Claims (9)
1. วิธีการสำหรับการคัดเลือกตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดโมโนไลธิกที่มีความ ต้านทานฉนวนที่ถูกกำหนดค่า และความต่างศักย์ดำเนินการที่ถูกกำหนดค่า ซึ่งประกอบด้วย ขั้นตอนของ การใช้ไม่น้อยกว่าสองเท่าของความต่างศักย์ดำเนินการ ที่ถูกกำหนดค่าที่อุณหภูมิ การทำงานสูงสุดกับตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดโมโนไลธิกที่จะถูกคัดเลือกเป็นขั้นตอนกระบวนการ แผนภายใน, และ การวัดความต้านทานฉนวนผ่านตัวเก็บประจุ ขณะที่ใช้ไม่น้อยกว่าความต่างศักย์ที่ ถูกกำหนดค่าที่อุณหภูมิที่ไม่น้อยกว่า 70 ํซ กับตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดโมโนโลธิก เป็นขั้นตอน กระบวนการวัดความต้านทานฉนวนที่อุณหภูมิสูง, การเปรียบเทียบความต้านทานฉนวนที่ถูกวัดกับ ความต้านทานที่ถูกกำหนดค่าที่ตรงกับตัวเก็บประจุ โดยที่ตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดโมโนไลธิกที่มี ความต้านทานฉนวนที่ไม่ปกติ อาจจะ ถูกตรวจพบ1. Methods for the selection of monolithic ceramic capacitors with The insulation resistance is configured. And the action potential difference being configured Which consists of a phase of using not less than twice the operating voltage difference. That was configured at temperature The maximum working with monolithic ceramic capacitors is selected as an internal schematic process, and insulation resistance measurement through capacitors. While not less than the potential difference It was determined at a temperature of not less than 70 ํ with a monolithic ceramic capacitor, as a procedure for measuring insulation resistance at high temperatures, comparing the measured insulation resistance with the The resistance is assigned a value that matches the capacitor. Where a monolithic ceramic capacitor with An abnormal insulation resistance may be detected.
2. วิธีการที่สอดคล้องกับข้อถือสิทธิ 1 ในที่ซึ่ง กระบวนการเผาภายในไม่ถูก กระทำก่อนกระบวนการที่วัดความต้านทานฉนวนที่อุณหภูมิสูง2. Methods consistent with claim 1, where the internal incineration process is not Acted before a process where insulation resistance is measured at high temperatures
3. วิธีการที่สอดคล้องกับข้อถือสิทธิ 2 ในที่ซึ่ง กระบวนการที่วัดความต้านทาน ฉนวนที่อุณหภูมิสูงถูกกระทำหลังจากกระบวนการเผาภายในที่ปราศจากการวัดความต้านทาน ฉนวนที่อุณหภูมิห้อง3. The method is consistent with claim 2 in which the process of measuring resistance. The insulation at high temperatures was performed after an internal firing process without measuring resistance. Insulated at room temperature
4. วิธีการที่สอดคล้องกับข้อถือสิทธิ 2 ซึ่งประกอบต่อไปด้วยขั้นตอนของการ วัด ความต้านทานฉนวนที่อุณหภูมิห้อง ขณะที่ใช้ความต่างศักย์ที่กำหนดค่าแก่ตัวเก็บประจุเซรามิก ชนิดโมโนไลธิกหลังจากกระบวนการเผาภายใน และก่อนกระบวนการที่วัดความต้านทานฉนวนที่ อุณหภูมิสูง4. The method corresponding to claim 2, which follows the procedure for measuring insulation resistance at room temperature. While applying the voltage set to a ceramic capacitor Monolithic type after internal sintering And before the process of measuring insulation resistance at high temperatures
5. วิธีการที่สอดคล้องกับข้อถือสิทธิ 1 ถึง 4 ข้อใดข้อหนึ่ง ในที่ซึ่งกระบวนการ เผาภายในและกระบวนการที่วัดความต้านทานฉนวนที่อุณหภูมิสูง ถูกกระทำเป็นกระบวนการต่อ เนื่อง5.Methods consistent with any one of claim 1 to 4. Where the process Internal burned and the process of measuring insulation resistance at high temperatures Being performed as an ongoing process
