SU898596A1 - Одновибратор - Google Patents

Description

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в устройствах для формирования временных задержек и импульсов различной длительности.

Известен одновибратор с коллекторно-базовыми связями на двух транзисторах, в котором времязадающим элементом является конденсатор, включенный между коллектором нормально закрытого и базой'нормально открытого транзисторов

Однако этот одновибратор не позволяет использовать кремниевые транзисторы на полное коллекторное напряжение, так как у них сравнительно невелико допустимое обратное напряжение перехода эмитуер-базау

Наиболее близким к предлагаемому является одновибратор на кремниевых п-р-п транзисторах, содержащий конденсатор в цепи обратной связи коллектора нормально закрытого с ба• 2 зой нормально открытого транзистоР^а[²]·

Однако в таком одновибраторе нет защиты перехода эмиттер-база закрытого транзистора от пробоя обрат5 ным напряжением. Включение параллельно его переходу эмиттер-база защитного устройства приводит к значительному снижению длительности формируемого импульса из-за уменьшения 10 постоянной времени цепи разряда времязадающего конденсатора.

Цель изобретения - защита перехода эмиттер-база закрытого транзистора от пробоя обратным напряжением 15 и увеличение длительности формируемого импульса.

Поставленная цель достигается тем, что в одновибраторе на кремниевых п-р-п транзисторах, содержа²⁰ щем конденсатор в цепи связи коллектора нормально закрытого транзистора с базой нормально открытого транзистора, между базами транзисто з 898596 ров введен стабилитрон, напряжение стабилизации которого меньше допустимого обратного напряжения перехода эмиттер-база нормально открытого транзистора, подключенный катодом к ₅ базе нормально закрытого транзистора.

На чертеже приведена принципиальная электрическая схема одновибратора. 10

Одновибратор содержит два кремниевых п-р-п транзистора 1 и 2, стабилитрон 3, включенный между базами транзисторов, резисторы 4-6 в коллекторных и базовых цепях транзисто- 15 ров, конденсатор 7, включенный между коллектором транзистора 1 и базой транзистора 2, и диод 8 в базовой цепи транзистора 1.

Одновибратор работает следующим J0 образом.

В исходном состоянии транзистор закрыт, транзистор 2 открыт, а конденсатор 7 заряжен практически до напряжения источника питания + Е. 25

При подаче через диод 8 положи ние на его коллекторе уменьшаетая, а напряжение на базе.транзистора 2 остается постоянным. При дальнейшем разряде конденсатора 7 стабилитрон 3 выключается и отрицательное напряжение на базе транзистора 2 уменьшается по экспоненциальному закону в соответствии с напряжением на конденсаторе 7 до возвращения схемы в исходное состояние.

Таким образом, предложенный одновибратор дает возможность формирования импульсов с амплитудой, практик чески равной допустимому коллекторному напряжению кремниевого транзистора, при полностью исключенной возможности пробоя перехода эмиттер-база нормально открытого транзистора. Кроме того, одновибратор позволяет повысить длительность формируемого импульса.

Claims (2)

