TH146773A

TH146773A - เซลล์แสงอาทิตย์ (Solar Cells)

Info

Publication number: TH146773A
Application number: TH1401007645A
Authority: TH
Inventors: เวแมน เฮลเก; ฟิมแลนด์ ปีจอร์น-โอเว; ชุล คิม ดอง
Original assignee: นายสัตยะพล สัจจเดชะ; นายกฤชวัชร์ ชัยนภาศักดิ์
Filing date: 2013-06-21
Publication date: 2016-03-04

Abstract

DC60 (11/03/58) องค์ประกอบของวัตถุ (composition of matter) โดยเฉพาะอย่างยิ่ง เซลล์โฟโตโวลตาอิก (photovoltaic cell) ที่ประกอบรวมด้วย อย่างน้อยหนึ่งชนิดของลวดขนาดนาโนที่มีสารกึ่งตัวนำของแกนบนซับสเตรตที่เป็น กราไฟต์ ซึ่งอย่างน้อยหนึ่งชนิดของลวดขนาดนาโนของแกนดังกล่าว ได้รับการปลูกโดยการสร้าง ชั้นเอพิแทกซีบน ซับสเตรตดังกล่าวที่ซึ่งลวดขนาดนาโนดังกล่าวประกอบรวมด้วย อย่างน้อยหนึ่ง ชนิดของสารประกอบของหมู่ III-V หรืออย่างน้อยหนึ่งชนิดของสารประกอบของหมู่ II-VI หรือ อย่างน้อยหนึ่งชนิดของธาตุของหมู่ IV; ส่วนห่อหุ้มของสารกึ่งตัวนำที่ล้อมรอบลวดขนาดนาโนของแกนดังกล่าว ซึ่งส่วนห่อหุ้ม ดังกล่าวประกอบรวมด้วยอย่างน้อยหนึ่งชนิดของสารประกอบของหมู่ III-V หรืออย่างน้อยหนึ่งชนิด ของสารประกอบของหมู่ II-VI หรืออย่างน้อยหนึ่งชนิดของธาตุของหมู่ IV เพื่อจะทำให้ลวดขนาด นาโนของแกนดังกล่าว และส่วนห่อหุ้มดังกล่าวเกิดเป็นสารกึ่งตัวนำชนิด n และสารกึ่งตัวนำชนิด p ตามลำดับหรือในทางตรงข้าม; และ สารเคลือบที่เป็นตัวนำที่อยู่ภายนอกที่ล้อมรอบ ส่วนห่อหุ้มดังกล่าวซึ่งจะเกิดเป็นส่วน สัมผัสอิเลคโทรด แก้ไข บทสรุป 11/03/2558 องค์ประกอบของวัตถุ (composition of matter) โดยเฉพาะอย่างยิ่ง เซลล์โฟโตโวลตาอิก (photovoltaic cell) ที่ประกอบรวมด้วย: อย่างน้อยหนึ่งชนิดของลวดขนาดนาโนที่มีสารกึ่งตัวนำของแกนบนซับสเตรตที่เป็น กราไฟต์ ซึ่งอย่างน้อยหนึ่งชนิดของลวดขนาดนาโนของแกนดังกล่าว ได้รับการปลูกโดยการสร้าง ชั้นเอพิแทกซีบน ซับสเตรตดังกล่าวที่ซึ่งลวดขนาดนาโนดังกล่าวประกอบรวมด้วย อย่างน้อยหนึ่ง ชนิดของสารประกอบของหมู่ III-V หรืออย่างน้อยหนึ่งชนิดของสารประกอบของหมู่ II-VI หรือ อย่างน้อยหนึ่งชนิดของธาตุของหมู่ IV; ส่วนห่อหุ้มของสารกึ่งตัวนำที่ล้อมรอบลวดขนาดนาโนของแกนดังกล่าว ซึ่งส่วนห่อหุ้ม ดังกล่าวประกอบรวมด้วยอย่างน้อยหนึ่งชนิดของสารประกอบของหมู่ III-V หรืออย่างน้อยหนึ่งชนิด ของสารประกอบของหมู่ II-VI หรืออย่างน้อยหนึ่งชนิดของธาตุของหมู่ IV เพื่อจะทำให้ลวดขนาด นาโนของแกนดังกล่าว และส่วนห่อหุ้มดังกล่าวเกิดเป็นสารกึ่งตัวนำชนิด n และสารกึ่งตัวนำชนิด p ตามลำดับหรือในทางตรงข้าม; และ สารเคลือบที่เป็นตัวนำที่อยู่ภายนอกที่ล้อมรอบ ส่วนห่อหุ้มดังกล่าวซึ่งจะเกิดเป็นส่วน สัมผัสอิเลคโทรด ------------------------ องค์ประกอบของวัตถุ (composition of matter) โดยเฉพาะอย่างยิ่ง เซลล์โฟโตโวลตาอิก (photovoltaic cell) ที่ประกอบรวมด้วย: อย่างน้อยหนึ่งชนิดของลวดขนาดนาโนที่มีสารกึ่งตัวนำของแกนบนซับสเตรตที่เป็น กราไฟต์ ซึ่งอย่างน้อยหนึ่งชนิดของลวดขนาดนาโนของแกนดังกล่าว ได้รับการปลูกโดยการสร้าง ชั้นเอพิแทกซีบน ซับสเตรตดังกล่าวที่ซึ่งลวดขนาดนาโนดังกล่าวประกอบรวมด้วย อย่างน้อยหนึ่ง ชนิดของสารประกอบของหมู่ III-V หรืออย่างน้อยหนึ่งชนิดของสารประกอบของหมู่ II-VI หรือ อย่างน้อยหนึ่งชนิดของธาตุของหมู่ IV; ส่วนห่อหุ้มของสารกึ่งตัวนำที่ล้อมรอบลวดขนาดนาโนของแกนดังกล่าว ซึ่งส่วนห่อหุ้ม ดังกล่าวประกอบรวมด้วยอย่างน้อยหนึ่งชนิดของสารประกอบของหมู่ III-V หรืออย่างน้อยหนึ่งชนิด ของสารประกอบของหมู่ II-VI หรืออย่างน้อยหนึ่งชนิดของธาตุของหมู่ IV เพื่อจะทำให้ลวดขนาด นาโนของแกนดังกล่าว และส่วนห่อหุ้มดังกล่าวเกิดเป็นสารกึ่งตัวนำชนิด n และสารกึ่งตัวนำชนิด p ตามลำดับหรือในทางตรงข้าม; และ สารเคลือบที่เป็นตัวนำที่อยู่ภายนอกที่ล้อมรอบ ส่วนห่อหุ้มดังกล่าวซึ่งจะเกิดเป็นส่วน สัมผัสอิเลคโทรด:

Claims

: DC60 (11/03/58) องค์ประกอบของวัตถุ (composition of matter) โดยเฉพาะอย่างยิ่ง เซลล์โฟโตโวลตาอิก (photovoltaic cell) ที่ประกอบรวมด้วย: อย่างน้อยหนึ่งชนิดของลวดขนาดนาโนที่มีสารกึ่งตัวนำของแกนบนซับสเตรตที่เป็น กราไฟต์ ซึ่งอย่างน้อยหนึ่งชนิดของลวดขนาดนาโนของแกนดังกล่าว ได้รับการปลูกโดยการสร้าง ชั้นเอพิแทกซีบน ซับสเตรตดังกล่าวที่ซึ่งลวดขนาดนาโนดังกล่าวประกอบรวมด้วย อย่างน้อยหนึ่ง ชนิดของสารประกอบของหมู่ III-V หรืออย่างน้อยหนึ่งชนิดของสารประกอบของหมู่ II-VI หรือ อย่างน้อยหนึ่งชนิดของธาตุของหมู่ IV; ส่วนห่อหุ้มของสารกึ่งตัวนำที่ล้อมรอบลวดขนาดนาโนของแกนดังกล่าว ซึ่งส่วนห่อหุ้ม ดังกล่าวประกอบรวมด้วยอย่างน้อยหนึ่งชนิดของสารประกอบของหมู่ III-V หรืออย่างน้อยหนึ่งชนิด ของสารประกอบของหมู่ II-VI หรืออย่างน้อยหนึ่งชนิดของธาตุของหมู่ IV เพื่อจะทำให้ลวดขนาด นาโนของแกนดังกล่าว และส่วนห่อหุ้มดังกล่าวเกิดเป็นสารกึ่งตัวนำชนิด n และสารกึ่งตัวนำชนิด p ตามลำดับหรือในทางตรงข้าม; และ สารเคลือบที่เป็นตัวนำที่อยู่ภายนอกที่ล้อมรอบ ส่วนห่อหุ้มดังกล่าวซึ่งจะเกิดเป็นส่วน สัมผัสอิเลคโทรด แก้ไข บทสรุป 11/03/2558 องค์ประกอบของวัตถุ (composition of matter) โดยเฉพาะอย่างยิ่ง เซลล์โฟโตโวลตาอิก (photovoltaic cell) ที่ประกอบรวมด้วย: อย่างน้อยหนึ่งชนิดของลวดขนาดนาโนที่มีสารกึ่งตัวนำของแกนบนซับสเตรตที่เป็น กราไฟต์ ซึ่งอย่างน้อยหนึ่งชนิดของลวดขนาดนาโนของแกนดังกล่าว ได้รับการปลูกโดยการสร้าง ชั้นเอพิแทกซีบน ซับสเตรตดังกล่าวที่ซึ่งลวดขนาดนาโนดังกล่าวประกอบรวมด้วย อย่างน้อยหนึ่ง ชนิดของสารประกอบของหมู่ III-V หรืออย่างน้อยหนึ่งชนิดของสารประกอบของหมู่ II-VI หรือ อย่างน้อยหนึ่งชนิดของธาตุของหมู่ IV; ส่วนห่อหุ้มของสารกึ่งตัวนำที่ล้อมรอบลวดขนาดนาโนของแกนดังกล่าว ซึ่งส่วนห่อหุ้ม ดังกล่าวประกอบรวมด้วยอย่างน้อยหนึ่งชนิดของสารประกอบของหมู่ III-V หรืออย่างน้อยหนึ่งชนิด ของสารประกอบของหมู่ II-VI หรืออย่างน้อยหนึ่งชนิดของธาตุของหมู่ IV