TH172288A

TH172288A - สับสเตรทสำหรับการติดตั้งชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์และวิธีการสำหรับการผลิต สับสเตรทดังกล่าว

Info

Publication number: TH172288A
Application number: TH1501002714A
Authority: TH
Inventors: โฮโซโมมิ ชิเกรุ
Original assignee: นาง ดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์; นางสาว สนธยา สังขพงศ์; นางสาว สุคนธ์ทิพย์ จิตมงคลทอง
Filing date: 2013-11-01
Publication date: 2018-01-11

Abstract

แก้ไข บทสรุป 25/06/2558 สิ่งที่ถูกจัดให้ไว้คือสับสเตรทสำหรับการติดตั้งชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์ที่มีความยึดติด ที่เพิ่มขึ้นระหว่างชั้นอิเล็กโทรด และ เรซิน และวิธีการสำหรับการผลิตสับสเตรทนั้นโดยอาศัย รูปทรงภาคตัดที่เป็นสี่เหลี่ยมคางหมูกลับหัวอย่างมีนัยสำคัญ และ พื้นผิวด้านข้างที่ถูกทำให้หยาบ ของชั้นอิเล็กโทรด วิธีการสำหรับการผลิตสับสเตรทสำหรับการติดตั้งชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์ รวมถึง ขั้นตอนที่เป็นลำดับขั้นต่อไปนี้ a) ขั้นตอนของการสร้างชั้นตัวต้านทานที่เป็นสองชั้นซึ่ง ถูกสร้างขั้นจากชั้นตัวต้านทานด้านล่าง และ ชั้นตัวต้านทานด้านบน บนพื้นผิวด้านหน้าของแผ่น โลหะโดยการใช้ตัวต้านทานแต่ละอันที่มีความยาวคลื่นที่ไวต่อแสงหลักที่ต่างกัน; b) ขั้นตอนของ การทำให้ชั้นตัวต้านทานด้านบนเผยสัมผัสกับแสงในรูปแบบที่กำหนดไว้ก่อนหน้าในขณะที่ชั้น ตัวต้านทานด้านล่างอยู่ในสถานะที่ไม่ถูกทำให้เผยสัมผัสกับแสง; c)ขั้นตอนการพัฒนาของการ สร้างช่องเปิดในรูปแบบที่กำหนดไว้ก่อนหน้าในชั้นตัวต้านทานด้านบนและการสร้างช่องเปิด เพิ่มเติมที่มีรูปแบบของชั้นตัวต้านทานด้านบนในชั้นตัวต้านทานด้านล่างที่ไม่ถูกทำให้เผยสัมผัสกับ แสงเพื่อเผยสัมผัสพื้นผิวด้านหน้าของแผ่นโลหะบางส่วน; d)ขั้นตอนของการเผยสัมผัสกับแสง และ การทำให้ชั้นตัวต้านทานด้านล่างคงตัว; e) ขั้นตอนของการสร้างชั้นซึ่งถูกชุบซึ่งถูกกำหนดไว้ ก่อนหน้าบนพื้นผิวด้านหน้าของแผ่นโลหะซึ่งเผยสัมผัสจากชั้นตัวต้านทานด้านล่าง; f) ขั้นตอน ของการลอกออกทั้งหมดของชั้นตัวต้านทานสองชั้นซึ่งสร้างขึ้นจากชั้นตัวต้านทานด้านล่าง และชั้น ตัวต้านทานด้านบน; และ g) ขั้นตอนของการทำให้พื้นผิวด้านข้างของแต่ละชั้นซึ่งถูกชุบซึ่งถูก สร้างขึ้นในขั้นตอน (e) นั้น หยาบ ------------------------------------------ คำขอใหม่ปรับปรุงวันที่ 23/02/2559 สิ่งที่ถูกจัดให้ไว้คือสับสเตรทสำหรับการติดตั้งชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์ที่มีความยึดติด ที่เพิ่มขึ้นระหว่างชั้นอิเล็กโทรด และ เรซิน และวิธีการสำหรับการผลิตสับสเตรทนั้นโดยอาศัย รูปทรงภาคตัดที่เกือบเป็นสี่เหลี่ยมคางหมูกลัวหัว และ พื้นผิวด้านข้างที่ถูกทำให้หยาบของ ชั้นอิเล็กโทรด วิธีการสำหรับการผลิตสับสเตรทสำหรับการติดตั้งชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์รวมถึง ขั้นตอนที่เป็นลำดับขั้นต่อไปนี้: a) ขั้นตอนการสร้างชั้นตัวต้านทานที่เป็นสองชั้นซึ่งถูกสร้าง ขึ้นจากชั้นตัวต้านทานด้านล่าง และ ชั้นตัวต้านทานด้านบน บนพื้นผิวด้านหน้าของแผ่นโลหะ โดยการใช้ตัวต้านทานแต่ละอันที่มีความยาวคลื่นที่ไวต่อแสงหลักที่ต่างกัน; b) ขั้นตอนของการ ทำให้ชั้นตัวต้านทานด้านบนเผยสัมผัสกับแสงในรูปแบบที่กำหนดไว้ก่อนหน้าในขณะที่ชั้นตัว ต้านทานด้านล่างอยู่ในสถานะที่ไม่ถูกทำให้เผยสัมผัสกับแสง; c) ขั้นตอนการพัฒนาของการสร้าง ช่องเปิดในรูปแบบที่กำหนดไว้ก่อนหน้าในชั้นตัวต้านทานด้านบนและการสร้างช่องเปิดเพิ่มเติมที่มี รูปแบบของชั้นตัวต้านทานด้านบนในชั้นตัวต้านทานด้านล่างที่ไม่ถูกทำให้เผยสัมผัสกับแสงเพื่อ เผยสัมผัสพื้นผิวด้านหน้าของแผ่นโลหะบางส่วน; d) ขั้นตอนของการเผยสัมผัสกับแสง และ การทำ ให้ชั้นตัวต้านทานด้านล่างคงตัว; e) ขั้นตอนของการสร้างชั้นซึ่งถูกชุบซึ่งถูกกำหนดไว้ก่อนหน้า บนพื้นผิวด้านหน้าของแผ่นโลหะซึ่งเผยสัมผัสจากชั้นตัวต้านทานด้านล่าง; f) ขั้นตอนของการลอก ออกทั้งหมดของชั้นตัวต้านทานสอง-ชั้นซึ่งสร้างขึ้นจากชั้นตัวต้านทานด้านล่าง และชั้นตัวต้านทาน ด้านบน; และ g) ขั้นตอนของการทำให้พื้นผิวด้านข้างของแต่ละชั้นซึ่งถูกชุบซึ่งถูกสร้างขึ้นใน ขั้นตอน (e) นั้นหยาบ:

