TH33515A - กระบวนการการก่อรูปฟิล์มบาง - Google Patents

Abstract

DC60 (04/06/41) กระบวนการสำหรับการก่อรูปฟิล์มบางจะได้รับการจัดเตรียมไว้โดยจะประกอบด้วยขั้นตอน ของการแยกแผ่นฐานที่ประกอบด้วยชั้น Si ไม่มีรูพรุน, ชั้น Si มีรูพรุนบนชั้น Si ไม่มีรูพรุน และ ชั้น Si มีรูพรุนน้อยลงที่ได้รับการก่อรูปขึ้นมาต่อไป อีกบนชั้นมีรูพรุนออกเป็นชั้นไม่มีรูพรุนและชั้นมีรู พรุน น้อยลงที่ชั้นมีรูพรุน, โดยการแยกจะได้รับการดำเนินการโดย การฉายลำแสงเลเซอร์ผ่านผิว หน้าด้านข้างของแผ่นฐาน แผ่นฐาน แบบเอสโอไอจะได้รับการเตรียมขึ้นมาจากแผ่นฐานที่ผ่านการ แยก และจะนำชั้น Si ไม่มีรูพรุนกลับไปใช้ใหม่ในกระบวนการการผลิตแผ่นฐานแบบเอสโอไอ กระบวนการการผลิตแผ่นฐานแบบเอสโอไอนี้จะประหยัดการสิ้นเปลืองวัสดุ และทำให้ต้นทุนการผลิต ต่ำลง แผ่นฐานจะได้รับการแยกอย่างแน่นอน กระบวนการสำหรับการผลิตเครื่องสำเร็จเพื่อการ แปลงไฟฟ้าพลังแสง ดังเช่น เซลล์แสงอาทิตย์ โดยมีการประหยัดวัสดุและใช้ต้นทุนต่ำลง จะได้รับ การจัดเตรียมไว้ด้วยเช่นกันที่ซึ่งชั้นมีรูพรุนจะได้รับการทำให้แยกออกอย่างแน่นอนโดยไม่ต้องการ การยึดติดที่แข็งแรงระหว่างแผ่นฐานและจิก กระบวนการสำหรับการก่อรูปฟิล์มบางจะได้รับการจัดเตรียมไว้โดยจะประกอบด้วยขั้นตอนของการแยกแผ่นฐานที่ประกอบด้วยชั้น Si ไม่มีรูพรุน, ชั้น Si มีรูพรุนบนชั้น Si ไม่มีรูพรุน และชั้น Si มีรูพรุนน้อยลงที่ได้รับการก่อรูปขึ้นมาต่อไป อีกบนชั้นมีรูพรุนออกเป็นชั้นไม่มีรูพรุนและชั้นมีรูพรุน น้อยลงที่ชั้นมีรูพรุน, โดยการแยกจะได้รับการดำเนินการโดย การฉายลำแสงเลเซอร์ผ่านผิวหน้าด้านข้างของแผ่นฐาน แผ่นฐาน แบบเอสโอไอจะได้รับการเตรียมขึ้นมาจากแผ่นฐานที่ผ่านการแยก และจะนำชั้น Si ไม่มีรูพรุนกลับไปใช้ใหม่ในกระบวนการเตรียม ขึ้นมาจากแผ่นฐานที่ผ่านการแยก และจะนำชั้น Si ไม่มีรูพรุน กลับไปใช้ใหม่ในกระบวนการการผลิตแผ่นฐานแบบเอสโอ ไอกระบวนการการผลิตแผ่นฐานแบบเอสโอไอนี้จะประหยัดการสิ้น เปลืองวัสดุ และทำให้ต้นทุนการผลิตต่ำลง แผ่นฐานจะได้รับ การแยกอย่างแน่นอน กระบวนการสำหรับการผลิตเครื่องสำเร็จ เพื่อการแปลงไฟฟ้าพลังงาน ดังเช่น เซลล์แสงอาทิตย์ โดยมี การประหยัดวัสดุและใช้ต้นทุนต่ำลง จะได้รับการจัดเตรียมไว้ ด้วยเช่นกันที่ซึ่งชั้นมีรูพรุนจะได้รับการทำให้แยกออก อย่างแน่นอนโดยไม่ต้องการการยึดติดที่แข็งแรงระหว่างแผ่น ฐานและจิก

