TH33515A - กระบวนการการก่อรูปฟิล์มบาง - Google Patents

กระบวนการการก่อรูปฟิล์มบาง

Info

Publication number
TH33515A
TH33515A TH9801001003A TH9801001003A TH33515A TH 33515 A TH33515 A TH 33515A TH 9801001003 A TH9801001003 A TH 9801001003A TH 9801001003 A TH9801001003 A TH 9801001003A TH 33515 A TH33515 A TH 33515A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
porous
layer
base plate
porous layer
soi
Prior art date
Application number
TH9801001003A
Other languages
English (en)
Inventor
อิวาเนะ นายมาซาอากิ
โยเนฮารา นายทาคาโอะ
Original Assignee
นายดำเนิน การเด่น
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
นายวิรัช ศรีเอนกราธา
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
Filing date
Publication date
Application filed by นายดำเนิน การเด่น, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก, นายวิรัช ศรีเอนกราธา, นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์ filed Critical นายดำเนิน การเด่น
Publication of TH33515A publication Critical patent/TH33515A/th

Links

Abstract

DC60 (04/06/41) กระบวนการสำหรับการก่อรูปฟิล์มบางจะได้รับการจัดเตรียมไว้โดยจะประกอบด้วยขั้นตอน ของการแยกแผ่นฐานที่ประกอบด้วยชั้น Si ไม่มีรูพรุน, ชั้น Si มีรูพรุนบนชั้น Si ไม่มีรูพรุน และ ชั้น Si มีรูพรุนน้อยลงที่ได้รับการก่อรูปขึ้นมาต่อไป อีกบนชั้นมีรูพรุนออกเป็นชั้นไม่มีรูพรุนและชั้นมีรู พรุน น้อยลงที่ชั้นมีรูพรุน, โดยการแยกจะได้รับการดำเนินการโดย การฉายลำแสงเลเซอร์ผ่านผิว หน้าด้านข้างของแผ่นฐาน แผ่นฐาน แบบเอสโอไอจะได้รับการเตรียมขึ้นมาจากแผ่นฐานที่ผ่านการ แยก และจะนำชั้น Si ไม่มีรูพรุนกลับไปใช้ใหม่ในกระบวนการการผลิตแผ่นฐานแบบเอสโอไอ กระบวนการการผลิตแผ่นฐานแบบเอสโอไอนี้จะประหยัดการสิ้นเปลืองวัสดุ และทำให้ต้นทุนการผลิต ต่ำลง แผ่นฐานจะได้รับการแยกอย่างแน่นอน กระบวนการสำหรับการผลิตเครื่องสำเร็จเพื่อการ แปลงไฟฟ้าพลังแสง ดังเช่น เซลล์แสงอาทิตย์ โดยมีการประหยัดวัสดุและใช้ต้นทุนต่ำลง จะได้รับ การจัดเตรียมไว้ด้วยเช่นกันที่ซึ่งชั้นมีรูพรุนจะได้รับการทำให้แยกออกอย่างแน่นอนโดยไม่ต้องการ การยึดติดที่แข็งแรงระหว่างแผ่นฐานและจิก กระบวนการสำหรับการก่อรูปฟิล์มบางจะได้รับการจัดเตรียมไว้โดยจะประกอบด้วยขั้นตอนของการแยกแผ่นฐานที่ประกอบด้วยชั้น Si ไม่มีรูพรุน, ชั้น Si มีรูพรุนบนชั้น Si ไม่มีรูพรุน และชั้น Si มีรูพรุนน้อยลงที่ได้รับการก่อรูปขึ้นมาต่อไป อีกบนชั้นมีรูพรุนออกเป็นชั้นไม่มีรูพรุนและชั้นมีรูพรุน น้อยลงที่ชั้นมีรูพรุน, โดยการแยกจะได้รับการดำเนินการโดย การฉายลำแสงเลเซอร์ผ่านผิวหน้าด้านข้างของแผ่นฐาน แผ่นฐาน แบบเอสโอไอจะได้รับการเตรียมขึ้นมาจากแผ่นฐานที่ผ่านการแยก และจะนำชั้น Si ไม่มีรูพรุนกลับไปใช้ใหม่ในกระบวนการเตรียม ขึ้นมาจากแผ่นฐานที่ผ่านการแยก และจะนำชั้น Si ไม่มีรูพรุน กลับไปใช้ใหม่ในกระบวนการการผลิตแผ่นฐานแบบเอสโอ ไอกระบวนการการผลิตแผ่นฐานแบบเอสโอไอนี้จะประหยัดการสิ้น เปลืองวัสดุ และทำให้ต้นทุนการผลิตต่ำลง แผ่นฐานจะได้รับ การแยกอย่างแน่นอน กระบวนการสำหรับการผลิตเครื่องสำเร็จ เพื่อการแปลงไฟฟ้าพลังงาน ดังเช่น เซลล์แสงอาทิตย์ โดยมี การประหยัดวัสดุและใช้ต้นทุนต่ำลง จะได้รับการจัดเตรียมไว้ ด้วยเช่นกันที่ซึ่งชั้นมีรูพรุนจะได้รับการทำให้แยกออก อย่างแน่นอนโดยไม่ต้องการการยึดติดที่แข็งแรงระหว่างแผ่น ฐานและจิก

