Claims (8)
1. กระบวนการสำหรับทำตัวเก็บประจุ ที่มีการรั่วต่ำจากวัสดุหลัก ที่ ประกอบด้วย ผงโลหะอย่างน้อยหนึ่งชนิด ที่เลือกได้จากธาตุหมู่ V-B ซึ่งประกอบด้วย การทำปฏิกิริยาระหว่างไนโตรเจนปริมาณหนึ่ง กับวัสดุหลักดังกล่าว จนเพียงพอที่จะทำให้มีไนโตรเจนอย่างน้อย 500 ถึง 7000 ส่วนต่อล้านส่วนโดยน้ำหนัก ในวัสดุดังกล่าว การทำปฏิกิริยาระหว่างออกซิเจนปริมาณหนึ่งกับวัสดุหลักดังกล่าว จนเพียงพอที่จะทำให้มีออกซิเจนอย่างน้อย 700 ถึง 3000 ส่วนต่อล้านส่วนโดยน้ำหนัก ในวัสดุดังกล่าว การทำรูปเม็ดจากวัสดุหลักดังกล่าว และการหลอมติดเม็ดดังกล่าว ที่อุณหภูมิระหว่าง 1400 องศาซลเซียส ถึง 1800 องศาเซลเซียส การนำเม็ดวัสดุที่หลอมติดแล้วดังกล่าว มาอยู่ในสภาพที่มีแรงดันไฟฟ้า ของการแอโนไดซ์ 100 โวลท์ หรือสูงกว่า การทำตัวเก็บประจุจากเม็ดวัสดุที่แอโนไดซ์แล้วดังกล่าว และการ ตรวจพบว่า มีประจุจำเพาะสูงขึ้นไปได้ จนถึงประมาณ 25,000 uFV/g และมีคุณสมบัติ ด้านการรั่วของไฟฟ้าดีขึ้น 2. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 1 ซึ่งวัสดุหลักดังกล่าว อย่างน้อยประกอบด้วย ผงโลหะแทนทาลัม 3. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 2 ซึ่งวัสดุหลักดังกล่าว ประกอบด้วยสารผงที่มีอนุภาคค่อนข้างกลม เป็นชิ้น เป็นเส้นใย และเป็นเกล็ด 4. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 3 ซึ่งวัสดุหลักดังกล่าว ถูกทำให้รวมตัวติดกันที่อุณภูมิระหว่างประมาณ 1200 ถึง 1600 องศาเซลเซียส 5. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 4 ซึ่งวัสดุหลักดังกล่าว ถูกทำให้รวมตัวติดกันที่อุณภูมิระหว่างประมาณ 1400 ถึง 1500 องศาเซลเซียส 6. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 4 ซึ่งวัสดุที่รวมกันต้องติดกัน แล้วดังกล่าว ถูกทำให้มีขนาดเล็กลง จนเป็นผงที่มีขนาดอนุภาคเท่ากับ -40 เมช 7. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 3 ซึ่งนำไนโตรเจนปริมาณ ดังกล่าว มาทำปฏิกิริยาในรูปแกสไนโตรเจน 8. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 3 ซึ่งนำไนโตรเจนปริมาณ ดังกล่าว มาทำปฏิกิริยาในรูปแกสแอมโมเนีย 9. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 3 ซึ่งนำไนโตรเจนปริมาณ ดังกล่าว มาทำปฏิกิริยาในรูปแมกนีเซียมไนไตรด์ 1 0. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 3 ซึ่งมีการเติมไนโตรเจน และออกซิเจนปริมาณดังกล่าว ลงไปในขั้นตอนเดียวกัน 1 1. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 3 ซึ่งปริมาณดังกล่าว ของออกซิเจนในวัสดุหลักดังกล่าว ถูกจำกัดโดยวิธีการควบคุม 1 2. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 11 ซึ่งวิธีการควบคุม ประกอบด้วย การเติมปริมาณของกรดไฮโดรฟลูออริคลงไปยังวัสดุหลักดังกล่าว 1 3. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 11 ซึ่งวิธีการควบคุม ประกอบด้วย วัสดุจำกัดแกสที่มีการดึงดูดกับออกซิเจนมากกว่าแทนทาลัม 1 4. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 13 ซึ่งวัสดุกำจัดแกส ดังกล่าว คือ แมกนีเซียม 1 5. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 1 ซึ่งการรั่วของไฟฟ้า ถูกลดลงได้มากกว่า 25 เปอร์เซ็นต์ เมื่อเทียบตัวเก็บประจุที่ทำจากวัสดุหลักดังกล่าว 1 6. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 1 ซึ่งปริมาณดังกล่าวของ ไนโตรเจน ที่ทำปฏิกิริยาอยู่ระหว่าง 1400 ถึง 4400 ส่วนต่อล้านส่วนโดยน้ำหนักของ ไนโตรเจน และปริมาณดังกล่าวของออกซิเจนอยู่ระหว่าง 1100 ถึง 2900 ส่วนต่อล้านส่วน 1 7. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 16 ซึ่งการรั่วของไฟฟ้า ดังกล่าว ถูกทำให้ลดลงมากกว่า 30 เปอร์เซ็นต์ เมื่อเทียบกับตัวเก็บประจุที่ผลิตจากวัสดุหลัก ดังกล่าว ที่แรงดันไฟฟ้าของการแอโนไดซ์ 100 ถึง 200 โวลท์ และประจุจำเพาะดังกล่าว ตั้งแต่ ประมาณ 9,400 ถึงประมาณ 24,100 uFV/g 1 8. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 1 ซึ่งปริมาณดังกล่าวของ ไนโตรเจนที่ทำปฏิกิริยาอยู่ระหว่าง 1400 ถึง 4400 ส่วนต่อล้านส่วนโดยน้ำหนักของไนโตรเจน และปริมาณดังกล่าวของออกซิเจนอยู่ระหว่าง 950 ถึง 2900 ส่วนต่อล้านส่วนโดยน้ำหนัก ของออกซิเจน 1 9. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 18 ซึ่งการรั่วของไฟฟ้าดังกล่าวถูกทำให้ลด ลงมากกว่า 36 เปอร์เซ็นต์ เมื่อเทียบกับตัวเก็บประจุที่ผลิตจากวัสดุหลัก ดังกล่าว ที่แรงดันไฟฟ้าของการแอ โนไดซ์ 150 ถึง 400 โวลท์ และประจุจำเพาะดังกล่าว ตั้งแต่ประมาณ 5,100 ถึงประมาณ 18,000 uFV/g 2 0. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 1 ซึ่งปริมาณดังกล่าวของ ไนโตรเจน ที่ทำปฏิกิริยาอยู่ระหว่าง 1400 ถึง 2600 ส่วนต่อล้านส่วนโดยน้ำหนักของ ไนโตรเจน และปริมาณดังกล่าวของออกซิเจนอยู่ระหว่าง 950 ถึง 2900 ส่วนต่อล้านส่วน โดยน้ำหนักของออกซิเจน 21.Process for making capacitors Low leakage from core materials containing at least one metal powder Which can be selected from the V-B group elements which include The reaction of nitrogen. With the aforementioned main materials That is enough to contain at least 500 to 7000 parts per million nitrogen by weight. In such material The reaction between a certain amount of oxygen and the main material. That is enough to provide at least 700 to 3000 parts per million of oxygen by weight. In such material Making a pellet from such main material And the melting of the pellets At temperatures between 1400 degrees Celsius to 1800 degrees Celsius, the melted pellets were attached to the Come in a condition with voltage Of anodizing of 100 volts or higher, making capacitors from such anodized pellets and detection of higher specific charges up to approximately 25,000 uFV / g, and qualified The leakage of electricity improved. 2. Process as defined in claim 1, where the main material. At least consisted of Tantalum powder 3. The process as defined in claim 2, where the main material is It consists of a powdery substance with relatively spherical, fibrous, and scaly particles. 4. Process as defined in claim 3, whereby the main material. These materials were coalesced at temperatures between approximately 1200 and 1600 degrees Celsius. 5. Process as defined in claim 4, whereby the main material. They were then coalesced at temperatures between approximately 1400 and 1500 degrees Celsius. 6. The process as defined in claim 4, in which the combined material had to be attached, was made smaller. Until it is a powder with a particle size of -40 mesh. 7. Process as defined in claim 3, which uses the said amount of nitrogen in the form of gas nitrogen. 