TH177120A - วัสดุคาร์บอนประเภทแกรไฟต์ที่ถูกใช้เป็นสารตั้งต้นแกรฟีนและกรรมวิธีการผลิตนั้น - Google Patents

วัสดุคาร์บอนประเภทแกรไฟต์ที่ถูกใช้เป็นสารตั้งต้นแกรฟีนและกรรมวิธีการผลิตนั้น

Info

Publication number
TH177120A
TH177120A TH1501005457A TH1501005457A TH177120A TH 177120 A TH177120 A TH 177120A TH 1501005457 A TH1501005457 A TH 1501005457A TH 1501005457 A TH1501005457 A TH 1501005457A TH 177120 A TH177120 A TH 177120A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
graphite
graphene
rate
equation
graphite layer
Prior art date
Application number
TH1501005457A
Other languages
English (en)
Inventor
ฮาเซกาวะ นายโซจิ
คามิยะ นายนากิสะ
Original Assignee
นางสาวยิ่งลักษณ์ ไกรฤกษ์
นางสาวปวริศา อุดมธนภัทร
นายอังคาร ตั้นพันธ์
Filing date
Publication date
Application filed by นางสาวยิ่งลักษณ์ ไกรฤกษ์, นางสาวปวริศา อุดมธนภัทร, นายอังคาร ตั้นพันธ์ filed Critical นางสาวยิ่งลักษณ์ ไกรฤกษ์
Publication of TH177120A publication Critical patent/TH177120A/th

Links

Abstract

คำขอใหม่ปรับปรุงวันที่ 4/03/2559 วัสดุคาร์บอนประเภทแกรไฟต์ที่ถูกใช้เป็นสารตั้งต้นแกรฟีนที่เมื่อนำไปใช้เป็นสารตั้งต้นจะ ลอกออกเป็นแกรฟีนได้ง่าย วัสดุคาร์บอนประเภทแกรไฟต์ที่ถูกใช้เป็นสารตั้งต้นแกรฟีนที่มีสัดส่วน Rate (3R) ซึ่งถูก นิยามตาม (สมการ 1) ดังต่อไปนี้ด้วยเทคนิคเอกซ์เรย์ดิฟแฟรกชัน Rate (3R) = P3 / (P3 + P4) x 100 .... (สมการ 1) ในที่นี้ P3 คือความเข้มพีคของระนาบ (101) ด้วยเทคนิคเอกซ์เรย์ดิฟแฟรกชันของชั้นแกรไฟต์ ประเภทผลึกขนมเปียกปูน (3R) P4 คือความเข้มพีคของระนาบ (101) ด้วยเทคนิคเอกซ์เรย์ดิฟแฟรกชันของชั้นแกรไฟต์ ประเภทผลึกหกเหลี่ยม (2H)

Claims (1)