Claims (30)

1. กระบวนการสำหรับการก่อรูปฟิล์มบางประกอบด้วยขั้นตอนของการแยกแผ่นฐานที่ประกอบด้วยชั้นไม่มีรูพรุน, ชั้นมีรูพรุน บนชั้นไม่มีรูพรุน และชั้นมีรูพรุนน้อยลงที่มีความพรุนน้อย กว่าชั้นมีรูพรุนที่ได้รับการก่อรูปขึ้นมาต่อไปอีกบนชั้นมี รูพรุนออกเป็นชั้นไม่มีรูพรุนและชั้นมีรูพรุนน้อยลงที่ชั้น มีรพรุน, โดยการแยกจะได้รับการดำเนินการโดยการฉายลำแสง เลเซอร์ผ่านผิวหน้าด้านข้างของแผ่นฐานเข้าในกึ่งกลางของ แผ่นฐาน

2. กระบวนการสำหรับการก่อรูปฟิล์มบางที่สองดคล้องกันกับข้อ ถือสิทธิข้อ 1, การแยกจะได้รับการดำเนินการโดยการทำให้ลำ แสงเลเซอร์รวมศูนย์ลงบนผิวหน้าของชั้นมีรูพรุนเพื่อการทำ ให้ชั้นมีรูพรุนพองตัว

3. กระบวนการสำหรับการก่อรูปฟิล์มบางที่สองดคล้องกันกับข้อ ถือสิทธิข้อ 1, ชั้นมีรูพรุนบนชั้นไม่มีรูพรุนจะได้รับการ ก่อรูปขึ้นมาโดยการแอโนไดเซชันแก่แผ่นเวเฟอร์ Si

4. กระบวนการสำหรับการก่อรูปฟิล์มบางที่สองดคล้องกันกับข้อ ถือสิทธิข้อ 1, ลำแสงเลเซอร์จะได้รับการฉายลงบนหลายๆพื้น ที่ของชั้นมีรูพรุน

5. กระบวนการสำหรับการก่อรูปฟิล์มบางที่สองดคล้องกันกับข้อ ถือสิทธิข้อ 1, ผิวหน้าของชั้นไม่มีรูพรุนที่อยู่คนละด้าน กันกับชั้นมีรูพรุนจะได้รับการนำเข้าสัมผัสแนบชิดกับตัวจับ สูญญากาศ และจะใช้แรงดึงขนาดเล็กกระทำต่อแผ่นฐานโดยการ อาศัยตัวจับสูญญากาศ

6. กระบวนการสำหรับการก่อรูปฟิล์มบางที่สองดคล้องกันกับข้อ ถือสิทธิข้อ 1, ลำแสงเลเซอร์จะเป็นลำแสงเลเซอร์แบบเอ็กซ์ ไซเมอร์

7. กระบวนการสำหรับการก่อรูปฟิล์มบางที่สองดคล้องกันกับข้อ ถือสิทธิข้อ 1, ลำแสงเลเซอร์จะได้รับการทำให้ลู่เข้าในแนว ขนานโดยเลนส์ทรงกระบอก และลำแสงเลเซอร์ที่ผ่านการทำให้ลู่ เข้าในแนวขนานจะได้รับการฉายลงไปตามแนวของชั้นมีรูพรุน

8. กระบวนการสำหรับการก่อรูปฟิล์มบางที่สองดคล้องกันกับข้อ ถือสิทธิข้อ 3, ชั้นมีรูพรุนน้อยลงจะเป็นชั้นแบบเอพิแทกซี ไม่มีรูพรุนที่ได้รับการก่อรูปขึ้นมาบนชั้นมีรูพรุนโดยการ ก่อเกิดแบบเอพิแทกซี

