TH1431A - Processes and equipment for chemical vapor plastering - Google Patents

Processes and equipment for chemical vapor plastering

Info

Publication number
TH1431A
TH1431A TH8301000316A TH8301000316A TH1431A TH 1431 A TH1431 A TH 1431A TH 8301000316 A TH8301000316 A TH 8301000316A TH 8301000316 A TH8301000316 A TH 8301000316A TH 1431 A TH1431 A TH 1431A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
reaction chamber
gas
base
vacuum chamber
temperature
Prior art date
Application number
TH8301000316A
Other languages
Thai (th)
Inventor
อี มิลเลอร์ นายนิโคลาส
เอ แคมป์เบลล์ นายไบรอันท์
Original Assignee
นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
อนิคอน อินซ์
Filing date
Publication date
Application filed by นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า, อนิคอน อินซ์ filed Critical นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
Publication of TH1431A publication Critical patent/TH1431A/en

Links

Abstract

อุปกรณ์สำหรับการฉาบไอสารเคมีที่ประกอบด้วยแหล่งความร้อนที่อยู่โดยรอบห้องปฏิกิริยาส่วนในอย่างค่อนข้างสม่ำเสมอ เพื่อ ก่อให้เกิดความสมดุลของอุณหภูมิ หรือเพื่อการควบคุม อุณหภูมิ ไว้ภายใน โดยห้องปฏิกิริยาถูกล้อมรอบไว้ด้วยผนังของห้อง สุญญากาศที่อยู่ห่างออกมาA chemical vapor deposition device consisting of a heat source relatively uniformly surrounding an inner reaction chamber to achieve temperature equilibrium or to control the temperature inside, with the reaction chamber enclosed by the walls of an outer vacuum chamber.

Claims (15)