6. วิธีการสำหรับการคัดเลือกตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดโมโนไลธิก ที่มีความ ต้านทานฉนวนที่ถูกกำหนดค่า และความต่างศักดิ์ดำเนินการที่ถูกกำหนดค่า ซึ่งประกอบด้วย ขั้นตอนของ การใช้ไม่น้อยกว่าสองเท่าของความต่างศักดิ์ดำเนินการที่ถูกกำหนดค่า ที่อุณหภูมิ การทำงานสูงสุดกับตัวเก็ประจุเซรามิกโมโนไลธิกที่จะถูกคัดเลือก เป็นขั้นตอนกระบวนการ เผาภายใน, และ การวัดความต้านทานฉนวนผ่านตัวเก็บประจุ ขณะที่ใช้ไม่น้อยกว่าความต่างศักย์ที่ ถูกกำหนดที่อุณหภูมิที่ไม่น้อยกว่า 70 ํซ กับตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดโมโนไลธิก เป็นขั้นตอน กระบวนการวัดความต้านทานฉนวนที่อุณหภูมิสูง, การเปรียบเทียบความต้านทานฉนวนที่ถูกวัดกับ ความต้านทานที่ถูกกำหนดค่าที่ตรงกับตัวเก็บประจุ โดยที่ตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดโมโนไลธิก ที่มี ความต้านทานฉนวนที่ไม่ปกติ อาจจะถูกตรวจพบ และในที่ซึ่งกระบวนการเผาภายใน และกระบวน การวัดความต้านทานฉนวนที่อุณหภูมิสูงถูกกระทำเป็นกระบวนการต่อเนื่อง และในที่ซึ่งทิศทาง ของความต่างศักย์ที่ใช้กับตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดโมโนไลธิก ในกระบวนการเผาภายในพ้องกับ ทิศทางของความต่างศักย์ที่ใช้กับตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดโมโนไลธิก ในกระบวนการวัดความ ต้านทานฉนวนที่อุณหภูมิสูง6.Method for selecting monolithic ceramic capacitors with a configured insulation resistance. And the operational potential difference being configured This consists of a process of applying no less than twice the operational difference that was set at the maximum operating temperature with the monolithic ceramic capacitor to be selected. It is an internal sintering process, and the measurement of insulation resistance through a capacitor. While not less than the potential difference It was determined at a temperature of not less than 70 ํ with a monolithic ceramic capacitor, as a procedure for measuring insulation resistance at high temperatures, comparing the measured insulation resistance with the The resistance is assigned a value that matches the capacitor. Where is a monolithic ceramic capacitor with abnormal insulation resistance May be detected And where internal firing and insulation resistance measurement at high temperatures are performed as a continuous process. And in which direction Of the potential difference applied to a monolithic ceramic capacitor. In the internal combustion process, synonymous with Direction of potential difference applied to a monolithic ceramic capacitor. In the process of measuring High temperature insulation resistance
7.วิธีการสำหรับการคัดเลือกตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดโมโนไลธิก ที่มีความ ต้านทานฉนวนที่ถูกกำหนดค่า และความต่างศักย์ดำเนินการที่ถูกกำหนดค่า ซึ่งประกอบด้วย ขั้นตอนของ การใช้ไม่น้อยกว่าสองเท่าของความต่างศักย์ดำเนินการที่ถูกกำหนดค่า ที่อุณหภูมิ การทำงานสูงสุดกับตัวเก็บประจุเซรามิกโมโนไลธิกที่จะถูกคัดเลือก เป็นขั้นตอนกระบวนการ เผาภายใน, และ การวัดความต้านทานฉนวนผ่านตัวเก็บประจุ ขณะที่ใช้ไม่น้อยกว่าความต่างศักย์ที่ ถูกกำหนดค่าที่อุณหภูมิที่ไม่น้อยกว่า 70 ํซ กับตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดโมโนไลธิก เป็นขั้นตอน กระบวนการวัดความต้านทานฉนวนที่อุณหภูมิสูง, การเปรียบเทียบความต้านทานฉนวนที่ถูกวัดค่ากับ ความต้านทานที่ถูกกำหนดค่าที่ตรงกับตัวเก็บประจุ โดยที่ตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดโมโนไลธิก ที่มี ความต้านทานฉนวนที่ไม่ปกติ อาจจะถูกตรวจพบ และในที่ซึ่ง กระบวนการเผาภายในไม่ถูกกระทำ ก่อนกระบวนการวัดความต้านทานฉนวนที่อุณหภูมิสูง และกระบวนการเผาภายใน และกระบวน การวัดความต้านทานฉนวนที่อุณหภูมิสูงถูกกระทำเป็นกระบวนการต่อเนื่อง, และทิศทางของความ ต่างศักย์ที่ใช้กับตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดโมโนไลธิกในกระบวนการเผาภายใน พ้องกับทิศทางของ ความต่างศักย์ที่ใช้กับตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดโมโนไลธิก ในกระบวนการวัดความต้านทานฉนวน ที่อุณหภูมิสูง7.Method for selecting a monolithic ceramic capacitor with a configured insulation resistance. And the action potential difference being configured This consists of a process of using no less than twice the operating voltage difference being determined at the maximum operating temperature with a