Claims (23)
OCR 08PVOCR 08PV
1.สับสเตรตกึ่งตัวนำที่ประกอบด้วย ซิลิคอนสับสเตรต ซึ่งมีบริเวณที่มีรูพรุน และชั้นถึงตัวนำ ที่ถูกจัดให้มีขึ้นบนบริเวณที่มีรูพรุน ซึ่ง ชั้นถึงตัวนำจะประกอบด้วย สารกึ่งตัวนำเชิงประกอบที่เป็นผลึกเดี่ยว และถูกสร้างขึ้นบน ผิวหน้าของบริเวณที่มีรูพรุน ซึ่งรูของมันถูกผนึกที่ผิวหน้า1. A semiconductor substrate consisting of a silicon substrate with porous regions and a to-conductor layer arranged on top of the porous regions. The to-conductor layer consists of a single-crystal semiconductor composite material built on the surface of the porous regions, where the pores are sealed at the surface.
2.. สับสเตรตกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งผิวหน้าจะประกอบด้วย แผ่นฟิล์มซิลิคอนที่มีขนาด บางมาก และมีความหนาน้อยกว่าชั้นกึ่งตัวนำ2. A semiconductor substrate, as per claim 1, whose surface consists of a very thin silicon film, thinner than the semiconductor layer.
3.สับสเตรตกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งทั้งซิลิคอนสับสเตรต และบริเวณที่มีรูพรุนจะ ประกอบด้วย ซิลิคอนที่เป็นผลึกเดี่ยว3. Semiconductor substrate, according to claim 1, where both the silicon substrate and the pore region consist of single-crystal silicon.
4. สับสเตรตกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิ 1ซึ่งผิวหน้าร่วมระหว่างชั้นระหว่างบริเวณที่มีรูพรุน และชั้นถึงตัวนำเชิงประกอบมีความขรุขระที่เท่ากับ 1 nm หรือน้อยกว่านั้น4. Semiconductor substrate according to claim 1, where the common surface roughness between the pore region and the composite conductor layer is 1 nm or less.
5. กระบวนการสำหรับผลิตสับสเตรตกึ่งตัวนำ ซึ่งประกอบด้วย ขั้นตอนในการ บำบัดซิลิคอนสับสเตรต ซึ่งมีบริเวณที่มีรูพรุนด้วยความร้อน เพื่อผนึกรูที่ผิวหน้าของบริเวณที่ มีรูพรุน และ สร้างชั้นกึ่งตัวนำเชิงประกอบที่เป็นผลึกเดี่ยว โดยการเติบโตแบบยืดขยายต่างกันบนบริเวณที่มี รูพรุน ซึ่งมีรูที่ถูกผนึกโดยการบำบัดด้วยความร้อน5. The process for manufacturing semiconductor substrates involves heat-treating the porous silicon substrate to seal the pores on the surface and create a single-crystal composite semiconductor layer through differential elongation growth on the heat-sealed porous regions.
6. กระบวนการสำหรับผลิตสับสเตรตกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิ 5 ซึ่งซิลิคอนสับสเตรตจะถูก บำบัดด้วยความร้อนในบรรยากาศที่ไม่มีก๊าซซึ่งมีซิลิคอนอยู่เลย6. The process for manufacturing the semiconductor substrate according to claim 5, in which the silicon substrate is heat-treated in an atmosphere devoid of any silicon-containing gases.
7.กระบวนการสำหรับผลิตสับสเตรตกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิ 5 ซึ่งยังคงประกอบด้วย ขั้นตอนก่อนการบำบัดด้วยความร้อน อันได้แก่ ขั้นตอนการกำจัดแผ่นฟิล์มออกไซด์ที่มีอยู่แล้ว ออกจากผิวหน้าของบริเวณที่มีรูพรุน7. The process for manufacturing the semiconductor substrate under claim 5 still includes a pre-heat treatment step, namely the removal of the existing oxide film from the porous surface.