1. อุปกรณ์สำหรับฉาบที่สามารถควบคุมอุณหภูมิได้ ซึ่งประกอบด้วยชุดแผ่ความร้อนที่พันห้องปฏิกิริยาภายในเอาไว้ โดยรอบ เพื่อให้เกิดการควบคุมอุณหภูมิที่แน่นอน โดยห้องปฏิกิริยา ภายใน มีอุปกรณ์สำหรับส่งก๊าซเข้าภายใน และสำหรับดูดก๊าซออก พร้อม ด้วยห้องสูญญากาศที่อยู่โดยรอบห้องปฏิกิริยาภายในที่อยู่ใน ลักษณะของการก่อให้เกิดช่องว่างขึ้นระหว่างผนังเพื่อจะได้ คงไว้ ซึ่งสภาวะแห่งการเป็นสูญญากาศ1. A temperature-controlled coating device consisting of a heating element wrapped around the inner reaction chamber to ensure precise temperature control. The inner reaction chamber has devices for gas intake and exhaust, along with a surrounding vacuum chamber designed to create a void between the walls to maintain a vacuum state. 2. อุปกรณ์สำหรับฉาบไอสารเคมีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งห้อง สูญญากาศประกอบด้วยโครงตัวถังรูปโค้ง และฐานที่ปฏิบัติงาน ร่วมกัน ซึ่งผลิตขึ้นจากวัสดุโปร่งใสสำหรับให้รังสีความ ร้อนผ่านไปได้ และอุปกรณ์สำหรับทำความร้อนได้รับการติดตั้ง ไว้ในผิวนอกของตัวถังรูปโค้ง กับฐาน เพื่อก่อให้เกิด อุณหภูมิซึ่งสามารถควบคุมได้ภายในห้องปฏิกิริยา2. The device for vaporization of chemicals according to claim 1, which consists of a vacuum chamber comprising a curved body and an operating base, manufactured from a transparent material allowing radiant heat to pass through, and heating devices installed on the outer surface of the curved body and base to generate a controllable temperature within the reaction chamber. 3. อุปกรณ์สำหรับฉาบไอสารเคมีตามข้อถือสิทธิข้อ 2 ซึ่งส่วน ฐานรวมไปถึงส่วนที่เป็นผนังรูปโค้ง3. Equipment for chemical vapor containment as per claim paragraph 2, the base of which includes curved walls. 4. อุปกรณ์สำหรับฉาบไอสารเคมีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งห้อง สูญญากาศประกอบด้วยโครงตัวถังรูปโค้ง และส่วนฐานที่ประกบ เข้ากันผลิตขึ้นจากวัสดุโปร่งใส และอุปกรณ์ในความร้อนดัง กล่าวถูกติดตั้งอยู่ที่ผิวนอกของโครงตัวถังรูปโค้ง และ ระหว่างฐานกับห้องปฏิกิริยา เพื่อก่อให้เกิดการควบคุม อุณหภูมิขึ้นภายในห้องปฏิกิริยานั้น4. The device for vaporization of chemicals as per claim 1, which consists of a vacuum chamber made of a curved body and an attached base made of transparent material, and such heating device is installed on the outer surface of the curved body and between the base and the reaction chamber to create temperature control within the reaction chamber. 5. อุปกรณ์สำหรับฉาบไอสารเคมีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งห้อง ปฏิกิริยาชั้นในถูกกำหนดขอบเขตไว้ด้วยปนังในที่อยู่ห่างจาก ห้องสุญญากาศดังกล่าว โดยผนังในเป็นวัสดุที่สามารถให้รังสี ความร้อนผ่านได้5. Equipment for vaporizing chemicals as per claim 1, whereby the inner reaction chamber is demarcated by an inner wall away from the said vacuum chamber, and the inner wall is made of a material that allows radiant heat to pass through. 6. อุปกรณ์สำหรับฉาบไอสารเคมีตามข้อถือสิทธิข้อ 5 ซึ่งระบบ ส่งก๊าซรวมถึงชุดส่งก๊าซ และชุดเก็บก๊าซซึ่งอยู่ตรงข้ามกับ ส่วนสำหรับการฉาบวัตถุฐานเพื่อรับวัตถุฐาน6. Equipment for chemical vapor coating as per claim paragraph 5, which includes a gas delivery system, including a gas delivery unit and a gas storage unit, located opposite the base coating section for receiving the base. 7. อุปกรณ์สำหรับฉาบไอสารเคมีตามข้อถือสิทธิข้อ 6 ซึ่งชุด ส่งก๊าวและชุดเก็บก๊าซประกอบขึ้นเป็นวิธีของการส่งก๊าซ ปฏิกิริยาเข้าไปในแนวที่ขนานกันกับผิวของวัตถุฐานที่วางตัว อยู่ในลัษณะตั้งเพียงครั้งเดียว อันเป็นเหตุให้การเปลี่ยน แปลงของอัตรส่วนผสมของก๊าซเกิดขึ้นเพียงเล็กน้อย7. Equipment for vapor coating as per claim paragraph 6, in which the gas delivery and gas collection units are incorporated as a method of delivering the reactive gas parallel to the surface of the upright substrate in a single pass, resulting in minimal changes in the gas mixture ratio. 8. อุปกรณ์สำหรับฉาบไอสารเคมีตามข้อถือสิทธิข้อ 5 ซึ่งแรง ดันของก๊าซฟอกเกิดขึ้นระหว่างห้องปฏิกิริยาด้านในส่วนที่ เป็นผนังกับห้องสุญญากาศ เพื่อช่วยป้องกันมิให้ก๊าซจากห้อง ปฏิกิริยาด้านในรั่วออกได้8. Equipment for vapor sealing as per claim paragraph 5, in which a vacuum gas pressure is generated between the inner reaction chamber wall and the vacuum chamber to prevent leakage of gases from the inner reaction chamber. 9. อุปกรณ์สำหรับฉาบไอสารเคมีตามข้อถือสิทธิข้อ 2 รวมถึง อุปกรณ์สำหรับใช้ป้องกันการรั่วไหลที่ทำงานประสานกับโครง ตัวถังกับฐานเพื่อก่อให้เกิดความเป็นสุญญากาศขึ้นตรงกลาง และอุปกรณ์สำหรับป้องกันการรั่วไหลนี้มีส่วนซึ่งช่วยในการ ป้องกันความเสียหายจากความร้อนที่มาลักษณะเป็นของเหลวระบาย ความร้อน9. Equipment for chemical vapor containment as per claim paragraph 2, including leak containment devices that work in conjunction with the structure, body, and base to create a vacuum between them, and these leak containment devices have components that help prevent heat damage from liquid cooling. 10. ขบวนการสำหรับการฉาบด้วยไอสารเคมี ซึ่งสามารถควบคุม อุณหภูมิได้ให้กับวัตถุฐานประกอบด้วย การสัมผัสของก๊าซ ปฏิกิริยาที่เกิดขึ้นบนผิวของวัตถุฐานที่ไหลไปในทิศทางที่ ขนานกันกับผิวนั้นในสภาวะที่มีการรควบคุมอุณหภูมิไว้ในเขต ของการทำปฏิกิริยาในระดับ 250 ถึง 1300 องศาเซลเซียสและมี ความดันต่ำกว่า 750 มม.ปรอท โดยความแตกต่างของอุณหภูมิ ตลอดเขตปฏิกิริยาอยู่ในระดับที่ต่ำกว่า 2 องศาเซลเซียสจาก อุณหภูมิที่ได้กำหนดไว้จากนั้นก๊าซที่ไหลผ่านก็จะถูกดูดออก หลังจากที่ไหลผ่านผิวของวัตถุฐานไปแล้วหนึ่งครึ้ง10. The temperature-controlled chemical vapor deposition process for base materials involves the contact of a reaction gas on the base surface, flowing parallel to the surface in a controlled temperature zone between 250 and 1300 degrees Celsius at a pressure below 750 mmHg. The temperature difference across the reaction zone is less than 2 degrees Celsius above the predetermined temperature. The flowing gas is then withdrawn after having passed halfway across the base surface. 11. ขบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 10 ซึ่งเขตปฏิกิริยาเป็นเขต ที่มีดุลยภาพทางอุณหภูมิ และความแตกต่างของอุณหภูมิตลอดเขต ปฏิกิริยาอยู่ในระดับต่ำกว่า 2 องศาเซลเซียส11. The process under Claim 10, where the reaction zone is a temperature equilibrium zone and the temperature difference throughout the reaction zone is less than 2 degrees Celsius. 12. ขบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 10 ซึ่งวัตถุฐานจำนวนหนึ่ง ถูกวางไว้ในลักษณะตั้งไปในแนวเดียวกันภายในห้องปฏิกิริยา ที่มีการควบคุมอุณหภูมิไว้ และก๊าซปฏิกิริยาไหลผ่านผิวของ วัตถุฐานในทิศทางตั้ง12. The process under claim 10 in which a number of substrates are placed vertically in alignment within a temperature-controlled reaction chamber, and reaction gases flow vertically over the surfaces of the substrates. 13. ขบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 12 ซึ่งการควบคุมอุณหภูมิภาย ในห้องปฏิกิริยาเกิดขึ้นได้โดยการให้ความร้อนจากแหล่งความ ร้อนที่อยู่โดยรอบห้องปฏิกิริยา โดยผนังของห้องปฏิกิริยา ผลิตขึ้นจากวัสดุโปร่งใส เพื่อให้รังสีความร้อนผ่านได้13. The process under claim 12, in which temperature control inside the reaction chamber is achieved by heating from heat sources surrounding the reaction chamber, with the walls of the reaction chamber made of transparent material to allow thermal radiation to pass through. 14. ขบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 13 ซึ่งห้องปฏิกิริยาถูกล้อม รอบไว้ด้วยตัวถังของห้องสุญญากาศในลักษณะที่มีช่องว่างอยู่ ระหว่างผนังโดยผนังของห้องสูญญากาศนี้ผลิตขึ้นจากวัสดุ โปร่งใส และการแผ่รังสีความร้อนจากแหล่งความร้อนเกิดขึ้น โดยรอบตัวถังของห้องสูญญากาศนั้น14. The process under claim 13, in which the reaction chamber is enclosed by a vacuum chamber body with a void between the walls, the walls of which are made of a transparent material, and thermal radiation from a heat source occurs around the vacuum chamber body. 15. ขบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 14 ซึ่งก๊าซฟอกที่มี คุณสมบัติเหมาะสมกับก๊าซปฏิกิริยาถูกส่งเข้าสู่ช่องว่าง ระหว่างตัวถังห้องสุญญากาศกับห้องปฏิกิริยา โดยความกดดัน ภายในห้องสุญญากาศระหว่างส่วนนอกกับห้องปฏิกิริยาอยู่ใน อัตราที่สูงกว่าความกดดันของก๊าซภายในห้องสุญญากาศ และการ ฉาบอขงไอสารเคมีที่มีต่อตัวถังของห้องสุญญากาศก็จะได้รับ การป้องกันไว้ (ข้อถือสิทธิ 15 ข้อ, 38 หน้า, - รูป)15. The process under claim 14, in which a suitable purification gas is introduced into the space between the vacuum chamber and the reaction chamber, where the pressure inside the vacuum chamber between the outer and reaction chambers is higher than the pressure of the gas inside the vacuum chamber, and the coating of chemical vapors on the vacuum chamber body is prevented. (Clause 15, page 38, - Figure)
TH8301000316A 1983-08-25 Processes and equipment for chemical vapor plastering TH1431A (en)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH1431A true TH1431A (en) 1984-03-01