monolithic ceramic capacitor to be selected. It is an internal sintering process, and the measurement of insulation resistance through a capacitor. While not less than the potential difference It was determined at a temperature of not less than 70 ํ with a monolithic ceramic capacitor as a procedure for measuring insulation resistance at high temperatures, comparing the measured insulation resistance with the The resistance is assigned a value that matches the capacitor. Where is a monolithic ceramic capacitor with abnormal insulation resistance May be detected and where the internal combustion process is not performed. Before the process of measuring insulation resistance at high temperatures And the internal firing and insulation resistance measurement process at high temperatures were performed as a continuous process, and the direction of the Different potentials applied to monolithic ceramic capacitors in the internal sintering process. Corresponding to the direction of Potential difference applied to monolithic ceramic capacitors In the process of measuring insulation resistance At high temperatures
8.วิธีการสำหรับการคัดเลือกตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดโมโนไลธิก ที่มีความ ต้านทานฉนวนที่ถูกกำหนดค่า และความต่างศัก์ดำเนินการที่ถูกกำหนดค่า ซึ่งประกอบด้วย ขั้นตอนของ การใช้ไม่น้อยกว่าสองเท่าของความต่างศักย์ดำเนินการที่ถูกกำหนดค่า ที่อุณหภูมิ การทำงานสูงสุดกับตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดโมโนไลธิกที่จะถูกคัดเลือก เป็นขั้นตอนกระบวนการ เผาภายใน, และ การวัดความต้านทานฉนวนผ่านตัวเก็บประจุ ขณะที่ใช้ไม่น้อยกว่าความต่างศักย์ที่ ถูกกำหนดค่าที่อุณหภูมิที่ไม่น้อยกว่า 70 ํซ กับตัวเก็บประจุเซรามิกโมโนไลธิก เป็นขั้นตอน กระบวนการวัดความต้านทานฉนวนที่อุณหภูมิสูง, การเปรียบเทียบความต้านทานฉนวนที่ถูกวัดค่า กับความต้านทานที่ถูกกำหนดค่าที่ตรงกับตัวเก็บประจุ โดยที่ตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดโมโนไลธิก ที่มีความต้านทานฉนวนที่ไม่ปกติ อาจจะถูกตรวจพบ และในที่ซึ่งกระบวนการวัดความต้านทาน ฉนวนที่อุณหภูมิสูง ถูกกระทำหลังจากกระบวนการเผาภายใน ที่ปราศจากการวัดความต้านทาน ฉนวนที่อุณหภูมิห้อง, กระบวนการเผาภายใน และกระบวนการวัดความต้านทานฉนวนที่อุณหภูมิ สูงถูกกระทำเป็นกระบวนการต่อเนื่อง, และทิศทางของความต่างศักย์ที่ใช้กับตัวเก็บประจุเซรามิก ชนิดโมโนไลธิกในกระบวนการเผาภายในพ้องกับทิศทางของความต่างศักย์ที่ใช้กับตัวเก็บประจุ เซรามิกชนิดโมโนไลธิกในกระบวนการวัดความต้านทานฉนวนที่อุณหภูมิสูง8.Method for selecting a monolithic ceramic capacitor with a configured insulation resistance. And the operational difference being configured This consists of a process of using no less than twice the operating voltage difference being determined at the maximum operating temperature with a monolithic ceramic capacitor to be selected. It is an internal sintering process, and the measurement of insulation resistance through a capacitor. While not less than the potential difference It was determined at a temperature of not less than 70 ํ with a monolithic ceramic capacitor, as a procedure for measuring insulation resistance at high temperatures, comparing the measured insulation resistance. With the resistance being set to the value corresponding to the capacitor Where the monolithic ceramic capacitors With abnormal insulation resistance May be detected And where the resistance measurement process High temperature insulation Performed after the internal combustion process Without resistance measurement Insulation at room temperature, internal firing process And the process of measuring insulation resistance at temperature High is performed as a continuous process, and the direction of potential difference is applied to ceramic capacitors. The monolithic type in the internal firing process corresponds to the direction of the potential difference applied to the capacitor. Monolithic ceramics in high temperature insulation resistance measurement processes