8. Process as specified in the claim. Third, where the nitrogen is used in the form of ammonia gas 9. The process as defined in claim 3, where the said amount of nitrogen is used as magnesium nitride 1 0. Set out in claim 3, where nitrogen is added And that amount of oxygen Down in the same step 1 1. The process as set out in claim 3, where the said quantity. Of oxygen in the main material The control method is limited by the control method 1 2. The process as defined in claim 11, where the control method consists of adding the amount of hydrofluoric acid to the said core material 1 3. The process as specified in claim 11. This is set out in claim 11, where the control method consists of a gas-limiting material that is more attracted to oxygen than tantalum 1 4.Process as defined in claim 13, where the aqueous elimination material is magnesium 1 5. The process as set out in claim 1, where electric leakage It was reduced by more than 25 percent compared to the capacitors made from the said primary material. 1 6. The process as defined in claim 1, where such content of reactive nitrogen was between 1400 and 4400 parts per million. By weight of nitrogen and that amount of oxygen, it is between 1100 and 2900 parts per million 1 7. Process as defined in claim 16, where such leakage of electricity is reduced by more than 30 percent compared to Clause 16. With capacitors manufactured from such primary material at an anodizing voltage of 100 to 200 V and a specific charge from approximately 9,400 to approximately 24,100 uFV / g 1 8. Process as specified in the wrist The 1st right that such quantity of The reactive nitrogen is between 1400 and 4400 parts per million by weight of nitrogen. And that amount of oxygen is between 950 and 2900 parts per million by weight of oxygen 1. 9. The process, as defined in claim 18, where such leakage of electricity is reduced by more than 36 percent compared to Clause 18. Capacitors manufactured from such primary materials at an anodizing voltage of 150 to 400 volts and a specific charge thereof. From approximately 5,100 to approximately 18,000 uFV / g 2 0. The process is defined in claim 1, where such content of reactive nitrogen is between 1400 and 2600 parts per million by weight of nitrogen and such content of nitrogen. Oxygen is between 950 and 2900 parts per million. By weight of oxygen 2
1. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 20 ซึ่งการรั่วของไฟฟ้า ดังกล่าว ถูกทำให้ลดลงมากกว่า 52 ถึง 99 เปอร์เซ็นต์ เมื่อเทียบกับตัวเก็บประจุที่ผลิต จากวัสดุหลักดังกล่าว ที่แรงดันไฟฟ้าของการแอโนไดซ์ 200 ถึง 400 โวลท์ และประจุจำเพาะดัง กล่าว ตั้งแต่ประมาณ 5,500 ถึงประมาณ 13,200 uFV/g 21. The process, as defined in claim 20, where such leakage is reduced by 52 to 99 percent over the capacitors produced. From the said main material At an anodizing voltage of 200 to 400 volts and such a specific charge from approximately 5,500 to approximately 13,200 uFV / g 2