Claims

: แก้ไข บทสรุป 25/06/2558 สิ่งที่ถูกจัดให้ไว้คือสับสเตรทสำหรับการติดตั้งชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์ที่มีความยึดติด ที่เพิ่มขึ้นระหว่างชั้นอิเล็กโทรด และ เรซิน และวิธีการสำหรับการผลิตสับสเตรทนั้นโดยอาศัย รูปทรงภาคตัดที่เป็นสี่เหลี่ยมคางหมูกลับหัวอย่างมีนัยสำคัญ และ พื้นผิวด้านข้างที่ถูกทำให้หยาบ ของชั้นอิเล็กโทรด วิธีการสำหรับการผลิตสับสเตรทสำหรับการติดตั้งชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์ รวมถึง ขั้นตอนที่เป็นลำดับขั้นต่อไปนี้: a) ขั้นตอนของการสร้างชั้นตัวต้านทานที่เป็นสองชั้นซึ่ง ถูกสร้างขั้นจากชั้นตัวต้านทานด้านล่าง และ ชั้นตัวต้านทานด้านบน บนพื้นผิวด้านหน้าของแผ่น โลหะโดยการใช้ตัวต้านทานแต่ละอันที่มีความยาวคลื่นที่ไวต่อแสงหลักที่ต่างกัน; b) ขั้นตอนของ การทำให้ชั้นตัวต้านทานด้านบนเผยสัมผัสกับแสงในรูปแบบที่กำหนดไว้ก่อนหน้าในขณะที่ชั้น ตัวต้านทานด้านล่างอยู่ในสถานะที่ไม่ถูกทำให้เผยสัมผัสกับแสง; c)ขั้นตอนการพัฒนาของการ สร้างช่องเปิดในรูปแบบที่กำหนดไว้ก่อนหน้าในชั้นตัวต้านทานด้านบนและการสร้างช่องเปิด เพิ่มเติมที่มีรูปแบบของชั้นตัวต้านทานด้านบนในชั้นตัวต้านทานด้านล่างที่ไม่ถูกทำให้เผยสัมผัสกับ แสงเพื่อเผยสัมผัสพื้นผิวด้านหน้าของแผ่นโลหะบางส่วน; d)ขั้นตอนของการเผยสัมผัสกับแสง และ การทำให้ชั้นตัวต้านทานด้านล่างคงตัว; e) ขั้นตอนของการสร้างชั้นซึ่งถูกชุบซึ่งถูกกำหนดไว้ ก่อนหน้าบนพื้นผิวด้านหน้าของแผ่นโลหะซึ่งเผยสัมผัสจากชั้นตัวต้านทานด้านล่าง; f) ขั้นตอน ของการลอกออกทั้งหมดของชั้นตัวต้านทานสองชั้นซึ่งสร้างขึ้นจากชั้นตัวต้านทานด้านล่าง และชั้น ตัวต้านทานด้านบน; และ g) ขั้นตอนของการทำให้พื้นผิวด้านข้างของแต่ละชั้นซึ่งถูกชุบซึ่งถูก สร้างขึ้นในขั้นตอน (e) นั้น หยาบ ------------------------------------------ คำขอใหม่ปรับปรุงวันที่ 23/02/2559 สิ่งที่ถูกจัดให้ไว้คือสับสเตรทสำหรับการติดตั้งชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์ที่มีความยึดติด ที่เพิ่มขึ้นระหว่างชั้นอิเล็กโทรด และ เรซิน และวิธีการสำหรับการผลิตสับสเตรทนั้นโดยอาศัย