TH21079A -
A semiconductor film-based bolometer-type infrared thermal detector.
- Google Patents
A semiconductor film-based bolometer-type infrared thermal detector.
Info
Publication number
TH21079A
TH21079ATH9101000533ATH9101000533ATH21079ATH 21079 ATH21079 ATH 21079ATH 9101000533 ATH9101000533 ATH 9101000533ATH 9101000533 ATH9101000533 ATH 9101000533ATH 21079 ATH21079 ATH 21079A
เครื่องตรวจจับรังสีอินฟราเรตความร้อนประกอบด้วย ไดอิเล็กทริกเพลลิเคิล (5) ที่แขวนไว้เหนือโพรงในซับสเตรต (6) เยื่อบางที่รองรับอุปกรณ์ตรวจจับ (1) ประกอบด้วย ชั้นสารกึ่งตัวนำไวต่อความร้อน (3) ระหว่างคู่หนึ่งของส่วนสัมผัสโลหะฟิล์มบาง (2,4) ซึ่งถูกสะสมไว้บนเยื่อบาง โพรงถูกสร้างขึ้นโดยการเอทซืและการเอาวัสดุซับสเตรตออกผ่านรูหรือร่อง (8) ในผิวหน้าของซับเสตรตThe thermal infrared detector consists of a dielectric pelicle (5) suspended over a cavity in the substrate (6). The thin membrane supporting the detector (1) consists of a heat-sensitive semiconductor layer (3) between a pair of thin-film metal contacts (2,4) which are deposited on the membrane. The cavity is created by etching and removing the substrate material through holes or grooves (8) in the substrate surface.
Claims (7)
1.เครื่องตรวจจับรังสีอินฟราเรดความร้อน หรือเครื่องตรวจจับชนิดแถวสองมิติแต่ละส่วนตรวจจับประกอบด้วยชั้นสารกึ่งตัวนำไวต่อความร้อนและส่วนสัมผัสโลหะฟิล์มบาง ส่วนประกอบเหล่านี้ถูกพอกสะสมบนไดอิเล็กทริกแพลลิเคิลของวัสดุที่มีการนำความร้อนต่ำ ที่แขวนเหนือโพรงในซับสเตรตรองรับ โพรงถูกสร้างขึ้นโดยการเอทซ์ และการเอาวัสดุซับสเตรตข้างใต้ออกผ่านรูหรือช่องที่สร้างขึ้นที่ผิวหน้าของซับสเตรต1.Heat infrared ray detector Each detector consists of a heat-sensitive semiconductor layer and a thin-film metal contact. These components are deposited on the dielectric pallic of a material with low thermal conductivity. Hanging above the hollow in the supporting substrate The cavity was created by an etz. And removing the underlying substrate through holes or holes created on the surface of the substrate.2.เครื่องตรวจจับรังสีอินฟราเรตความร้อนหรือแถวเครื่องตรวจจับสอดคล้องกับข้อถือสิทธิ1 ซึ่งซับสเตรตคือเวเฟอร์ซิลิคอนผลึกเดี่ยวและโพรงถูกสร้างขึ้นโดยการเอทซ์แอนไอโซโทรปิกโดยใช้ลาเอทซ์เคมีที่คัดเลือกไว้ชนิดใดชนิดหนึ่งต่อไปนี้ไฮดราซีนเอธิลีนไดเอมีนไพโรแคทีคอลหรือโพแทสเซียมไฮดรอกไซด์2. Thermal infrared radiation detector or detector row complies with claim 1. The substrate is a mono-crystalline silicon wafer, and the cavity is formed by an isotropic etch using one of the following selected chemical laets. Ndiamine, pyrocathicol or potassium hydroxide3.เครื่องตรวจจับรังสีอินฟราเรตความร้อนหรือแถวเครื่องตรวจจับสอดคล้องกับข้อถือสิทธิ1ซึ่งส่วนประกอบที่ไวต่อความร้อนคือชั้นของซิลิคอนกึ่งตัวนำซึ่งเตรียมโดยการจับเกาะแบบสปัตเตอร์หรือการจับเกาะไอเคมี3. The thermal infrared radiation detector or detector row complies with claim 1, where the heat sensitive component is a layer of semiconductor silicon, prepared by sputtering bonding or Catch the chemical vapor.4.เครื่องตรวจจับรังสีอินฟราเรตความร้อนหรือแถวเครื่องตรวจจับสอดคล้องกับข้อถือสิทธิ1 ซึ่งส่วนสัมผัสไฟฟ้าถูกสร้างบนชั้นสารกึ่งตัวนำเป็นชั้นบางๆชั้นหนึ่งหรือหลายชั้นของนิเกิล นิเกิล-โครเมียม พลาดินัม พลาดินัมซิลิไซด์หรือแทนทาลัมซิลิไซด์4. Thermal infrared radiation detector or detector row complies with claim 1. The electrical contact is made up of one or more thin layers of a semiconductor layer of nickel. Nickel-Chromium Platinum Platinum Silicide or Tantalum Silicide5.เครื่องตรวจจับรังสีอินฟราเรตความร้อนหรือแถวเครื่องตรวจจับสอดคล้องกับข้อถือสิทธิ1 ซึ่งการดูดซึมรังสีอินฟราเรตทำได้โดยวิถีทางของส่วนกรองการแทรกสอดที่มีส่วนประกอบประกอบด้วยชั้นของสารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ3และหนึ่งหรือมากกว่าของชั้นโลหะของข้อถือสิทธิ45.Thermal infrared radiation detector or detector row complies with claim 1. The absorption of infrared radiation is achieved by means of an interference filter containing a component consisting of a semiconductor layer according to claim 3 and one or more of the metal layer of claim 4.6.เครื่องตรวจจับรังสีอินฟราเรตความร้อนหรือแถวเครื่องตรวจจับสอดคล้องกับข้อถือสิทธิ1 ซึ่งเพลลิเคิลเป็นสารไดอิเล็กทริกอนินทรีย์ที่ประกอบด้วยชั้นหนึ่งของชั้นอะลูเนียมออกไซด์ซิลิคอนไนไตรด์หรือซิลิคอนออกซิไนไตร์หรือชั้นโพลีอิไมด์6.Thermal infrared radiation detector or detector row complies with claim 1. Which pellicl is an inorganic dielectric compound composed of a layer of aluminum oxide, silicon nitride or silicon oxinitride or polyimide layer.7.เครื่องตรวจจับรังสีอินฟราเรตควาร้อนหรือแถวเครื่องตรวจจับสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้างต้นซึ่งเครื่องขยายสัญญาณการไบแอสแรงดันไฟฟ้า การชักตัวอย่างคงไว้ และวงจรอิเล็กทรอนิกส์มันติเพล็กซ์ที่อยู่รวมกันถูกสร้างอยู่บนซับสเตรตซิลิคอนเดียวกัน7. Thermal infrared radiation detector or detector array complies with the above claims, which voltage bias amplifier Sampling maintained And the combined mantiplex electronic circuits are built on the same silicon substrate.
TH9101000533A1991-04-25
A semiconductor film-based bolometer-type infrared thermal detector.
TH15407B
(en)