9. กระบวนการสำหรับการก่อรูปฟิล์มบางที่สองดคล้องกันกับข้อ ถือสิทธิข้อ 8, ชั้นแบบเอพิแทกซีไม่มีรูพรุนจะได้รับการ เชื่อมประสานเข้ากับแผ่นฐานรองรับโดยมีชั้นฉนวนแทรกอยู่ ระหว่างกลาง, การแยกจะได้รับการทำให้เกิดขึ้นมาที่ชั้นมีรู พรุน, ชั้นมีรูพรุนที่คงเหลืออยู่บนชั้นแบบเอฟิแทกไม่มีรู พรุนจะได้รับการกำจัดออกไป และจะใช้ชั้นแบบเอพิแทกซีไม่มี รูพรุนและชั้นฉนวนอย่างตามลำดับเป็นชั้นสารกึ่งตัวนำและ ชั้นฉนวนที่อยู่ข้างใต้ของแผ่นฐานแบบเอศโอไอ

10. กระบวนการสำหรับการก่อรูปฟิล์มบางที่สองดคล้องกันกับ ข้อถือสิทธิข้อ 9, แผ่นฐานรองรับจะเป็นแผ่นเวเฟอร์ Si ที่ ซึ่งพื้นผิวของแผ่นเวเฟอร์ได้ผ่านการออกซิเดชัน และชั้น ฉนวนจะเป็นพื้นผิวจากการออกซิเดชัน

11. กระบวนการสำหรับการก่อรูปฟิล์มบางที่สองดคล้องกันกับ ข้อถือสิทธิข้อ 8, ชั้นฉนวนจะได้รับการก่อรูปขึ้นมาบนพื้น ผิวของชั้นแบบเอพิแทกซีไม่มีรูพรุน, ชั้นแบบเอพิแทกซีไม่มี รูพรุนจะได้รับการเชื่อมประสานเข้ากับแผ่นฐานรองรับ, การ แยกจะได้รับการทำให้เกิดขึ้นมาที่ชั้นมีรูพรุน, ชั้นมีรู พรุนที่เหลือบนชั้นแบบเอพิแทกซีไม่มีรูพรุนจะได้รับการ กำจัดออกไป และชั้นแบบเอพิแทกซีไม่มีรูพรุนและชั้นฉนวนจะ ได้รับการใช้อย่างตามลำดับเป็นชั้นสารกึ่งตัวนำและชั้นฉนวน ที่อยู่ข้างใต้ของแผ่นฐานแบบเอสโอไอ

12. กระบวนการสำหรับการก่อรูปฟิล์มบางที่สองดคล้องกันกับ ข้อถือสิทธิข้อ 11, แผ่นฐานรองรับจะเป็นแผ่นฐานควอร์ทซ์

13. กระบวนการสำหรับการก่อรูปฟิล์มบางที่สองดคล้องกันกับ ข้อถือสิทธิข้อ 11, แผ่นฐานรองรับจะเป็นแผ่นฐานที่ได้รับ การเตรียมขึ้นมาโดยการออกซิเดชันพื้นผิวของแผ่นเวเฟอร์ Si

14. กระบวนการสำหรับการก่อรูปฟิล์มบางที่สองดคล้องกันกับ ข้อถือสิทธิข้อ 3, ชั้นมีรูพรุนน้อยลงจะได้รับการก่อรูป ขึ้นมาโดยการแอโนไดเซชันแก่แผ่นเวเฟอร์ Si ด้วยความหนาแน่น ของกระแสที่น้อยกว่าที่ใช้ในการก่อรูปชั้นมีรูพรุนขึ้นมา โดยการแอโนไดเซชัน

