SU887945A1 - Терморезистор - Google Patents
Терморезистор Download PDFInfo
- Publication number
- SU887945A1 SU887945A1 SU792745097A SU2745097A SU887945A1 SU 887945 A1 SU887945 A1 SU 887945A1 SU 792745097 A SU792745097 A SU 792745097A SU 2745097 A SU2745097 A SU 2745097A SU 887945 A1 SU887945 A1 SU 887945A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- thermistor
- temperature
- certificate
- substrate
- ussr author
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000008542 thermal sensitivity Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
(54) ТЕРМОРЕЗИСТОР
t
Изобретение относитс к технике, температурных измерений, в частноети к полупроводниковым терморезисторам , и может найти примене ше при измерени х криогенных температур.
Известны полупроводниковые терморезисторы , выполненные из монокристалла полупроводника Dl,t2.
Такие терморезисторы не обеспечивают достаточной точности измерений в пшрокой области криогенных температур .
Известен также терморезистор, содержащий подложку с нанесенным на нее термочувствительным полупроводниковым слоем и контакты fS.
В этом терморезисторе термочувствительный полупроводниковый спой состоит из 80% кремни и 20% германи .
Недостатком терморезистора вл етс значительное изменение чувствительности при изменении температуры в небольошх пределах. В результате такими терморезисторами можно измер ть температуру с высокой точностью лишь в небольшом интервале температур.
Целью изобретени вл етс расширение диапазона измер емых температур при сохранении высокой чувствительности терморезистора во всем диапазоне .
Поставленна цель достигаетс тем, что в терморезисторе, содержащем подложку с нанесенньы на нее термочувст10 вительным полупроводниковым слоем и контакты, полупроводниковый слой выполнен в виде пластически деформированной пленки германи , а подложка изготовлена из монокристаллического
IS полупроводника. Предпочтительно параметр кристаллической решетки полупроводника выбирать близким к параметру кристаллической решетки германи
Терморезистор работает с хедующим
20 образом.
Изменение температуры приводит к изменению .сопротивлени пластически деформи1Л ванной пленки германи . Воз-
никающие при пластической деформации линейные и точечные дефекты в объеме пленки обеспечивают по вление проводимости по примес м в области низких температур. Эти же дефекты при более высоких температурах обеспечивают проводимость по валентной зоне (пленка германи р-типа, Сильна температурна зависимость проводимости по примес м к валентной зоие обеспечивает высокую термочувствительность предлагаемого терморезистора в диапазоне 4,2-зоок .
Дл согласовани сопротивлени . терморезистора с входным сопротивлением регистрирующего прибора толщину пленки следует выбирать в диапазоне 1-50 мкм. В качестве материала подложки могут быть выбраны арсеиид галли и кремний. Контакты могут быть вьшол- , иены из ивди ,
npeдлйгaё шй терморезистор может найти применение в юирокодиапазонных устройствах дл измерени температуры , например в системах контрол тех-нологических параметров.
Claims (3)
- Формула изобретени Терморезистор, содержащий подложку с нанесенным на нее термочувствительным полупроводниковым слоем и контакты , отличающийс тем, что, с целью расширени диапазона из- мер емых температур при сохранении высокой чувствительности терморезистора , полупроводниковый слой выполнен в виде пластически деформированной пленки германи , а подложка изготовлена из монокристаллического полупроводника .Источники информации, прин тые во внимание при зкспертизеt. Авторское свидетельство СССР № 247554, кл. G 01 К 7/16, 1969.
- 2. Авторское свидетельство СССР № 301571, кл. G 01 К 7/22, 1971.
- 3. Авторское свидетельство СССР № 478202, кл. G 01 К 7/16, 1974 (прототип).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU792745097A SU887945A1 (ru) | 1979-02-27 | 1979-02-27 | Терморезистор |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU792745097A SU887945A1 (ru) | 1979-02-27 | 1979-02-27 | Терморезистор |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU887945A1 true SU887945A1 (ru) | 1981-12-07 |
Family
ID=20818811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU792745097A SU887945A1 (ru) | 1979-02-27 | 1979-02-27 | Терморезистор |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU887945A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6953921B2 (en) | 2000-11-21 | 2005-10-11 | Lg Electronics Inc. | Bolometric humidity sensor and cooker using the same and method for controlling the cooker |
-
1979
- 1979-02-27 SU SU792745097A patent/SU887945A1/ru active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6953921B2 (en) | 2000-11-21 | 2005-10-11 | Lg Electronics Inc. | Bolometric humidity sensor and cooker using the same and method for controlling the cooker |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6354736B1 (en) | Wide temperature range RTD | |
| JP3226715B2 (ja) | 計測装置 | |
| JP3310430B2 (ja) | 計測装置および計測方法 | |
| JPH0658821A (ja) | 温度センサー | |
| SU887945A1 (ru) | Терморезистор | |
| US6593519B2 (en) | Infrared sensor | |
| US3186229A (en) | Temperature-sensitive device | |
| Bedford | Reference Tables for Platinum‐40% Rhodium/Platinum‐20% Rhodium Thermocouples | |
| Seki et al. | Characteristics of germanium thin film thermometers for use at low temperatures | |
| US3503260A (en) | Pyrometer construction | |
| RU2145135C1 (ru) | Полупроводниковый термопреобразователь сопротивления | |
| Hering et al. | Temperature Measurement | |
| SU602796A1 (ru) | Термометр сопротивлени | |
| Thieme et al. | The electrical resistivity of highly doped p-type germanium from 40 mK to 300 K | |
| RU2125717C1 (ru) | Тонкопленочный термометр сопротивления | |
| SU845020A1 (ru) | Датчик температуры | |
| SU1037084A1 (ru) | Терморезистор | |
| RU339U1 (ru) | Электронный медицинский термометр | |
| SU985715A1 (ru) | Термометр сопротивлени | |
| SU800694A1 (ru) | Устройство дл компенсации вли ни изМЕНЕНи ТЕМпЕРАТуРы СВОбОдНыХКОНцОВ ТЕРМОпАРы | |
| JPS6385364A (ja) | フローセンサ | |
| JPS5661639A (en) | Heat-accumulative element | |
| SU514210A1 (ru) | Датчик температуры | |
| Tiggelman et al. | Platinum resistance thermometry below 13. 81 K | |
| SU1719924A1 (ru) | Термоэлектрический термометр |