SU940601A1 - Способ получения диэлектрических покрытий - Google Patents

Abstract

1. Способ получения диэлектрических покрытий на подложках арсенида галлия и твердых растворов типа CaAlAs, включающий размещение подложек в реакторе, их нагрев, формирование пассивирующих и диэлектрических слоев, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств границы раздела диэлектрический слой - подложка за счет уменьшения плотности поверхностных состояний, диэлектрический слой формируют методом осаждения из газовой фазы, содержащей триметилалюминий, арсин, кислород при мольных соотношениях алюминия, мышьяка и кислорода 1:(5-10):(10 - 10 ) соответственно и температуре подложек 600 - 650С.2. Способ получения диэлектрических покрытий по п. 1, отличающийся тем, что после формирования диэлектрических слоев на их поверхности методом осаждения из газовой фазы формируют пассивирующие слои полупроводникового твердого раствора из ряда Ga  AlAs:O или диэлектрика.