Claims (2)

1. กระบวนการสำหรับการก่อรูปฟิล์มบางประกอบด้วยขั้นตอนของการแยกแผ่นฐานที่ประกอบด้วยชั้นไม่มีรูพรุน, ชั้นมีรูพรุน บนชั้นไม่มีรูพรุน และชั้นมีรูพรุนน้อยลงที่มีความพรุนน้อย กว่าชั้นมีรูพรุนที่ได้รับการก่อรูปขึ้นมาต่อไปอีกบนชั้นมี รูพรุนออกเป็นชั้นไม่มีรูพรุนและชั้นมีรูพรุนน้อยลงที่ชั้น มีรพรุน, โดยการแยกจะได้รับการดำเนินการโดยการฉายลำแสง เลเซอร์ผ่านผิวหน้าด้านข้างของแผ่นฐานเข้าในกึ่งกลางของ แผ่นฐาน
2. กระบวนการสำหรับการก่อรูปฟิล์มบางที่สองดคล้องกันกับข้อ ถือสิทธิข้อ 1, การแยกจะได้รับการดำเนินการโดยกาแท็ก :
TH9801001003A 1998-03-24 กระบวนการการก่อรูปฟิล์มบาง TH33515A (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH33515A true TH33515A (th) 1999-06-24

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA2232796A1 (en) Thin film forming process
CA2233096A1 (en) Substrate and production method thereof
EP0199901A3 (de) Träger für eine semipermeable Membran und Verfahren zu dessen Herstellung
EP0867920A3 (en) Thin film formation process
WO2004044948A3 (en) Photovoltaic devices fabricated by growth from porous template
CA2225131A1 (en) Process for producing semiconductor article
CA2187269A1 (en) Semiconductor substrate and producing method thereof
EP1365455A4 (en) SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
DE69728355D1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergegenstands
WO2007059578A8 (en) High efficiency solar cell fabrication
WO2004042432A3 (en) Photovoltaic devices fabricated by growth from porous template
AU7751887A (en) Snap fastener and method and means for making the same
DE50011786D1 (de) Verfahren und Verwendung einer Durchtrennungsvorrichtung zur Herstellung eines CdS/CdTe Dünnschichtsolarmoduls
WO2005045492A3 (en) Method for fabrication of optical element, and optical element having three-dimensional laminated structure
CA2296808A1 (en) Electrochemical process for fabricating article exhibiting substantial three-dimensional order and resultant article
AU1135101A (en) Rapid-prototyping method and apparatus
DE60136007D1 (de) Verfahren zur herstellung einer stapelstruktur
HK44293A (en) Heat-embossed foil
CA2220600A1 (en) Method of manufacturing semiconductor article
WO2004097894A3 (en) Self-organized nanopore arrays with controlled symmetry and order
DE60017409D1 (de) Brennstoffzellenkollektorplatte mit verbesserter leitfähigkeit und verfahren zu deren herstellung
PL347421A1 (en) Method for producing a multilayer coextrudate and a coextrudate produced according thereto
CN109722666A (zh) 具有表面微纳结构的金属薄膜模具的制备方法和金属薄膜模具中间体
WO2004081987A3 (en) Sige rectification process
EP0860518A4 (en) METHOD FOR PRODUCING POROUS ELECTROLYTIC METAL FILMS