2. กระบวนการทำตัวเก็บประจุ ที่มีการรั่วต่ำจากวัสดุหลัก ที่ประกอบด้วย ผงโลหะแทนทาลัม เป็นอย่างน้อย ซึ่งประกอบด้วย การนำวัสดุดังกล่าวมาอยู่ในสภาพที่มีอุณภูมิระหว่างประมาณ 1200 องศาเซลเซียส ถึง 1600 องศาเซลเซียส และการทำให้เกิดก้อนวัสดุรวมตัวของวัสดุ ดังกล่าว การทำปฏิกิริยาระหว่างไนโตรเจนปริมาณหนึ่งกับวัสดุรวมตัวดังกล่าว อย่างพอเพียงที่จะทำให้มีไนโตรเจนอยู่ระหว่าง 1400 ถึง 4400 ส่วนต่อล้านส่วนโดยน้ำหนัก ในวัสดุดังกล่าว การทำปฏิกิริยาระหว่างออกซิเจนปริมาณหนึ่งกับวัสดุรวมตัวดังกล่าว อย่างพอเพียงที่จะทำให้มีออกซิเจนอยู่ระหว่าง 700 ถึง 3000 ส่วนต่อล้านส่วน โดยน้ำหนักในวัสดุดังกล่าว การทำปฏิกิริยาระหว่างโลหะระหว่างโลหะรีดิวซ์ปริมาณหนึ่งกับออกซิเจนที่มีอยู่ใน วัสดุ ที่มีอยู่ในวัสดุที่ทำปฏิกิริยาแล้วดังกล่าว และทำให้เกิดโลหะออกไซด์ปริมาณหนึ่ง การควบคุมปริมาณดังกล่าว ของโลหะออกไซด์ให้ถึงระดับที่มี ออกซิเจนระหว่างประมาณ 950 ถึง 2900 ส่วนต่อล้านส่วน อยู่ในวัสดุดังกล่าว การทำเม็ดวัสดุจากวัสดุที่ทำปฏิกิริยาแล้วดังกล่าว และการหลอมติดเม็ด วัสดุดังกล่าว ที่อุณภูมิระหว่างประมาณ 1400 องศาเซลเซียส ถึง 1800 องศาเซลเซียส การนำเม็ดวัสดุที่หลอมติดแล้วดังกล่าว ไปอยู่ในสภาพที่มีแรงดันของการแอโนไดซ์ระหว่าง 150 ถึง 400 โวลท์ และ การทำตัวเก็บประจุจากเม็ดวัสดุที่แอโนไดซ์ แลัวดังกล่าว ซึ่งมีประจุ จำเพาะระหว่างประมาณ 5,100 ถึงประมาณ 18,000 uFV/g และมีการรั่วของไฟฟ้า ที่ถูกทำให้ลดลงมากกว่า 36 เปอร์เซ็นต์ เมื่อเทียบกับตัวเก็บประจุที่เตรียมจากวัสดุ หลักดังกล่าว 22. The process of making a capacitor With low leakage from the main material Containing Tantalum metal powder At least Which consists of The introduction of the material to a temperature between approximately 1200 ° C and 1600 ° C, and the formation of a lump of the material, a reaction between a certain amount of nitrogen and the composite material. It is sufficient to have nitrogen between 1400 and 4400 parts per million by weight. In such material The reaction between a certain amount of oxygen and the composite material. It is enough to have between 700 and 3000 parts per million of oxygen. By weight in such material Metal reaction between a certain amount of reducing metal and oxygen present in the material contained in the reacted material. And a certain amount of metal oxides Control of the said quantity Of metal oxides to levels containing Oxygen between approximately 950 and 2900 parts per million. Is in the said material Making pellets from such reactive materials And melting into tablets Such material At temperatures between about 1400 degrees Celsius to 1800 degrees Celsius, the melted pellets are attached to the To an anodized voltage between 150 and 400 volts, and such anodized granular capacitors with a specific charge between approximately 5,100 and approximately 18,000 uFV / g, and There is a leakage of electricity. That was reduced by more than 36 percent compared to the capacitors prepared from the said primary material.
3. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 22 ซึ่งนำไนโตรเจน ปริมาณดังกล่าว มาทำปฏิกิริยาในรูปแกสไนโตรเจน 23. The process as defined in claim 22, which carries nitrogen Such quantity To react in the form of gas nitrogen 2
4. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 22 ซึ่งนำไนโตรเจน ปริมาณดังกล่าว มาทำปฏิกิริยาในรูปแมกนีเซียมไนไตรด์ 2 5. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 22 ซึ่งนำไนโตรเจน ปริมาณดังกล่าว มาทำปฏิกิริยาในรูปแกสแอมโมเนีย 2 6. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 22 ซึ่งโลหะรีดิวซ์ดังกล่าว คือ แมกนีเซียม, 2 7. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 22 ซึ่งปริมาณดังกล่าวของ ไนโตรเจนที่ทำปฏิกิริยาอยู่ระหว่าง 1400 ถึง 2600 ส่วนต่อล้านส่วนโดยน้ำหนักของ ไนโตรเจน และปริมาณดังกล่าวของออกซิเจนอยู่ระหว่าง 950 ถึง 2900 ส่วนต่อล้านส่วน โดยน้ำหนักของออกซิเจน 2 8. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 27 ซึ่งการรั่วของไฟฟ้า ดังกล่าว ถูกทำให้ลดลงมากกว่า 52 ถึง 99 เปอร์เซ็นต์ เมื่อเทียบกับตัวเก็บประจุที่ผลิต จากวัสดุหลักดังกล่าว ที่แรงดันไฟฟ้าของการแอโนไดซ์ 200 ถึง 400 โวลท์ และประจุจำเพาะดัง กล่าว ตั้งแต่ประมาณ 5,500 ถึงประมาณ 13,200 uFV/g 2 9. กระบวนการทำตัวเก็บประจุ ที่มีการรั่วต่ำจากวัสดุหลักที่ประกอบด้วย ผงโลหะแทนทาลัมเป็นอย่างน้อย ซึ่งประกอบด้วย การนำวัสดุดังกล่าว มาอยู่ในสภาพที่มีอุณภูมิระหว่างประมาณ 1400 องศาเซลเซียส 1500 องศาเซลเซียส และการทำให้เกิดก้อนวัสดุรวมตัวของวัสดุหลัก ดังกล่าว การลดขนาดของก้อนวัสดุรวมตัวดังกล่าว ให้เป็นสารที่มีขนาดผ่าน ตะแกรง -40 เมช การทำปฏิกิริยาระหว่างแมกนีเซียมไนไตรด์ปริมาณหนึ่ง และโลหะ แมกนีเซียมปริมาณหนึ่งกับสารผงดังกล่าว และทำให้มีไนโตรเจน 1850 ถึง 2550 ส่วนต่อ ล้านส่วนโดยน้ำหนัก ในสารผงดังกล่าว การทำปฏิกิริยาระหว่างโลหะแมกนีเซียมดังกล่าว กับออกซิเจนในสาร ผลดังกล่าว เพื่อทำให้เกิดองค์ประกอบที่เป็นแมกนีเซียมออกไซด์ การเอาออกไซด์ดังกล่าว ออกจนถึงระดับที่มีออกซิเจนระหว่างประมาณ 2050 ถึงประมาณ 2900 ส่วนต่อล้านส่วน ในสารผงดังกล่าว การทำวัสดุเม็ดจากสารผงที่กำจัดออกซิเจนออกแล้วดังกล่าว และ การหลอมติดเม็ดวัสดุดังกล่าว ที่อุณหภูมิระหว่างประมาณ 1550 องศาเซลเซียส ถึง 1650 องศาเซลเซียส การนำเม็ดวัสดุที่หลอมติดแล้วดังกล่าว ไปอยู่ในสภาพที่มีแรงดันไฟฟ้า ของการแอโนไดซ์ระหว่าง 150 ถึง 200 โวลท์ และ การทำอีเลคโทรดจากเม็ดวัสดุที่แอโนไดซ์แล้วดังกล่าว ที่มีประจุจำเพาะ ระหว่างประมาณ 9,800 ถึงประมาณ 15,300 uFV/g และมีการรั่วของไฟฟ้า ซึ่งถูกทำให้ ลดลงระหว่างประมาณ 75 เปอร์เซ็นต์ ถึง 84 เปอร์เซ็นต์ เมื่อเทียบกับตัวเก็บประจุที่เตรียม ชิ้นจากวัสดุหลัก ดังกล่าว 3 0. ผงแทนทาลัมสำหรับการผลิตตัวเก็บประจุตัน ที่มีลักษณะเฉพาะทาง ด้านการมีประจุจำเพาะสูง และ การมีการรั่วของไฟฟ้าต่ำ ซึ่งมี BET ต่ำกว่าประมาณ 0.6 ตารางเมตร/กรัม ขนาดอนุภาคที่รวมตัวแล้วโดยเฉลี่ย -40 เมช ปริมาณไนโตรเจนในช่วงประมาณ 500 ส่วนต่อล้านส่วน ถึง 7000 ส่วนต่อล้านส่วนโดยน้ำหนักของไนโตรเจน และ ปริมาณออกซิเจนในช่วงประมาณ 700 ส่วนต่อล้านส่วน ถึง 3000 ส่วนต่อล้านส่วนโดยน้ำหนักของออกซิเจน 3 1. สารผงตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 30 ที่ซึ่งสารผงดังกล่าว มีค่า BET ระหว่างประมาณ 0.25 ถึงประมาณ 0.55 ตารางเมตร/กรัม 3 2. สารผงตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 30 ซึ่งปริมาณดังกล่าวของ ไนโตรเจนที่ทำปฏิกิริยาอยู่ระหว่าง 1400 ถึง 4400 ส่วนต่อล้านส่วนโดยน้ำหนักของ ไนโตรเจน และปริมาณดังกล่าวของออกซิเจน อยู่ระหว่าง 950 ถึง 2900 ส่วนต่อล้าน ส่วนโดยน้ำหนักของออกซิเจน 3 3. ตัวเก็บประจุที่ผลิตจากสารผงของข้อถือสิทธิที่ 32 ซึ่งการรั่วของไฟฟ้าดังกล่าวถูกทำให้ ลดลงได้มากกว่า 36 เปอร์เซ็นต์ เมื่อเทียบกับตัวเก็บประจุที่ผลิตจากวัสดุหลักดังกล่าวที่แรงดันไฟฟ้าของการแอ โนไดซ์ 150 ถึง 400 โวลท์ และประจุจำเพาะดังกล่าว ตั้งแต่ประมาณ 5,100 ถึงประมาณ 18,000 uFV/g 34 ตัวเก็บประจุที่มีลักษณะเฉพาะทางด้านการรั่วของกระแสไฟฟ้าต่ำ ซึ่งประกอบด้วย แอโนดหลอมติดที่ผลิตจากวัสดุหลักแทนทาลัม