TH166348A - เวสเซลของเครื่องปฏิกรณ์พลาสมาและชุดประกอบและวิธีการสำหรับดำเนินงาน กระบวนการพลาสมา - Google Patents

Abstract

แก้ไขบทสรุปการประดิษฐ์ 17/06/2559 เวสเซลของเครื่องปฏิกรณ์พลาสมา (100) ที่ประกอบรวมด้วย โถงสุญญากาศ (30); อิเล็กโทรดที่หนึ่ง (2) ในโถงสุญญากาศ (30); อิเล็กโทรดที่สอง (8) ในโถงสุญญากาศ (30) ซึ่งอยู่ ตรงข้ามกับอิเล็กโทรดที่หนึ่ง (2) และถูกเว้นห่างจากอิเล็กโทรดที่หนึ่ง (2); แหล่งพลังงาน (33) ซึ่ง ถูกเชื่อมต่อทางไฟฟ้ากับหนึ่งในอิเล็กโทรดที่หนึ่งหรือสอง; พาหะของซับสเตรต (substratecarrier) (13) ที่ประกอบรวมด้วยวัสดุนำไฟฟ้า, พาหะของซับสเตรต (13) ที่ถูกวางโครงแบบให้อยู่ในการ เชื่อมต่อทางไฟฟ้ากับอิเล็กโทรดที่สอง (8) และเพื่อจับซับสเตรต (11) ในลักษณะที่ว่า อย่างน้อย ที่สุดแล้วส่วนใหญ่ของพื้นผิวด้านบนและด้านล่างของซับสเตรตไม่แตะต้องกับส่วนใดก็ตามของ เครื่องปฏิกรณ์พลาสมา และสามารถถูกเผยสัมผัสต่อพลาสมาได้; โดยที่เวสเซลของเครื่องปฏิกรณ์ (100) ยังประกอบรวมอีกด้วย อิเล็กโทรดที่สาม (16) ซึ่งถูกประกอบรวมอยู่ระหว่างพาหะของซับส เตรต (13) และอิเล็กโทรดที่สอง (8)โดยที่อิเล็กโทรดที่สาม (16) ถูกทำให้เป็นฉนวนไฟฟ้าจาก อิเล็กโทรดที่สอง (8) ดังกล่าว; และโดยที่อิเล็กโทรดที่สาม (16) และพาหะของซับสเตรต(13) ถูก จัดเรียงในลักษณะที่ว่า เมื่อพาหะของซับสเตรต (13) จับซับสเตรต (11) แล้วช่องว่างของระยะห่าง ที่หนึ่ง (12) จะถูกประกอบรวมอยู่ระหว่าง ซับสเตรต (11) และอิเล็กโทรดที่สาม (16) สิ่งที่ยังถูกจัด ให้มีอีกคือ ชุดประกอบและวิธีการที่สอดคล้อง สำหรับการดำเนินงานกระบวนการพลาสมา (รูปที่ 3) --------------------------------------------------------------------------- เวสเซลของเครื่องปฏิกรณ์พลาสมา (100) ที่ประกอบรวมด้วย โถงสุญญากาศ (30); อิเล็กโทรดที่หนึ่ง (2) ในโถงสุญญากาศ (30); อิเล็กโทรดที่สอง (8) ในโถงสุญญากาศ (30) ซึ่ง อยู่ตรงข้ามกับอิเล็กโทรดที่หนึ่ง (2) และถูกเว้นห่างจากอิเล็กโทรดที่หนึ่ง (2); แหล่งพลังงาน (33) ซึ่งถูกเชื่อมต่อทางไฟฟ้ากับหนึ่งในอิเล็กโทรดที่หนึ่งหรือสอง; พาหะของซับสเตรต (substrate carrier) (13) ที่ประกอบรวมด้วยวัสดุนำไฟฟ้า, พาหะของซับสเตรต (13) ที่ถูกวางโครงแบบให้อยู่ ในการเชื่อมต่อทางไฟฟ้ากับอิเล็กโทรดที่สอง (8) และเพื่อจับซับสเตรต (11) ในลักษณะที่ว่า อย่าง น้อยที่สุดแล้วส่วนใหญ่ของพื้นผิวด้านบนและด้านล่างของซับสเตรตไม่แตะต้องกับส่วนใดก็ตาม ของเครื่องปฏิกรณ์พลาสมา และสามารถถูกเผยสัมผัสต่อพลาสมาได้; โดยที่เวสเซลของ เครื่องปฏิกรณ์ (100) ยังประกอบรวมอีกด้วย อิเล็กโทรดที่สาม (16) ซึ่งถูกประกอบรวมอยู่ระหว่าง พาหะของซับสเตรต (13) และอิเล็กโทรดที่สอง (8)โดยที่อิเล็กโทรดที่สาม (16) ถูกทำให้ เป็นฉนวนไฟฟ้าจากอิเล็กโทรดที่สอง (8) ดังกล่าว; และโดยที่อิเล็กโทรดที่สาม (16) และพาหะ ของซับสเตรต(13) ถูกจัดเรียงในลักษณะที่ว่า เมื่อพาหะของซับสเตรต (13) จับซับสเตรต (11) แล้ว ช่องว่างของระยะห่างที่หนึ่ง (12) จะถูกประกอบรวมอยู่ระหว่าง ซับสเตรต (11) และอิเล็กโทรด ที่สาม (16) สิ่งที่ยังถูกจัดให้มีอีกคือ ชุดประกอบและวิธีการที่สอดคล้อง สำหรับการดำเนินงาน กระบวนการพลาสมา (รูปที่ 3)