: คำขอใหม่ปรับปรุงวันที่ 4/03/2559 วัสดุคาร์บอนประเภทแกรไฟต์ที่ถูกใช้เป็นสารตั้งต้นแกรฟีนที่เมื่อนำไปใช้เป็นสารตั้งต้นจะ ลอกออกเป็นแกรฟีนได้ง่าย วัสดุคาร์บอนประเภทแกรไฟต์ที่ถูกใช้เป็นสารตั้งต้นแกรฟีนที่มีสัดส่วน Rate (3R) ซึ่งถูก นิยามตาม (สมการ 1) ดังต่อไปนี้ด้วยเทคนิคเอกซ์เรย์ดิฟแฟรกชัน Rate (3R) = P3 / (P3 + P4) x 100 .... (สมการ 1) ในที่นี้ P3 คือความเข้มพีคของระนาบ (101) ด้วยเทคนิคเอกซ์เรย์ดิฟแฟรกชันของชั้นแกรไฟต์ ประเภทผลึกขนมเปียกปูน (3R) P4 คือความเข้มพีคของระนาบ (101) ด้วยเทคนิคเอกซ์เรย์ดิฟแฟรกชันของชั้นแกรไฟต์ ประเภทผลึกหกเหลี่ยม (2H)ข้อถือสิทธิ์ (ข้อที่หนึ่ง) ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : ------12/12/2561------(OCR) หน้า 1 ของจำนวน 3 หน้าข้อถือสิทธิ
1. วัสดุคาร์บอนประเภทแกรไฟต์ที่เป็นประโยชน์ในฐานะสารตั้งต้นแกรฟีน, ที่มี ชั้นแกรไฟต์ประเภทผลึกขนมเปียกปูน (3R) และ ชั้นแกรไฟต์ประเภทผลึกหกเหลี่ยม (2H) ที่ซึ่ง Rate(3R) ของชั้นแกรไฟต์ประเภทผลึกขนมเปียกปูน (3R) และ ชั้นแกรไฟต์ประเภทผลึกหกเหลี่ยม(2H) , บนพื้นฐานของวิธีการเอกซ์เรย์ดิฟแฟรกชัน, ซึ่ง ถูกนิยามไว้โดยสมการ 1 ต่อไปนี้คือ 31%หรือมากกว่านั้น: Rate (3R) = P3 / (P3 + P4) X 100 .... (แท็ก :
TH1501005457A 2015-02-27 วัสดุคาร์บอนประเภทแกรไฟต์ที่ถูกใช้เป็นสารตั้งต้นแกรฟีนและกรรมวิธีการผลิตนั้น TH177120A (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH177120A true TH177120A (th) 2018-06-21

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
PL420253A1 (pl) Materiał węglowy na bazie grafitu przydatny jako prekursor grafenu oraz sposób jego wytwarzania
BR112014016868A2 (pt) dispositivo de nanofios que tem eletrodos superiores e inferiores de grafeno e método de fabricação de tal dispositivo
GB2503847A (en) Graphene nanoribbons and carbon nanotubes fabricated from sic fins or nanowire templates
WO2011100726A3 (en) Architectural construct having for example a plurality of architectural crystals
IN2014DN07101A (th)
SE2050269A1 (en) A Hybrid Ionic Graphene Nanocomposite with Layered Structure
BR112015027054A2 (pt) processo de remediação de refugo de carvão
TH177120A (th) วัสดุคาร์บอนประเภทแกรไฟต์ที่ถูกใช้เป็นสารตั้งต้นแกรฟีนและกรรมวิธีการผลิตนั้น
EA201591951A1 (ru) Обогащенное органическое углеродсодержащее сырье
MX2016008592A (es) Composiciones de pigmento organico de fijacion por presion en frio basado en poliester cristalino y mezclas de compuestos organicos amorfos.
Kvashnin et al. Hydrogen adsorption study. Formation of quantum dots on graphene nanoribbons within tight-binding approach
TH1701001235A (th) วัสดุเสริมแรงคอมโพสิตและวัสดุสร้างรูป
Scendo et al. Metavanadate (V) Anions as Corrosion Inhibitor for Carbon Steel in Acid Chloride Solution
Blankschtein How “transparent” is graphene?
Wang et al. Improving the quality of CVD graphene-based devices: synthesis, transfer, fabrication and measurement
TH155684A (th) ผลิตภัณฑ์เคลือบเงินและวิธีการผลิตตัวมัน
TH1701001233A (th) ตัววัสดุตัวนำคอมโพสิตดีไวซ์เก็บพลังงานไฟฟ้าของเหลวกระจายตัวนำไฟฟ้าดีไวซ์นำไฟฟ้าคอมโพสิตนำไฟฟ้าและคอมโพสิตนำความร้อน
Li et al. In situ observation of the graphene domain shape on Ni (111) single crystal films
Chernikov et al. Exciton Rydberg series in mono-and few-layer WS2
Yu Single-Crystal Growth and Optical Characterization of Large-Area Monolayer WS 2
Wolgast et al. Measuring Transport Properties of Thin Films Under Isotropic and Anisotropic Strain Using Piezoelectric Substrates
Bokdam et al. Intrinsic Electron-Hole Puddles in Graphene on Hexagonal Boron-Nitride
TH151860A (th)
TH168024A (th) แคลเซียมคาร์บอเนทสำหรับตัวกลางการพิมพ์แบบโรโตกราวัวร์