
| DE2713308B1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Wolframcarbidkatalysators | |
| US4917866A (en) | Production process of silicon carbide short fibers | |
| US5011798A (en) | Chromium additive and method for producing chromium alloy using the same | |
| JPH08169715A (ja) | 複合酸化物微粒子の合成方法及び複合酸化物微粒子 | |
| US4192676A (en) | High temperature reduction of copper salts | |
| JPS61222910A (ja) | セレン化亜鉛ドーパント用高純度セレン化銅粉末の製造方法 | |
| CN115959956A (zh) | 一种tkx-50/ap共晶及其制备方法 | |
| JP2855378B2 (ja) | ソフトフェライト粉末の製造方法 | |
| JPH01286919A (ja) | 酸化亜鉛微粒子の製造方法 | |
| US2977215A (en) | Arsenic removal and the pelletizing of the de-arsenized material | |
| JPH02102130A (ja) | 微細寸法の黄色三酸化モリブデン粉末を製造する方法 | |
| FR2512801A1 (fr) | Procede pour preparer une poudre frittable de bioxyde d'uranium | |
| Han et al. | Surface doping of metal oxides to enhance the energy release properties of nanothermites | |
| RU1777311C (ru) | Способ получения карбида молибдена | |
| Gromov et al. | Passivation of metal nanopowders | |
| JPS616109A (ja) | sicの製造法 |