Claims (1)

: แก้ไขบทสรุปการประดิษฐ์ 17/06/2559 เวสเซลของเครื่องปฏิกรณ์พลาสมา (100) ที่ประกอบรวมด้วย โถงสุญญากาศ (30); อิเล็กโทรดที่หนึ่ง (2) ในโถงสุญญากาศ (30); อิเล็กโทรดที่สอง (8) ในโถงสุญญากาศ (30) ซึ่งอยู่ ตรงข้ามกับอิเล็กโทรดที่หนึ่ง (2) และถูกเว้นห่างจากอิเล็กโทรดที่หนึ่ง (2); แหล่งพลังงาน (33) ซึ่ง ถูกเชื่อมต่อทางไฟฟ้ากับหนึ่งในอิเล็กโทรดที่หนึ่งหรือสอง; พาหะของซับสเตรต (substratecarrier) (13) ที่ประกอบรวมด้วยวัสดุนำไฟฟ้า, พาหะของซับสเตรต (13) ที่ถูกวางโครงแบบให้อยู่ในการ เชื่อมต่อทางไฟฟ้ากับอิเล็กโทรดที่สอง (8) และเพื่อจับซับสเตรต (11) ในลักษณะที่ว่า อย่างน้อย ที่สุดแล้วส่วนใหญ่ของพื้นผิวด้านบนและด้านล่างของซับสเตรตไม่แตะต้องกับส่วนใดก็ตามของ เครื่องปฏิกรณ์พลาสมา และสามารถถูกเผยสัมผัสต่อพลาสมาได้; โดยที่เวสเซลของเครื่องปฏิกรณ์ (100) ยังประกอบรวมอีกด้วย อิเล็กโทรดที่สาม (16) ซึ่งถูกประกอบรวมอยู่ระหว่างพาหะของซับส เตรต (13) และอิเล็กโทรดที่สอง (8)โดยที่อิเล็กโทรดที่สาม (16) ถูกทำให้เป็นฉนวนไฟฟ้าจาก อิเล็กโทรดที่สอง (8) ดังกล่าว; และโดยที่อิเล็กโทรดที่สาม (16) และพาหะของซับสเตรต(13) ถูก จัดเรียงในลักษณะที่ว่า เมื่อพาหะของซับสเตรต (13) จับซับสเตรต (11) แล้วช่องว่างของระยะห่าง ที่หนึ่ง (12) จะถูกประกอบรวมอยู่ระหว่าง ซับสเตรต (11) และอิเล็กโทรดที่สาม (16) สิ่งที่ยังถูกจัด ให้มีอีกคือ ชุดประกอบและวิธีการที่สอดคล้อง สำหรับการดำเนินงานกระบวนการพลาสมา (รูปที่ 3) --------------------------------------------------------------------------- เวสเซลของเครื่องปฏิกรณ์พลาสมา (100) ที่ประกอบรวมด้วย โถงสุญญากาศ (30); อิเล็กโทรดที่หนึ่ง (2) ในโถงสุญญากาศ (30); อิเล็กโทรดที่สอง (8) ในโถงสุญญากาศ (30) ซึ่ง อยู่ตรงข้ามกับอิเล็กโทรดที่หนึ่ง (2) และถูกเว้นห่างจากอิเล็กโทรดที่หนึ่ง (2); แหล่งพลังงาน (33) ซึ่งถูกเชื่อมต่อทางไฟฟ้ากับหนึ่งในอิเล็กโทรดที่หนึ่งหรือสอง; พาหะของซับสเตรต (substrate carrier) (13) ที่ประกอบรวมด้วยวัสดุนำไฟฟ้า, พาหะของซับสเตรต (13) ที่ถูกวางโครงแบบให้อยู่ ในการเชื่อมต่อทางไฟฟ้ากับอิเล็กโทรดที่สอง (8) และเพื่อจับซับสเตรต (11) ในลักษณะที่ว่า อย่าง น้อยที่สุดแล้วส่วนใหญ่ของพื้นผิวด้านบนและด้านล่างของซับสเตรตไม่แตะต้องกับส่วนใดก็ตาม ของเครื่องปฏิกรณ์พลาสมา และสามารถถูกเผยสัมผัสต่อพลาสมาได้; โดยที่เวสเซลของ เครื่องปฏิกรณ์ (100) ยังประกอบรวมอีกด้วย อิเล็กโทรดที่สาม (16) ซึ่งถูกประกอบรวมอยู่ระหว่าง พาหะของซับสเตรต (13) และอิเล็กโทรดที่สอง (8)โดยที่อิเล็กโทรดที่สาม (16) ถูกทำให้ เป็นฉนวนไฟฟ้าจากอิเล็กโทรดที่สอง (8) ดังกล่าว; และโดยที่อิเล็กโทรดที่สาม (16) และพาหะ ของซับสเตรต(13) ถูกจัดเรียงในลักษณะที่ว่า เมื่อพาหะของซับสเตรต (13) จับซับสเตรต (11) แล้ว ช่องว่างของระยะห่างที่หนึ่ง (12) จะถูกประกอบรวมอยู่ระหว่าง ซับสเตรต (11) และอิเล็กโทรด ที่สาม (16) สิ่งที่ยังถูกจัดให้มีอีกคือ ชุดประกอบและวิธีการที่สอดคล้อง สำหรับการดำเนินงาน กระบวนการพลาสมา (รูปที่ 3)ข้อถือสิทธิ์ (ข้อที่หนึ่ง) ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : ------20/12/2561------(OCR) หน้า 1 ของจำนวน 3 หน้า ข้อถือสิทธิ

1. เวสเซลของเครื่องปฏิกรณ์พลาสมา (100) ที่ประกอบรวมด้วย โถงสุญญากาศ (30); อิเล็กโทรดที่หนึ่ง (2) ในโถงสุญญากาศ (30); อิเล็กโทรดที่สอง (8) ในโถงสุญญากาศ (30) ซึ่งอยู่ตรงข้ามกับอิเล็กโทรดที่หนึ่ง (2) และถูกเว้นห่างจางอิเล็กโทรดที่หนึ่ง (2); วิถีทาง (99) สำหรับการจัดให้มีแก๊สจากกระบวนการที่ไวต่อปฏิกิริยา (reactive processgases) ในโถงสแท็ก :