1. (54) ОДНОВИБРАТОР Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано в устройствах дл  формировани  временных задержек и импульсов различной длительности. Известен одновибратор с коллектор но-6азовыми св з ми на двух транзисторах , в котором врем задающим элементом  вл етс  конденсатор, включен ный между коллектором нормально закрытого и базой-нормапьно открытого транзисторов flj Однако этот одновибратор не позъ л ет использовать кремниевые транзисторы на полное коллекторное напр жение, так как у них сравнительно невелико допустимое обратное напр жение перехода эмитуер-базау Наиболее близким к предлагаемому  вл етс  одновибратор на кремниевых п-р-п транзисторах, содержащий конденсатор в цепи обратной св зи коллектора нормально закрытого с ба ЗОЙ нормально открытого транзистоОднако в таком однонибраторе нет защиты перехода эмиттер-база закрытого транзистора от пробо  обратным напр жением. Включение параллельно его переходу эмиттер-база защитного устройства приводит к значительному снижению длительности формируемого импульса из-за уменьшени  посто нной времени цепи разр да врем задающего конденсатора. Цель изобретени  защита перехода эмиттер-база закрытого транзистора от пробо  обратным напр жением и увеличение длительности формируемого импульса. Поставленна  цель достигаетс  тем, что в одновибраторе на кремниевых п-р-п транзисторах, содержащем конденсатор в цепи св зи коллектора нормально закрытого транзистора с базой нормально открытого транзистора , между базами транзисто3 . ров введен стабилитрон, напр жение стабилизации которого меньше допустимого обратного напр жени  перехода эмиттер-база нормально открытого транзистора, подключенный катодом к базе нормально закрытого транзистора . На чертеже приведена принципиаль на  электрическа  схема одновибрато ра. Одновибратор содержит два кремниевых п-р-п транзистора 1 и 2, стабилитрон 3, включенный между базами транзисторов, резисторы 4-6 в кол лекторных и базовых цеп х транзисто ров, конденсатор 7, включенный между коллектором транзистора 1 и базо транзистора 2, и диод 8 в базовой цепи транзистора 1. Одновибратор работает следующим образом. В исходном состо нии транзистор 1 закрыт, транзистор 2 открыт, а ко денсатор 7 зар жен практически до напр жени  источника питани  + Е. При подаче через диод 8 положительного запускающего импульса тран зистор 1 открываетс , напр жение -на его коллекторе падает, а напр жение на базе транзистора 2 за счет зар да , накопленного конденсатором 7, становитс  отрицательным. Напр жение на коллекторе транзистора 2 повышаетс  и через делитель., состо  щий из резисторов 5 и 6, поддерживает транзистор 1 в открытом состо  нии. Когда отрицательное напр жение на базе транзистора 2 достигает уровн  пробо  стабилитрона 3, последний начинает пропускать ток, уменьшающий ток базы транзистора 1, что приводит к повышению напр жени  на его коллекторе, Устанавливаетс  динамическое равновесие, при котором отрицательное напр жение на базе транзистора 2 определ етс  разностью напр жений на конденсаторе 7 и коллекторе транзистора 1 и практически не превьш1ает уровн  срабатывани  стабилитрона 3. По мер разр да конденсатора 7 ток базы транзистора 1 возрастает, напр жение на его коллекторе уменьшаетс , а напр жение на базе.транзистора 2 остаетс  посто нным. При дальнейшем разр де конденсатора 7 стабилитрон 3 выключаетс  и отрицательное напр жение на базе транзистора 2 уменьшаетс  по экспоненциальному закону в соответствии с напр жением на конденсаторе 7 до возвращени  схемы в исходное состо ние. Таким образом, предложенный одновибратор дает возможность формировани  импульсов о амплитудой, практик чески равной допустимому коллекторному напр жению кремниевого транзистора , при полностью исключенной возможности пробо  перехода эмиттер-база нормально открытого транзистора. Кроме того, Одновибратор позвол ет повысить длительность формируемого импульса. Формула изобретени  Одновибратор на кремниевых п-р-п транзисторах, содержащий конденсатор в цепи св зи коллектора нормально закрытого транзистора с базой нормально открытого транзистора, отличающийс  тем, что, с целью защиты перехода эмиттер-база закрытого транзистора от пробо  обратньм напр жением и увеличени  длительности формируемого импульса, между базами транзисторов введен стабилитрон, напр жение стабилизации которого меньше допустимого обратного напр жени  перехода эмиттербаза нормально открытого транзистора, подключенный катодом к базе нормально закрытого транзистора. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Вудинский Я.Транзисторные переключающие схемы. М., Св зь, 1965, с. 376, рис. 280.
2. 2.Патент ФРГ № 1275111 , кл. 21 а 36/02 (прототип).

   (Г

   -II