รูปทรงภาคตัดที่เกือบเป็นสี่เหลี่ยมคางหมูกลัวหัว และ พื้นผิวด้านข้างที่ถูกทำให้หยาบของ ชั้นอิเล็กโทรด วิธีการสำหรับการผลิตสับสเตรทสำหรับการติดตั้งชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์รวมถึง ขั้นตอนที่เป็นลำดับขั้นต่อไปนี้: a) ขั้นตอนการสร้างชั้นตัวต้านทานที่เป็นสองชั้นซึ่งถูกสร้าง ขึ้นจากชั้นตัวต้านทานด้านล่าง และ ชั้นตัวต้านทานด้านบน บนพื้นผิวด้านหน้าของแผ่นโลหะ โดยการใช้ตัวต้านทานแต่ละอันที่มีความยาวคลื่นที่ไวต่อแสงหลักที่ต่างกัน; b) ขั้นตอนของการ ทำให้ชั้นตัวต้านทานด้านบนเผยสัมผัสกับแสงในรูปแบบที่กำหนดไว้ก่อนหน้าในขณะที่ชั้นตัว ต้านทานด้านล่างอยู่ในสถานะที่ไม่ถูกทำให้เผยสัมผัสกับแสง; c) ขั้นตอนการพัฒนาของการสร้าง ช่องเปิดในรูปแบบที่กำหนดไว้ก่อนหน้าในชั้นตัวต้านทานด้านบนและการสร้างช่องเปิดเพิ่มเติมที่มี รูปแบบของชั้นตัวต้านทานด้านบนในชั้นตัวต้านทานด้านล่างที่ไม่ถูกทำให้เผยสัมผัสกับแสงเพื่อ เผยสัมผัสพื้นผิวด้านหน้าของแผ่นโลหะบางส่วน; d) ขั้นตอนของการเผยสัมผัสกับแสง และ การทำ ให้ชั้นตัวต้านทานด้านล่างคงตัว; e) ขั้นตอนของการสร้างชั้นซึ่งถูกชุบซึ่งถูกกำหนดไว้ก่อนหน้า บนพื้นผิวด้านหน้าของแผ่นโลหะซึ่งเผยสัมผัสจากชั้นตัวต้านทานด้านล่าง; f) ขั้นตอนของการลอก ออกทั้งหมดของชั้นตัวต้านทานสอง-ชั้นซึ่งสร้างขึ้นจากชั้นตัวต้านทานด้านล่าง และชั้นตัวต้านทาน ด้านบน; และ g) ขั้นตอนของการทำให้พื้นผิวด้านข้างของแต่ละชั้นซึ่งถูกชุบซึ่งถูกสร้างขึ้นใน ขั้นตอน (e) นั้นหยาบข้อถือสิทธิ์ (ข้อที่หนึ่ง) ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : แก้ไข 25/06/2558

1. วิธีการสำหรับการผลิตสับสเตรทสำหรับการติดตั้งชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์ ซึ่ง เป็นวิธีการที่ประกอบรวมด้วยขั้นตอน (a) ถึง (g) ต่อไปนี้เป็นลำดับขั้น: a) ขั้นตอนของการสร้างชั้นตัวต้านทานซึ่งถูกลามิเนตบนพื้นผิวด้านหน้าของแผ่นโลหะ ซึ่ง ชั้นตัวต้านทานซึ่งถูกลามิเนตนั้นถูกสร้างจากสองชั้นของชั้นตัวต้านทานด้านล่าง และชั้นตัว ต้านทานด้านบน โดยการใช้ตัวต้านทานสองประเภท ซึ่งตัวต้านทานแต่ละประเภทมีความยาวคลื่น ที่ต่างกัน ในฐานะเป็นแท็ก :