9.วิธีการสำหรับการคัดเลือกตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดโมโนไลธิก ที่มีความ ต้านทานฉนวนที่ถูกกำหนดค่า และความต่างศักย์ดำเนินการที่ถูกกำหนดค่า ซึ่งประกอบด้วย ขั้นตอนของ การใช้ไม่น้อยกว่าสองเท่าของความต่างศักย์ดำเนินการที่ถูกกำหนดค่า ที่อุณหภูมิ การทำงานสูงสุดกับตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดโมโนไลธิก ที่จะถูกคัดเลือกเป็นขั้นตอนกระบวนการ เผาภายใน, และ การวัดความต้านทานฉนวนผ่านตัวเก็บประจุ ขณะที่ใช้ไม่น้อยกว่าความต่างศักย์ที่ ถูกกำหนดค่า ที่อุณหภูมิไม่น้อยกว่า 70 ํซ กับตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดโมโนไลธิก เป็นขั้นตอน กระบวนการวัดความต้านทานฉนวนที่อุณหภูมิสูง, การเปรียบเทียบความต้านทานฉนวนที่ถูกวัดค่า กับความต้านทานที่ถูกกำหนดค่าที่ตรงกับตัวเก็บประจุ โดยที่ตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดโมโนไลธิก ที่มีความต้านทานฉนวนที่ไม่ปกติกอาจจะถูกตรวจพบ การวัดความต้านทานฉนวนที่อุณหภูมิห้อง ขณะที่ใช้ความต่างศักดิ์ที่ถูกกำหนดค่า กับตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดโมโนไลธิก หลังจากกระบวนการเผาภายใน และก่อนกระบวนการวัด ความต้านทานฉนวนที่อุณหภูมิสูง ในที่ซึ่ง กระบวนการเผาภายใน และกระบวนการวัดความ ต้านทานฉนวนที่อุณหภูมิสูง ถูกกระทำเป็นกระบวนการต่อเนื่อง, และ ทิศทางของความต่างศักย์ ที่ใช้กับตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดโมโนไลธิก ในกระบวนการเผาภายในพ้องกับทิศทางของความต่างศักย์ที่ใช้กับตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดโมโน ไลธิก ในกระบวนการวัดความต้านทานฉนวนที่อุณหภูมิสูง 1 0.วิธีการสำหรับการคัดเลือกตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดโมโนไลธิก ที่มีความต้าน ทานฉนวนที่ถูกกำหนดค่า และความต่างศักย์ดำเนินการที่ถูกกำหนดค่า ซึ่งประกอบด้วยขั้นตอน ของ การใช้ไม่น้อยกว่าสองเท่าของความต่างศักย์ดำเนินการ ที่ถูกกำหนดค่าที่อุณหภูมิ การทำงานสูงสุดกับตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดโมโนไลธิกที่จะถูกคัดเลือก เป็นขั้นตอนกระบวนการ เผาภายใน, และ การวัดความต้านทานฉนวนผ่านตัวเก็บประจุ ขณะที่ใช้ไม่น้อยกว่าความต่างศักย์ ที่ถูกกำหนดค่า ที่อุณหภูมิที่ไม่น้อยกว่า 70 ํซ กับตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดโมโนไลธิก เป็นขั้นตอน กระบวนการวัดความต้านทานฉนวนที่อุณหภูมิสูง, การเปรียบเทียบความต้านทานฉนวนที่ถูกวัดค่า กับความต้านทานที่ถูกกำหนดค่าที่ตรงกับตัวเก็บประจุ โดยที่ตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดโมโนไลธิก ที่มีความต้านทานฉนวนที่ไม่ปกติอาจจะถูกตรวจพบ และในที่ซึ่ง ทิศทางของความต่างศักย์ที่ใช้กับตัว เก็บประจุเซรามิกชนิดโมโนไลธิก ในกระบวนการเผาภายในพ้องกับทิศทางของความต่างศักย์ที่ใช้ กับตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดโมโนไลธิกในกระบวนการวัดความต้านทานฉนวนที่อุณหภูมิสูง 1 1.วิธีการสำหรับการคัดเลือกตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดโมโนไลธิก ที่มีความต้าน ทานฉนวนที่ถูกกำหนดค่า และความต่างศักย์ดำเนินการที่ถูกกำหนดค่า ซึ่งประกอบด้วยขั้นตอน ของ การใช้ไม่น้อยกว่าสองเท่าของความต่างศักย์ดำเนินการที่ถูกกำหนดค่า ที่อุณหภูมิ การทำงานสูงสุดกับตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดโมโนไลธิกที่จะถูกคัดเลือกเป็นขั้นตอนกระบวนการ เผาภายใน, และ การวัดความต้านทานฉนวนผ่านตัวเก็บประจุ ขณะที่ใช้ไม่น้อยกว่าความต่างศักย์ที่ ถูกกำหนดค่า ที่อุณหภูมิที่ไม่น้อยกว่า 70 ํซ กับตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดโมโนไลธิก เป็นขั้นตอน กระบวนการวัดความต้านทานฉนวนที่อุณหภูมิสูง, การเปรียบเทียบความต้านทานฉนวนที่ถูกวัดกับ ความต้านทานที่ถูกกำหนดค่าที่ตรงกับตัวเก็บประจุ โดยที่ตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดโมโนไลธิก ที่มี ความต้านทานฉนวนที่ไม่ปกติ อาจจะถูก ตรวจพบ ในที่ซึ่งกระบวนการเผาภายใน และกระบวนการวัดความต้านทานฉนวนที่ อุณหภูมิสูงถูกกระทำเป็นกระบวนการต่อเนื่องในเครื่องเดียว9. Methods for