เพื่อจะทำให้ลวดขนาด นาโนของแกนดังกล่าว และส่วนห่อหุ้มดังกล่าวเกิดเป็นสารกึ่งตัวนำชนิด n และสารกึ่งตัวนำชนิด p ตามลำดับหรือในทางตรงข้าม; และ สารเคลือบที่เป็นตัวนำที่อยู่ภายนอกที่ล้อมรอบ ส่วนห่อหุ้มดังกล่าวซึ่งจะเกิดเป็นส่วน สัมผัสอิเลคโทรด ------------------------ องค์ประกอบของวัตถุ (composition of matter) โดยเฉพาะอย่างยิ่ง เซลล์โฟโตโวลตาอิก (photovoltaic cell) ที่ประกอบรวมด้วย: อย่างน้อยหนึ่งชนิดของลวดขนาดนาโนที่มีสารกึ่งตัวนำของแกนบนซับสเตรตที่เป็น กราไฟต์ ซึ่งอย่างน้อยหนึ่งชนิดของลวดขนาดนาโนของแกนดังกล่าว ได้รับการปลูกโดยการสร้าง ชั้นเอพิแทกซีบน ซับสเตรตดังกล่าวที่ซึ่งลวดขนาดนาโนดังกล่าวประกอบรวมด้วย อย่างน้อยหนึ่ง ชนิดของสารประกอบของหมู่ III-V หรืออย่างน้อยหนึ่งชนิดของสารประกอบของหมู่ II-VI หรือ อย่างน้อยหนึ่งชนิดของธาตุของหมู่ IV; ส่วนห่อหุ้มของสารกึ่งตัวนำที่ล้อมรอบลวดขนาดนาโนของแกนดังกล่าว ซึ่งส่วนห่อหุ้ม ดังกล่าวประกอบรวมด้วยอย่างน้อยหนึ่งชนิดของสารประกอบของหมู่ III-V หรืออย่างน้อยหนึ่งชนิด ของสารประกอบของหมู่ II-VI หรืออย่างน้อยหนึ่งชนิดของธาตุของหมู่ IV เพื่อจะทำให้ลวดขนาด นาโนของแกนดังกล่าว และส่วนห่อหุ้มดังกล่าวเกิดเป็นสารกึ่งตัวนำชนิด n และสารกึ่งตัวนำชนิด p ตามลำดับหรือในทางตรงข้าม; และ สารเคลือบที่เป็นตัวนำที่อยู่ภายนอกที่ล้อมรอบ ส่วนห่อหุ้มดังกล่าวซึ่งจะเกิดเป็นส่วน สัมผัสอิเลคโทรดข้อถือสิทธิ์ (ข้อที่หนึ่ง) ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : แก้ไข 11/03/2558

1. องค์ประกอบของวัตถุ (composition of matter) โดยเฉพาะอย่างยิ่ง เซลล์โฟโตโวลตาอิก (photovoltaic cell), ที่ประกอบรวมด้วย: อย่างน้อยหนึ่งชนิดของลวดขนาดนาโนที่มีสารกึ่งตัวนำของแกน (core semiconductor nanowire) บนซับสเตรตที่เป็นกราไฟต์, ซึ่งอย่างน้อยหนึ่งชนิดของลวดขนาดนาโนของแกนดังกล่าว ได้รับการปลูกโดยการสร้างชั้นเอพิแทกซีบนซับสเตรตดังกล่าว ที่ซึ่งลวดขนาดนาโนดังกล่าว ประกอบรวมด้วยอย่างน้อยหนึ่งชนิดของสารประกอบของหแท็ก :