SU928896A1 - Способ контрол распределени высоковольтной составл ющей проводимости по площади диэлектрических пластин - Google Patents

Abstract

СПОСОБ КОНТРОЛЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНОЙ СОСТАВЛЯЩЕЙ ПРОВОДИМОСТИ ПО ПЛОЩАДИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛАСТИН, основанный на приложении к пластине с помощью электродов напр жени , облучении пластины пол ризованным светом и регистрации оптического изображени , по которому суд т о наличии и расположении мест, обладающих высоковольтной проводимостью, отличающийс  тем, что, с целью обеспечени  контрол  диэлектрических пластин, выполненных из материала , не обладающего электрооптическим эффектом, поверхность исследуемой диэлектрической пластины привод т в оптический контакт с поверхностью кристалла, обладающего электрооптическим эффектом, к полученной структуре прикладьшают импульсы напр жени , амплитуда которых больше полуволнового, но меньше напр жени  электрического пробо  использованного кристалла, а облучение структуры (Л производ т монохроматическим светом.

Description

Изобретение относитс  к технике исследовани  материалов и может быть использовано дл  контрол  распределе ни  высоковольтной составл ющей проводимости в жидких, твердых и газообразных диэлектриках.. Известен способ контрол  материалов , основанный на наложении образца исследуемой поверхностью на регистрирующий материал, приложении к ис следуемой системе напр жени  и регистрации мест повьшенной проводимости по изменению оптических свойст регистрирующего материала. Недостатком этого способа  вл етс  его непригодность дл  контрол  распределени  высоковольтной составл ющей проводимости по площадки диэлектрических пластин. Известен также способ контрол  распределени  высоковольтной составл ющей проводимости по площади диэлектрических пластин, основанный на приложении к пластине с помощью электродов напр жени , облучении пла стины пол ризованным светом и регист рации оптического изображени , по которому суд т о наличии и расположе нии мест, обладающих высоковольтной проводимостью. Недостатком этого способа  вл етс  его непригодность дл  контрол  ди электрических пластин, вьшолненных из материала, не обладающего электро оптическим эффектом. Целью изобретени   вл етс  обеспе чение контрол  диэлектрических пластин , вьшолненных из материала, не об ладающего электрооптическим эффектом Поставленна  цель достигаетс  тем что в известном способе контрол  рас пределени  высоковольтной составл ющей проводимости по площади диэлектрических пластин, основанном на при ложении к пластине с помощью электро дов напр жени , облучении пластины пол ризованным светом и регистрации оптического изображени , по которому суд т о наличии и расположении мест, обладающих высоковольтной проводимостью , поверхность исследуемой диэлектрической пластины привод т в оптический KOHTakT с поверхностью кристалла, обладающего электрооптическим эффектом, к полученной структуре прикладывают импульсы напр жени , амплитуда которых больше полуволнового , но меньше напр жени  элек 9 62 трического пробо  использовайного кристалла, а облучение структуры производ т монохроматическим сбетом. На чертеже приведена схема устройства дл  реализации способа. Устройство содержит генератор импульсов высокого напр жени  1, источник монохроматического света 2, ис следуемую структуру 3, фоторегистратор 4, пол ризатор 5, анализатор 6. Предложенный способ осуществл етс  следующим образом. Импульс высокого напр жени  от генератора 1 подают на исследуемую структуру 3. Во врем  воздействи  импульса напр жени  монохроматический свет от источника 2 пропускают через пол ризатор 5, исследуемую структуру 3, анализатор 6 и регистрируют полученную картину распределени  интенсивности света с помощью фоторегистратора 4. Запуск фоторегистратора 4 осуществл ют одновременно с подачей импульса напр жени  на исследуемую стгууктуру. Амплитуда напр жени  должна быть больше, чем полуволновое напр жение дл  используемого кристалла, но меньще, чем напр жение , при котором нарушаетс  электрическа  прочность кристалла. При отсутствии высоковольтной проводимости в диэлектрике, т.е., когда выполн етс  закон Ома, кажда  точка границы раздела будет иметь одинаковый потенциал и, следовательно, потенциальньй рельеф не возникает. Существенно , что это не зависит от внешних условий, амплитуды, формы и длительности приложенного напр жени , диэлектрической проницаемости, собственной проводимости исследуемого диэлектрика и т.д. Воздействие сильного электрического пол  на диэлектрик вызьшает по вление в нем высоковольт ° проводимости, особенностью которой  вл етс  ее пространственно локализованный характер. При этом, в локальных участках межэлектродного промежутка происходит перераспределение напр жени . Таким образом формируют потенциальный рельеф на поверхности электрооптического кристалла. Исход  из анализа зарегистрированной оптической картины потенциального рельефа, определ ют наличие высоковольтной проводимости в диэлектрике и соответствующие ее участки.

Таким образом, предлагаемый способ позвол ет обнаружить высоковольтную проводимость и места еа возникновени  в диэлектриках, не обладающих электрооптическим эффектом.

Предложенный способ найдет применение при исследовании предпробивньпс процессов в газообразных, жидких и твердых диэлектриках, а также при диагностики электрической изол ции.

Claims (1)

1. СПОСОБ КОНТРОЛЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНОЙ СОСТАВЛЯЮЩЕЙ ПРОВОДИМОСТИ ПО ПЛОЩАДИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛАСТИН, основанный на приложении к пластине с помощью электродов напряжения, облучении пластины поляризованным светом и регистрации оптичес- кого изображения, по которому судят о наличии и расположении мест, обладающих высоковольтной проводимостью, отличающийся тем, что, с целью обеспечения контроля диэлектрических пластин, выполненных из материала, не обладающего электрооптическим эффектом, поверхность исследуемой диэлектрической пластины приводят. в оптический контакт с поверхностью кристалла, обладающего электрооптическим эффектом, к полученной структуре прикладывают импульсы напряжения, амплитуда которых больше полуволнового, но меньше напряжения _с электрического пробоя использованно- ® го кристалла, а облучение структуры производят монохроматическим светом.

   СО ко 00 00 ю 05