15. กระบวนการสำหรับการก่อรูปฟิล์มบางที่สองดคล้องกันกับ ข้อถือสิทธิข้อ 8 หรือ 14 ข้อใดข้อหนึ่ง, ชั้นมีรูพรุนน้อย ลงจะได้รับการเชื่อมประสานเข้ากับแผ่นฐานรองรับ และจะได้ รับการทำให้แยกที่ชั้นมีรูพรุน และชั้นมีรูพรุนน้อยลงจะได้ รับการใช้เป็นชั้นการแปลงไฟฟ้าพลังแสงของเครื่องสำเร็จการ แปลงไฟฟ้าพลังแสง

16. กระบวนการสำหรับการก่อรูปฟิล์มบางที่สองดคล้องกันกับ ข้อถือสิทธิข้อ 1, ชั้นไม่มีรูพรุน, ชั้นมีรูพรุน และชั้น มีรูพรุนน้อยลงจะประกอบขึ้นมาจากซิลิกอน

17. กระบวนการสำหรับการก่อรูปฟิล์มบางที่สองดคล้องกันกับ ข้อถือสิทธิข้อ 16, การแยกจะได้รับการทำให้เกิดขึ้นมาโดย การทำให้ลำแสงเลเซอร์รวมศูนย์ลงบนผิวหน้าด้านข้างของชั้นมี รูพรุนเพื่อการทำให้ชั้นมีรูพรุนพองตัว

18. กระบวนการสำหรับการก่อรูปฟิล์มบางที่สองดคล้องกันกับ ข้อถือสิทธิข้อ 16, ชั้นมีรูพรุนบนชั้นไม่มีรูพรุนจะได้รับ การก่อรูปขึ้นมาโดยการแอโนไคเซชันแก่แผ่นเวเฟอร์ Si

19. กระบวนการสำหรับการก่อรูปฟิล์มบางที่สองดคล้องกันกับ ข้อถือสิทธิข้อ 16, ลำแสงเลเซอร์จะได้รับการฉายลงบนหลายๆ พื้นที่ของชั้นมีรูพรุน

20. กระบวนการสำหรับการก่อรูปฟิล์มบางที่สองดคล้องกันกับ ข้อถือสิทธิข้อ 16, ผิวหน้าของชั้นไม่มีรูพรุนที่อยู่คนละ ด้านกับชั้นมีรูพรุนจะได้รับการนำเข้าสัมผัสแนบชิดกับตัว จับสุญญากาศ และจะใช้แรงตึงขนาดเล็กกระทำต่อแผ่นฐานโดยการ อาศัยตัวจับสุญญากาศ

21. กระบวนการสำหรับการก่อรูปฟิล์มบางที่สองดคล้องกันกับ ข้อถือสิทธิข้อ 16, ลำแสงเลเซอร์จะเป็นลำแสงเลเซอร์แบบ เอ็กซ์ไซเมอร์

22. กระบวนการสำหรับการก่อรูปฟิล์มบางที่สองดคล้องกันกับ ข้อถือสิทธิข้อ 16, ลำแสงเลเซอร์จะได้รับการทำให้ลู่เข้าใน แนวขนานโดยเลนส์ทรงกระบอก และลำแสงเลเซอร์ที่ผ่านการทำให้ ลู่เข้าในแนวขนานจะได้รับการฉายลงไปตามแนวของชั้นมีรูพรุน

23. กระบวนการสำหรับการก่อรูปฟิล์มบางที่สองดคล้องกันกับ ข้อถือสิทธิข้อ 18, ชั้นมีรูพรุนน้อยลงจะเป็นชั้นแบบเอพิแ ทกซีไม่มีรูพรุนที่ได้รับการก่อรูปขึ้นมาบนชั้นมีรูพรุนโดย การก่อเกิดแบบเอพิแทกซี