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR910006786B1 (en) Multiple, Parallel Packed Column Evaporators
US4901667A (en) Surface treatment apparatus
KR20260012819A (en) Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same
AU538152B2 (en) Chemical vapour deposition apparatus and process
KR920700468A (en) Layer deposition method on substrate and processing system thereof
BR9505647A (en) Process and apparatus for coating the inner surface of a temperature-sensitive container
EP0431951A2 (en) An atmospheric plasma reaction method and a device therefor
JPS6258639A (en) Chemical evaporating apparatus and method
ATE72142T1 (en) HOLLOW FIBER FILTER CARTRIDGE AND DISTRIBUTOR.
SE8200235L (en) METHOD AND APPARATUS FOR CHEMICAL STATEMENT OF MOVIES ON SILICONE DISC
JPS5766625A (en) Manufacture of film
US4419332A (en) Epitaxial reactor
CN213835530U (en) A solid source bottle
JPS5821025B2 (en) Vapor phase chemical vapor deposition equipment
MX171806B (en) DISTRIBUTOR BEAM WITH TEMPERATURE CONTROL FOR CHEMICAL STEAM DEPOSIT
JPS6251919B2 (en)
EP0371086B1 (en) Deposition apparatus
JPH05170591A (en) Evaporative source unit for molecular beam epitaxy
JPS60253212A (en) Vapor growth device
JPH02225668A (en) Vacuum room for injecting ion
JPH04210466A (en) Vacuum film forming device
Girtan et al. Substrate thermal profiles in spray-CVD reactor
KR920006896B1 (en) Reactor of Semiconductor Device for Refractory Metal Thin Film Deposition
KR20240024953A (en) Selective oxidation in a rapid thermal processing (RTP) chamber using active vapor generation
KR960026137A (en) Low Pressure Chemical Vapor Deposition System with Plasma