8. กระบวนการสำหรับผลิตสับสเตรตกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิ 5 ซึ่งยังคงประกอบด้วย ขั้นตอนก่อนการบำบัดด้วยความร้อน อันได้แก่ ขั้นตอนการรวมตัวของผนังด้านในของรูกับออกซิเจน ในบริเวณที่มีรูพรุนจนถึงระดับที่ว่า ซิลิคอนที่เป็นผลึกเดี่ยวจะยังคงเหลืออยู่ภายใน8. The process for manufacturing the semiconductor substrate according to claim 5 still includes a pre-heat treatment step, namely the incorporation of the inner wall of the pores with oxygen in the porous region to the extent that single-crystal silicon remains within.
9. กระบวนการสำหรับผลิตสับสเตรตกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิ 8 ซึ่งยังคงประกอบด้วย ขั้นตอนก่อนการบำบัดด้วยความร้อน อันได้แก่ ขั้นตอนการกำจัดฟิล์มออกไซด์ออกจากผิวหน้าของบริเวณที่มีรูพรุ9. The process for manufacturing the semiconductor substrate under claim 8 still includes a pre-heat treatment step, namely the removal of the oxide film from the surface of porous areas.
10. กระบวนการสำหรับผลิตสับสเตรตกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิ 5 ซึ่งขั้นตอนในการบำบัด ด้วยความร้อนจะจัดให้มีคาบการเกิดคลื่นที่มีขนาดจาก 0.5 ไมโครเมตร ถึง 50 ไมโครเมตร อยู่บนผิวหน้าของบริเวณที่ มีรูพรุน10. A process for producing semiconductor substrates according to claim 5, in which the heat treatment step provides wavelengths ranging from 0.5 micrometers to 50 micrometers on the surface of porous areas.
11. กระบวนการสำหรับผลิตสับสเตรตกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิ 5 ซึ่งขั้นตอนในการบำบัด ด้วยความร้อนเป็นขั้นตอนการบำบัดซิลิคอนสับสเตรตด้วยความร้อน ในบรรยากาศที่มีไฮโดรเจนที่มี จุดน้ำค้างที่เท่ากับ -92 องศาเซลเซียส หรือต่ำกว่านั้น11. The process for manufacturing the semiconductor substrate under claim 5, in which the heat treatment step involves the thermal treatment of the silicon substrate in a hydrogen atmosphere with a dew point of -92°C or lower.
12. กระบวนการสำหรับผลิตสับสเตรตกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิ 7 หรือ 9 ซึ่งขั้นตอนการ กำจัดแผ่นฟิล์มออกไซด์ หรือแผ่นฟิล์มออกไซด์ธรรมชาติออกจากผิวหน้าของบริเวณที่มีรูพรุนจะถูก ดำเนินการ โดยการจุ่มซิลิคอนสับสเตรตซึ่งมีบริเวณที่มีรูพรุนในสารละลายกรดไฮโดรฟลูออริค12. The process for manufacturing semiconductor substrates according to claims 7 or 9, whereby the removal of the oxide film or natural oxide film from the porous surface is performed by immersing the porous silicon substrate in a hydrofluoric acid solution.
13. กระบวนการสำหรับผลิตสับสเตรตกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิ 5 ซึ่งซิลิคอนสับสเตรตมี ระนาบหลัก ซึ่งมีทิศทางตามแนวระนาบ (100)13. A process for manufacturing a semiconductor substrate according to claim 5, in which the silicon substrate has a principal plane which is oriented along the plane (100).
14. กระบวนการสำหรับผลิตสับสเตรตกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิ 5 ซึ่งขั้นตอนในการบำบัด ด้วยความร้อนจะถูกดำเนินการในบรรยากาศที่มีซิลิคอนในปริมาณเล็กน้อย14. The process for manufacturing the semiconductor substrate according to claim 5, in which the heat treatment steps are carried out in an atmosphere containing a small amount of silicon.