ที่ถูกจัดให้เป็นเม็ด ที่ถูกทำให้หลอมติดที่อุณภูมิระหว่าง 1400 องศาเซลเซียส ถึง 1800 องศาเซลเซียส วัสดุหลักดังกล่าวมีไนโตรเจนระหว่าง 500 ถึง 7000 ส่วนต่อล้าน ส่วนโดยน้ำหนัก และมีออกซิเจนอยู่ระหว่าง 700 ถึง 3000 ส่วนต่อล้านส่วนโดยน้ำหนัก ชั้นแทนทาลัมเพนทอกไซด์ของแอโนดที่ทำไว้บนผิวของแอโนด ที่หลอม ติดแล้ว ดังกล่าว ชั้นแมงกานีสออกไซด์ที่อยู่ใกล้ชิดกับแทนทาลัมเพนทอกไซด์ ดังกล่าว ชั้นแกรฟไฟท์ที่มีตำแหน่งอยู่ใกล้ชิดกับชั้นแมงกานีสออกไซด์ดังกล่าว เปลือกนอกที่สัมผัสทางไฟฟ้าอยู่กับชั้นแกรฟไฟท์ดังกล่าว และ หน้าสัมผัสนำไฟฟ้าที่ตรึงติดอยู่กับเปลือกดังกล่าว 34. The process as defined in claim 22, which carries nitrogen Such quantity The reaction in the form of magnesium nitride. 2. 5. The process as defined in claim 22, which takes nitrogen. Such quantity 2. Process as defined in Clause 22 in which the reducing metal is magnesium, 2. 7. Process as set out in claim 22 where such quantity of The reactive nitrogen is between 1400 and 2600 parts per million, the weight of nitrogen and that amount of oxygen is between 950 and 2900 parts per million. By weight of oxygen 2. 8. The process, as defined in claim 27, where such leakage is reduced by 52 to 99 percent compared to the capacitors produced. From the aforementioned materials At an anodizing voltage of 200 to 400 volts and such a specific charge from approximately 5,500 to approximately 13,200 uFV / g 2 9. Process of a capacitor. With low leakage from the main material containing At least tantalum metal powder Which consists of Bringing such materials It is in the condition with a temperature between approximately 1400 ° C, 1500 ° C, and the formation of a lump of the main material. It is a medium through a -40 mesh sieve. The reaction between a certain amount of magnesium nitride and a certain amount of magnesium metal with the powder. And nitrogen from 1850 to 2550 parts per million by weight In such powder The reaction between the aforementioned metal magnesium With oxygen in these substances to form magnesium oxide elements. Removing the said oxide Released to levels with oxygen between approximately 2050 and about 2900 parts per million. In such powder Making granular material from the aforementioned aerosolized pellets and felting of the said granular material. At temperatures between about 1550 degrees Celsius to 1650 degrees Celsius, the melted pellets are To be in a condition with voltage Of anodizing between 150 and 200 volts and electrodes from such anodized material With a specific charge Between approximately 9,800 and approximately 15,300 uFV / g and there is an electric leakage which is reduced to between approximately 75% and 84% compared with prepared capacitors. Pieces from the aforementioned core material 3. 