TH14802A

TH14802A - น้ำยาสร้างภาพลิโธกราฟิคและกรรมวิธีลิโธกราฟิค

Info

Publication number: TH14802A
Application number: TH9301000175A
Authority: TH
Inventors: โอห์มิ นายทาดาฮิโร; ชิมาดะ นายฮิซายูกิ; ชิโมมูระ นายชิเกกิ
Original assignee: นายดำเนิน การเด่น; นายต่อพงศ์ โทณะวณิก; นายวิรัช ศรีเอนกราธา; นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
Filing date: 1993-02-05
Publication date: 1994-10-28

Abstract

ที่ให้ไว้คือน้ำยาสร้างภาพลิโธกราฟิคที่ใช้สร้างแบบรีซิสท์ซึ่งมีบริเวณของขนาดและรูปร่างที่ต่างกัน โดยการละลายและกำจัดบริเวณรีซิสท์ของชั้นรีซิสท์นั้นที่เกิดขึ้นในแบบรีซิสท์นั้น ซึ่งน้ำยาสร้างภาพดังกล่าวประกอบด้วยสารลดแรงตึงผิวที่สามารถเพิ่มการละลายของรีซิสท์นั้นให้ละลายได้และกำจัดออกได้ ซึ่งมีพื้นที่การละลาย-และ-การจำกัดออก บนพื้นผิวของชั้นรีซิสท์ดังกล่าว เล็กกว่า

Claims

1. น้ำยาสร้างภาพลิโธกราฟิคที่ใช้สร้างแบบรีซิสท์ โดยการละลายและกำจัดบริเวณรีซิสท์ของชั้นรีซิสท์นั้น ซึ่งน้ำยาสร้างภาพดังกล่าวประกอบรวมด้วยสารลดแรงตึงผิวมีน้ำหนักโมเลกุลไม่มากกว่า 4,000 ที่มีสูตรต่อไปนี้ OH(CH2CH2O)a(CH(CH3)CH2O)b(CH2CH2O)ch (I) ซึ่ง a,b และ c แต่ละตัวคือเลขจำนวนเต็มบวก และซึ่งสารลดแรงตึงผิวแทนด้วยเงื่อนไขที่แสดงโดยอสมการต่อไปนี้ (A+C) / (A+B+C) < 0.2 ซึ่ง A คือน้ำหนักสูตรของส่วน HO(CH2CH2O)a, B คือน้ำหนักสูตรของส่วน (CH(CH3)CH2O)b และ C คือน้ำหนักสูตรของส่วน (CH2CH2O)ch ในสูตร (I) 2. น้ำยาสร้างภาพลิโธกราฟิคตามข้อถือสิทธิ 1 นั้น ซึ่งสารลดแรงตึงผิวดังกล่าวคือสารลดแรงตึงผิวที่มีสมบัติต้านการเกิดฟอง 3. น้ำยาสร้างภาพลิโธกราฟิคตามข้อหนึ่งข้อใดของข้อถือสิทธิ 1 หรือ 2 ซึ่งสารลดแรงตึงผิวดังกล่าวมีความเข้มข้นไม่น้อยกว่า 300 ppm 4. น้ำยาสร้างภาพลิโธกราฟิคตามข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งก่อนหน้า ซึ่งสารลดแรงตึงผิวดังกล่าวมีความเข้มข้นจาก 100 ppm ถึง 1,000 ppm 5. กรรมวิธีลิโธกราฟิค ซึ่งประกอบรวมด้วย ขั้นของการละลายและการกำจัดบริเวณรีซิสท์ต่อชั้นรีซิสท์ที่เกิดขึ้นในแบบรีซิสท์ เพื่อที่จะเกิดแบบรีซิสท์ซึ่งมีบริเวณที่มีขนาดและรูปร่างต่างกัน ซึ่งอย่างน้อยที่สุดส่วนของการสร้างแบบรีซิสท์นั้น โดยการใช้น้ำยาสร้างภาพลิโธกราฟิคซึ่งประกอบรวมด้วยสารลดแรงตึงผิวมีน้ำหนักโมเลกุลไม่มากกว่า 4,000 ที่มีสูตรต่อไปนี้ HO(CH2CH2O)a(CH(CH3)CH2O)b(CH2CH2O)cH (I) ซึ่ง a,b และ c แต่ละตัวคือเลขจำนวนเต็มบวก และซึ่งสารลดแรงตึงผิวแทนด้วยเงื่อนไขที่แสดงโดยอสมการต่อไปนี้ (A+C) / (A+B+C) < 0.2 ซึ่ง A คือน้ำหนักสูตรของส่วน HO(CH2CH2O)a, B คือน้ำหนักสูตรของส่วน (CH(CH3)CH2O)b, C คือน้ำหนักสูตรของส่วน (CH2CH2O)cH ในสูตร (I) 6. กรรมวิธีลิโธกราฟิคตามข้อถือสิทธิ 5 นั้น ซึ่งสารลดแรงตึงผิวดังกล่าวคือสารลดแรงตึงผิวที่มีสมบัติต้านการเกิดฟอง 7. กรรมวิธีลิโธกราฟิคตามข้อหนึ่งข้อใดของข้อถือสิทธิ 5 หรือ 6 ซึ่งสารลดแรงตึงผิวดังกล่าวมีความเข้มข้นไม่น้อยกว่า 300 ppm 8. กรรมวิธีลิโธกราฟิคตามข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งก่อนหน้า ซึ่งสารลดแรงตึงผิวดังกล่าวมีความเข้มข้นจาก 100 ppm ถึง 1,000 ppm 9. กรรมวิธีลิโธกราฟิคตามข้อหนึ่งข้อใดของข้อถือสิทธิ 5 ถึง 8 ซึ่งแบบรีซิสท์ดังกล่าวมีบริเวณรีซิสท์ที่มีขนาด 0.5 ไมโครเมตร หรือน้อยกว่า 1 0. กรรมวิธีลิโธกราฟิคตามข้อหนึ่งข้อใดของข้อถือสิทธิ 5 ถึง 9 ซึ่งรีซิสท์ดังกล่าวนำไปรับแสงโดยใช้การจัดให้เป็นเส้นเดียวกันโดยการลดเส้น-จี หรือเส้น-ไอ 1

