TH180143A - อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ และวิธีการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ - Google Patents
อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ และวิธีการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำInfo
- Publication number
- TH180143A TH180143A TH1501004310A TH1501004310A TH180143A TH 180143 A TH180143 A TH 180143A TH 1501004310 A TH1501004310 A TH 1501004310A TH 1501004310 A TH1501004310 A TH 1501004310A TH 180143 A TH180143 A TH 180143A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- methods
- hemt
- current
- conductor
- producing
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
Claims (1)
1. อุปกรณ์สารกงตัวนำ ประกอบด้วย: สารตั้งต้นสารกํ่งตัวนำไนไตรด์ที่ซึ๋งทั้งทรานซิสเตอร์ที่มีความสามารถในการเคลื่อน ตัวอิเล็คตรอนสูง (HEMT) และไดโอดรอยต่อชอตกี (SBD) เกิดขึ้น, ที่ซํ่ง สารตั้งด้นสารกํ่งตัวนำไนไตรด์ ประกอบด้วย: บริเวณโครงสร้างควบคุมกระแส HEMT ที่โครงสร้างควบคุมกระแสของ HEMT เกิดขึ้น; และ บริเวณขั้วไฟท้เาบวกที่ขั้วไฟท้เาบวกของ SBD เกิดขึ้น, ที่ซํ่ง โครงสร้างชั้นบางๆที่หนํ่งเกิดขึ้นอย่างน้อยในบริเวณโครงสร้างควบคุมกระแส HEMแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH180143A true TH180143A (th) | 2018-09-27 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SG10201805116YA (en) | Semiconductor devices and manufacturing methods thereof | |
| JP2015222807A5 (th) | ||
| JP2013137830A5 (th) | ||
| EP3514826A3 (en) | Differentiated voltage threshold metal gate structures for advanced integrated circuit structure fabrication | |
| SG10201804609UA (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| EP4398301A3 (en) | Substrate for display device and display device including the same | |
| EP2782134A3 (en) | Semiconductor device | |
| GB2571652A (en) | Vertical transistors with merged active area regions | |
| JP2015111706A5 (ja) | 表示装置および電子機器 | |
| EP2819161A3 (en) | Semiconductor device | |
| JP2014225713A5 (th) | ||
| EP2833410A3 (en) | Nonvolatile memory transistor, device including the same and method of operating the transistor | |
| JP2015073101A5 (ja) | 半導体装置 | |
| EP2779246A3 (en) | Method of forming a high electron mobility semiconductor device and structure therefor | |
| WO2017136100A3 (en) | Vertically stacked nanowire field effect transistors | |
| JP2015135959A5 (ja) | トランジスタ | |
| EP3331026A3 (en) | High-electron-mobility transistor devices | |
| EP2819164A3 (en) | Semiconductor device | |
| MY182669A (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| EP2634811A3 (en) | Field effect transistor | |
| EP3046140A3 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JP2016192576A5 (th) | ||
| JP2014212309A5 (th) | ||
| EP2634810A3 (en) | Field effect transistor | |
| SG10201804909VA (en) | Chip structure including heating element |