24. กระบวนการสำหรับการก่อรูปฟิล์มบางที่สองดคล้องกันกับ ข้อถือสิทธิข้อ 23, ชั้นแบบเอฟิแทกซีจะได้รับการเชื่อม ประสานเข้ากับแผ่นฐานรองรับที่มีชั้นฉนวนอยู่บนพื้นผิวเป็น อย่างน้อยที่สุด, การแยกจะได้รับการทำให้เกิดขึ้นมาที่ชั้น มีรูพรุน, ชั้นมีรูพรุนที่คงเหลืออยู่บนชั้นแบบเอพีแทกซีจะ ได้รับการกำจัดออกไป และจะใช้ชั้นแบบเอฟิแทกซีและชั้นฉนวน อย่างตามลำดับเป็นชั้นสารกึ่งตัวนำและชั้นฉนวนที่อยูข้าง ใต้ของแผ่นฐานแบบเอสโอไอ

25. กระบวนการสำหรับการก่อรูปฟิล์มบางที่สองดคล้องกันกับ ข้อถือสิทธิข้อ 24, แผ่นฐานรองรับที่มีชั้นฉนวนอยู่บนพื้น ผิวเป็นอย่างน้อยที่สุดจะเป็นแผ่นเวเฟอร์ Si ที่ซึ่งพื้น ผิวของแผ่นเวเฟอร์ได้ผ่านการออกซิเดชัน

26. กระบวนการสำหรับการก่อรูปฟิล์มบางที่สองดคล้องกันกับ ข้อถือสิทธิข้อ 23, ชั้นฉนวนจะได้รับการก่อรูปขึ้นมาบนชั้น แบบเอพิแทกซี และชั้นแบบเอพิแทกซีจะได้รับการเชื่อมประสาน เข้ากับแผ่นฐานรองรับ, การแยกจะได้รับการทำให้เกิดขึ้นมา ที่ชั้นมีรูพรุน, ชั้นมีรูพรุนที่เหลือบนชั้นแบบเอพิแทกซี จะได้รับการกำจัดออกไป และชั้นแบบเอพิแทกซีและชั้นฉนวนจะ ได้รับการใช้อย่างตามลำดับเป็นชั้นสารกึ่งตัวนำและชั้นฉนวน ที่อยู่ข้างใต้ของแผ่นฐานแบบเอสโอไอ

27. กระบวนการสำหรับการก่อรูปฟิล์มบางที่สองดคล้องกันกับ ข้อถือสิทธิข้อ 26, แผ่นฐานรองรับจะเป็นแผ่นฐานควอร์ทซ์

28. กระบวนการสำหรับการก่อรูปฟิล์มบางที่สองดคล้องกันกับ ข้อถือสิทธิข้อ 26, แผ่นฐานรองรับจะเป็นแผ่นฐานที่ได้รับ การเตรียมขึ้นมาโดยการออกซิเดชันพื้นผิวของแผ่นเวเฟอร์ Si

29. กระบวนการสำหรับการก่อรูปฟิล์มบางที่สองดคล้องกันกับ ข้อถือสิทธิข้อ 18, ชั้นมีรูพรุนน้อยลงจะได้รับการก่อรูป ขึ้นมาโดยการแอโนไดเซชันแก่แผ่นเวเฟอร์ Si ด้วยความหนาแน่น ของกระแสที่น้อยกว่าที่ใช้ในการก่อรูปชั้นมีรูพรุนขึ้นมา โดยการแอโนไดเซชัน

30. กระบวนการสำหรับการก่อรูปฟิล์มบางที่สองดคล้องกันกับ ข้อถือสิทธิข้อ 18 หรือ 29 ข้อใดข้อหนึ่ง, ชั้นมีรูพรุน น้อยลงจะได้รับการเชื่อมประสานเข้ากับแผ่นฐานรองรับ และจะ ได้รับการทำให้แยกที่ชั้นมีรูพรุน และชั้นมีรูพรุนน้อยลงจะ ได้รับการใช้เป็นชั้นการแปลงไฟฟ้าพลังแสงของเครื่องสำเร็จ การแปลงไฟฟ้าพลังแสง (ข้อถือสิทธิ 30 ข้อ, 4 หน้า, 18 รูป)