15. กระบวนการสำหรับผลิตสับสเตรตกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิ 14 ซึ่งขั้นตอนในการบำบัด ด้วยความร้อน จะถูกดำเนินการในบรรยากาศที่มีไฮโดรเจนหรือในบรรยากาศที่มีไฮโดรเจนและก๊าซ เฉื่อย15. The process for manufacturing semiconductor substrates under claim 14, whereby the heat treatment steps shall be carried out in a hydrogen atmosphere or in an atmosphere containing hydrogen and inert gases.
16. กระบวนการสำหรับผลิตสับสเตรตกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิ 14 ซึ่งซิลิคอนสับสเตรต ซึ่งมี บริเวณที่มีรูพรุนจะถูกบำบัดด้วยความร้อนในบรรยากาศที่มีไฮโดรเจน ที่มีจุดน้ำค้างที่เท่ากับ 92 องศา เซลเซียส หรือต่ำกว่านั้น16. The process for manufacturing semiconductor substrates under claim 14, in which a silicon substrate containing porous regions is heat-treated in a hydrogen atmosphere with a dew point of 92°C or lower.
17. กระบวนการสำหรับผลิตสับสเตรตกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิ 14 ซึ่งซิลิคอนสับสเตรต ซึ่งมี บริเวณที่มีรูพรุนจะถูกลุ่มในสารละลายกรดไฮโดรฟลูออริค เพื่อกำจัดแผ่นฟิล์มออกไซด์หรือแผ่นฟิล์ม ออกไซด์ธรรมชาติออกจากผิวหน้าของบริเวณที่มีรูพรุน และซิลิคอนสับสเตรต ซึ่งมีบริเวณที่มีรูพรุน จะถูกบำบัดด้วยความร้อนในบรรยากาศที่มีไฮโดรเจนที่มีจุดน้ำค้างที่เท่ากับ -92 องศาเซลเซียส หรือต่ำ กว่านั้น17. The process for manufacturing semiconductor substrates according to claim 14, in which a silicon substrate with porous regions is immersed in a hydrofluoric acid solution to remove oxide films or natural oxide films from the surface of the porous regions, and the silicon substrate with porous regions is heat-treated in a hydrogen atmosphere with a dew point of -92 °C or lower.
18. อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งมีบริเวณที่แอคทีฟที่ถูกผลิตบนสับสเตรตกึ่งตัวนำ ตามข้อถือ สิทธิ 1 ถึง 4 ข้อใดข้อหนึ่ง18. Electronic devices having active regions manufactured on a semiconductor substrate as provided by any one of Rights 1 through 4.
19. อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ตามข้อถือสิทธิ 18 ซึ่งอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์เป็นทรานสดิวเซอร์ แบบใช้ไฟฟ้าที่เกิดจากแสง19. Electronic devices under claim 18, which are photoelectric transducers.
20.อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ตามข้อถือสิทธิ 18 ซึ่งอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์เป็นอุปกรณ์เปล่งแสง20. Electronic devices, as per claim 18, which are light-emitting devices.
21.อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ตามข้อถือสิทธิ 18 ซึ่งอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์เป็นทรานซิสเตอร์21. Electronic device, as per claim 18, which is a transistor.
22.อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ประกอบด้วย ขั้วไฟฟ้าที่หนึ่ง ที่ถูกจัดให้มีขึ้นบนด้านหลังของ สับสเตรตกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 4 ข้อใดข้อหนึ่ง และขั้วไฟฟ้าที่สองที่ถูกจัดให้มีขึ้นบนด้าน ผิวหน้าของชั้นกึ่งตัวนำ22. An electronic device consisting of a first electrode arranged on the back of a semiconductor substrate in accordance with any of the claims 1 through 4, and a second electrode arranged on the surface of the semiconductor layer.
23. สับสเตรตกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 4 ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งสับสเตรตกึ่งตัวนำ และชั้นถึง ตัวนำที่ประกอบด้วย สารประกอบที่เป็นผลึกเดี่ยว มีลักษณะการนำไฟฟ้าที่เหมือนกัน23. A semiconductor substrate, according to any one of claims 1 through 4, is a semiconductor substrate and a layer of conductors composed of single-crystal compounds that exhibit identical electrical conductivity.