0. Tantalum powder for the manufacture of tonnes of capacitors. Unique High specific capacitance and low leakage, with a BET of less than approximately 0.6 m2 / g. Average total particle size of -40 mesh, nitrogen content ranges from approximately 500 parts per million to 7000 parts per million by weight of nitrogen and oxygen content in the range of approximately 700 parts per million to 3000 parts per million. Weight of oxygen 3 1. Powder substance as defined in claim 30, where the powder has a BET value between approximately 0.25 and approximately 0.55 sq m / g 3 2. Powder substance as defined in the claim. At 30 which such quantity of The reactive nitrogen is between 1400 and 4400 parts per million by weight of nitrogen and that content of oxygen is between 950 to 2900 parts per million by weight of oxygen. 3. 3. Capacitors produced from the powder substance of the wrist. Right 32, where such leakage of electricity is made This reduction of more than 36 percent compared to capacitors made of such primary materials at an anodizing voltage of 150 to 400 volts and a specific charge. From approximately 5,100 to approximately 18,000 uFV / g 34 capacitors with low leakage current characteristics. Which consists of Fused anode produced from tantalum core material. That was arranged The primary material is between 500 and 7000 parts per million by weight of nitrogen. And there is between 700 and 3000 parts per million oxygen by weight. The tantalum pentoxide layer of the anode made on the surface of the fused anode, the manganese oxide layer close to that tantalum pentoxide, the graphite layer located close to Such a layer of manganese oxide The electrically exposed outer shell is with the graphite layer and the conductive contact fixed to the shell 3.
5. ตัวเก็บประจุตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 31 ซึ่งวัสดุหลักแทนทาลัม ดังกล่าว เลือกได้จากกลุ่มที่ประกอบด้วย สารผงที่มีอนุภาคเป็นทรงค่อนข้างกลม เป็นชิ้น เป็นเส้นใย และเป็นเกล็ด 35. Capacitors, as defined in claim 31, of which the aforementioned tantalum core material is selected from a group that includes Powdery substance having spherical, fibrous and scaly particles 3
6. ตัวเก็บประจุตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 31 ซึ่งปริมาณดังกล่าว ของไนโตรเจนที่ทำปฏิกิริยาอยู่ระหว่าง 1400 ถึง 2600 ส่วนต่อล้านส่วนโดยน้ำหนักของ ไนโตรเจน และปริมาณดังกล่าวของออกซิเจนอยู่ระหว่าง 950 ถึง 2900 ส่วนต่อล้านส่วน โดยน้ำหนักของออกซิเจน 36. Capacitor as set out in claim 31, whose quantity Of reactive nitrogen is between 1400 and 2600 parts per million, with the weight of nitrogen and that amount of oxygen is between 950 and 2900 parts per million. By weight of oxygen 3
7. ตัวเก็บประจุตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 33 ซึ่งการรั่วของไฟฟ้า ดังกล่าว ถูกทำให้ลดลงระหว่างประมาณ 52 ถึง 99 เปอร์เซ็นต์ ที่แรงดันไฟฟ้าของการ แอโนไดซ์ 200 ถึง 400 โวลท์ 37. Capacitor, as defined in claim 33, whose leakage is reduced to between approximately 52 and 99 percent at an anodizing voltage of 200 to 400 Volts 3.
8. ตัวเก็บประจุตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 34 ซึ่งแสดงประจุจำเพาะ ระหว่าง 5,500 ถึง 13,200 uFV/g สำหรับอุณหภูมิการหลอมติด 1400 องศาเซลเซียส ถึง 1700 องศาเซลเซียส8.A capacitor, as set out in claim 34, showing a specific charge between 5,500 and 13,200 uFV / g for a melting temperature of 1400 ° C to 1700 ° C.