the selection of monolithic ceramic capacitors with a configured insulation resistance. And the action potential difference being configured This consists of a process of using no less than twice the operating voltage difference that was set at the highest operating temperature with a monolithic ceramic capacitor. To be selected as an internal sintering process, and to measure insulation resistance through capacitors. When using no less than the rated voltage at a temperature of not less than 70 ํ with a monolithic ceramic capacitor, the process of measuring insulation resistance at high temperatures, insulating resistance comparisons, is performed. Measured With the resistance being set to the value corresponding to the capacitor Where the monolithic ceramic capacitors Where abnormal insulation resistance may be detected. Measurement of insulation resistance at room temperature While using the configured difference With monolithic ceramic capacitors After internal sintering And before the measurement process Insulation resistance at high temperatures where the internal firing process And the measurement process High temperature insulation resistance Acted as a continuous process, and the direction of the potential difference Used with monolithic ceramic capacitors In the internal firing process coincides with the direction of the potential difference applied to the monolithic ceramic capacitors in the process of measuring the insulation resistance at high temperature 1 0. Method for the selection of mono ceramic capacitors. Lite Resistance Resist the configured insulation And the action potential difference being configured Which consists of a phase of using not less than twice the operating voltage difference. That was configured at temperature Maximum operation with monolithic ceramic capacitors to be selected. It is an internal sintering process, and the measurement of insulation resistance through a capacitor. While not less than the potential difference That was configured At a temperature of not less than 70 ํ a monolithic ceramic capacitor is a process of measuring insulation resistance at high temperatures, comparing the measured insulation resistance. With the resistance being set to the value corresponding to the capacitor Where the monolithic ceramic capacitors Where abnormal insulation resistance may be detected and where the direction of the voltage applied to the Monolithic ceramic capacitors In the internal firing process coincides with the direction of the applied potential difference. Methods for the selection of monolithic ceramic capacitors in the process of measuring insulation resistance at high temperatures 1 1. Method for selection of monolithic ceramic capacitors. Resistance Resist the configured insulation And the action potential difference being configured Which consists of a process of using no less than twice the operating voltage difference being determined at the maximum operating temperature with a monolithic ceramic capacitor to be selected as an internal sintering process, And measurement of insulation resistance through capacitors When not less than the voltage difference was set at a temperature of not less than 70 ํ with a monolithic ceramic capacitor, the process of measuring insulation resistance at high temperatures, resistance comparisons, The insulation is measured with The resistance is assigned a value that matches the capacitor. Where abnormal insulation resistance monolithic ceramic capacitors may be detected where the internal firing process And the process of measuring insulation resistance at The high temperature is performed as a continuous process in a single machine.