TH30163A - วิธีการผ่านกระบวนการของซับสเตรท - Google Patents

วิธีการผ่านกระบวนการของซับสเตรท

Info

Publication number
TH30163A
TH30163A TH9701001300A TH9701001300A TH30163A TH 30163 A TH30163 A TH 30163A TH 9701001300 A TH9701001300 A TH 9701001300A TH 9701001300 A TH9701001300 A TH 9701001300A TH 30163 A TH30163 A TH 30163A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
liquid
substrate
during
unique
processing method
Prior art date
Application number
TH9701001300A
Other languages
English (en)
Inventor
เวเบอร์ นายมาร์ติน
Original Assignee
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นายบุญมา เตชะวณิช
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
นายวิรัช ศรีเอนกราธา
Filing date
Publication date
Application filed by นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นายบุญมา เตชะวณิช, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก, นายวิรัช ศรีเอนกราธา filed Critical นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
Publication of TH30163A publication Critical patent/TH30163A/th

Links

Abstract

DC60 (02/07/40) ในระหว่างวิธีการแบบหนึ่งสำหรับการผ่านกระบวนการของซับสเตรท (1) ในของเหลว (2) ชนิดหนึ่ง ได้ผลของการทำให้ซับสเตรท (1) แห้งโดยจำเพาะอย่างยิ่งปราศจากส่วนที่เหลือ โดยได้ให้ ความร้อนแก่ผิวโค้งของเหลว (5) ของของเหลว (2) ที่เกิดขึ้นที่รอยต่อระหว่างพื้นผิวของซับสเตรทและ พื้นผิวของเหลวในระหว่างการดึงซับสเตรท (1) ออกจากของเหลว (2) ในระหว่างวิธีการแบบหนึ่งสำหรับการผ่านกระบวนการของซับสเตรท (1) ในของเหลว (2) ชนิดหนึ่ง ได้ผลของการทำให้ ซับสเตรท (1) แฟ้งโดยจำเพาะอย่างยิ่งปราศจากส่วนที่เหลือ โดยได้ให้ความร้อนแก่ผิวโค้งของเหลว (5) ของของเหลว (2) ที่เกิดขึ้นที่รอยต่อระหว่างพื้นผิวของซับสเตรทและพื้นผิว ของเหลวในระหว่างการดึงซับสเตรท (1) ออกจากของเหลว (2)

Claims (4)

1. วิธีการของการผ่านกระบวนการของซับสเตรท (1) ในของเหลวชนิดหนึ่ง (2) มีลักษณะเฉพาะตรงที่ในระหว่างการดึงซับสเตรท (1) ออกจากของเหลว (2) ได้ให้ความร้อนแก่ผิวโค้งของเหลว (meniscus) ซึ่งเกิดขึ้นที่รอยต่อระหว่างพื้นผิวของ ซับสเตรทและพื้นผิวของเหลว (4)
2. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 1 มีลักษณะเฉพาะตรงที่ได้ฉาย รังสีแก่ผิวโค้งของเหลว (5)
3. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 1 หรือ 2 มีลักษณะเฉพาะตรงที่ ได้โฟกัสการแผ่รังสีบนผิวโค้งของเหลว (5)
4. วิธีการตามข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิที่มาก่อน มี ลักษณะเฉพาะตรงที่ได้กระทำการแท็ก :
TH9701001300A 1997-04-04 วิธีการผ่านกระบวนการของซับสเตรท TH30163A (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH30163A true TH30163A (th) 1998-09-30

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BR9710764A (pt) Remo-Æo de material por radia-Æo aplicada a um ngulo obliquo
DE59104977D1 (de) Verfahren zum Biegen von plattenförmigen Werkstücken sowie Biegemaschine zur Durchführung des Verfahrens.
KR100281027B1 (ko) 기판 건조 방법 및 장치
TW357414B (en) Method and apparatus for heat-treating substrates
MY126419A (en) Vapor drying system and method
MY121934A (en) Removal of material by polarized radiation and backside application of radiation
DE59711766D1 (de) Temperierblock mit temperiereinrichtungen
EP0656082A1 (en) METHOD FOR MICROSTRUCTURING SURFACES OR POLYMERIC SUBSTRATES BY LASER RADIATION.
KR890008953A (ko) 반도체 기판의 표면처리방법
DE69021658D1 (de) Verfahren zum Wärmebehandeln von Metallen.
TW368699B (en) Manufacturing method for semiconductor device and manufacturing device for semiconductor
DE69114877D1 (de) Verfahren zum Entfernen einer Flüssigkeit von der Oberfläche eines Substrats in einer Schleuder.
EP0641742A4 (en) Method of producing pure water, system therefor and cleaning method.
EP0728850A3 (en) Reaction chamber with a quasi hot wall
TH30163A (th) วิธีการผ่านกระบวนการของซับสเตรท
DE69940168D1 (de) Verfahren zum Entschichten von Resistmaterial
DK0398699T3 (da) Fremgangsmåde til behandling af flydende materialer
CA2219588A1 (en) Method and apparatus for applying a decoration to an article using heat
PL312222A1 (en) Coating for perforated walls and coolant carrying pipes of heat exchangers
GB2395771A (en) Liquid heating apparatus
EP0628994A3 (en) Heat treatment method for semiconductor wafers.
DE59705559D1 (de) Vorrichtung zum behandeln von substraten in einem fluid-behälter
DE59807266D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum trocknen von substraten
JPH1131639A5 (th)
DE59306652D1 (de) Verfahren zum Verlöten eines Halbleiterkörpers mit einem Trägerelement