1. กรรมวิธีลิโธกราฟิคตามข้อหนึ่งข้อใดของข้อถือสิทธิ 5 ถึง 10 ซึ่งสารลดแรงตึงผิวดังกล่าวที่ดูดซับบนพื้นผิวของรีซิสท์หรือซับสเทรทที่อยู่ใต้รีซิสท์นั้น ซึ่งกำจัดรีซิสท์ออกโดยการล้างด้วยน้ำบริสุทธิ์สูง ที่มีโอโซนไม่น้อยกว่า 0.1 ppm 1

2. กรรมวิธีลิโธกราฟิคตามข้อถือสิทธิ 11 ซึ่งโอโซนในน้ำบริสุทธิ์สูงดังกล่าวนั้น มีความเข้มข้นไม่น้อยกว่า 2.0 ppm 1

3. กรรมวิธีลิโธกราฟิคตามข้อหนึ่งข้อใดของข้อถือสิทธิ 5 ถึง 12 ซึ่งใช้เตรียมช่องสัมผัส 1

4. วิธีการทำวงจรเพิ่มระดับที่ใหญ่ขึ้น ซึ่งประกอบรวมด้วยการจัดให้ซับสเทรทที่มีชั้นรีซิสท์ การให้ชั้นรับแสงเพื่อเตรียมแบบของบริเวณรีซิสท์ เพื่อกำจัดออก การสร้างแบบด้วยวิถีทางของน้ำยาสร้างภาพตามข้อถือสิทธิข้อหนึ่งข้อใดของข้อถือสิทธิ 1 ถึง 4 หรือโดยกรรมวิธีตามข้อหนึ่งข้อใดของข้อถือสิทธิ 5 ถึง 13 และต่อมาดำเนินกรรมวิธีใส่ซับสเทรทที่สร้างภาพแล้วลงในวงจรที่เพิ่มขึ้น